50,8 mm/100 mm AlN-Schablone auf NPSS/FSS AlN-Schablone auf Saphir

Kurzbeschreibung:

AlN-auf-Saphir bezeichnet eine Materialkombination, bei der Aluminiumnitridschichten auf Saphirsubstraten aufgebracht werden. In dieser Struktur kann eine hochwertige Aluminiumnitridschicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) oder organometrischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) erzeugt werden, wodurch eine optimale Verbindung zwischen Aluminiumnitridschicht und Saphirsubstrat entsteht. Die Vorteile dieser Struktur liegen in der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen chemischen Stabilität und den exzellenten optischen Eigenschaften von Aluminiumnitrid sowie den hervorragenden mechanischen und thermischen Eigenschaften und der Transparenz des Saphirsubstrats.

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Merkmale

AlN-auf-Saphir

AlN-auf-Saphir kann zur Herstellung einer Vielzahl von fotoelektrischen Bauelementen verwendet werden, wie zum Beispiel:
1. LED-Chips: LED-Chips bestehen üblicherweise aus Aluminiumnitridschichten und anderen Materialien. Die Effizienz und Stabilität von LEDs lassen sich durch die Verwendung von AlN-auf-Saphir-Wafern als Substrat für die LED-Chips verbessern.
2. Laser: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch als Substrate für Laser verwendet werden, die häufig in der Medizin, der Kommunikation und der Materialverarbeitung eingesetzt werden.
3. Solarzellen: Für die Herstellung von Solarzellen werden Materialien wie Aluminiumnitrid benötigt. AlN-auf-Saphir als Substrat kann die Effizienz und Lebensdauer von Solarzellen verbessern.
4. Andere optoelektronische Bauelemente: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch zur Herstellung von Fotodetektoren, optoelektronischen Bauelementen und anderen optoelektronischen Bauelementen verwendet werden.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass AlN-auf-Saphir-Wafer aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit, hohen chemischen Stabilität, geringen Verluste und hervorragenden optischen Eigenschaften im optoelektrischen Bereich weit verbreitet sind.

50,8 mm/100 mm AlN-Schablone auf NPSS/FSS

Artikel	Anmerkungen
Beschreibung	AlN-auf-NPSS-Vorlage	AlN-auf-FSS-Vorlage
Wafer-Durchmesser	50,8 mm, 100 mm
Substrat	c-Ebene NPSS	c-Ebene Planarer Saphir (FSS)
Substratdicke	50,8 mm, 100-mm-c-Ebene Planarer Saphir (FSS) 100 mm : 650 µm
Dicke der AIN-Epitaxieschicht	3–4 µm (Zielwert: 3,3 µm)
Leitfähigkeit	Isolierung
Oberfläche	Im Wachstum
	RMS<1nm	RMS < 2 nm
Rückseite	Gemahlen
FWHM(002)XRC	< 150 Bogensekunden	< 150 Bogensekunden
FWHM(102)XRC	< 300 Bogensekunden	< 300 Bogensekunden
Kantenausschluss	< 2 mm	< 3 mm
Primäre flache Ausrichtung	a-Ebene+0,1°
Primäre flache Länge	50,8 mm: 16 ± 1 mm 100 mm: 30 ± 1 mm
Paket	Verpackt in einem Versandkarton oder einer Einzelwaffelverpackung