50,8 mm/100 mm AlN-Schablone auf NPSS/FSS AlN-Schablone auf Saphir

Kurzbeschreibung:

AlN-auf-Saphir bezieht sich auf eine Materialkombination, bei der Aluminiumnitridfilme auf Saphirsubstraten aufgewachsen werden. In dieser Struktur kann ein hochwertiger Aluminiumnitridfilm durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder organometrische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) gezüchtet werden, wodurch der Aluminiumnitridfilm und das Saphirsubstrat eine gute Kombination ergeben. Die Vorteile dieser Struktur bestehen darin, dass Aluminiumnitrid eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe chemische Stabilität und hervorragende optische Eigenschaften aufweist, während das Saphirsubstrat hervorragende mechanische und thermische Eigenschaften sowie Transparenz aufweist.

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AlN-auf-Saphir

AlN-auf-Saphir kann zur Herstellung verschiedener fotoelektrischer Geräte verwendet werden, wie zum Beispiel:
1. LED-Chips: LED-Chips bestehen normalerweise aus Aluminiumnitridfolien und anderen Materialien. Die Effizienz und Stabilität von LEDs kann durch die Verwendung von AlN-auf-Saphir-Wafern als Substrat von LED-Chips verbessert werden.
2. Laser: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch als Substrate für Laser verwendet werden, die häufig in der Medizin, Kommunikation und Materialverarbeitung eingesetzt werden.
3. Solarzellen: Die Herstellung von Solarzellen erfordert den Einsatz von Materialien wie Aluminiumnitrid. AlN-auf-Saphir als Substrat kann die Effizienz und Lebensdauer von Solarzellen verbessern.
4. Andere optoelektronische Geräte: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch zur Herstellung von Fotodetektoren, optoelektronischen Geräten und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass AlN-auf-Saphir-Wafer aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit, hohen chemischen Stabilität, geringen Verluste und hervorragenden optischen Eigenschaften weit verbreitet im optoelektrischen Bereich eingesetzt werden.

50,8 mm/100 mm AlN-Schablone auf NPSS/FSS

Artikel	Bemerkungen
Beschreibung	AlN-auf-NPSS-Vorlage	AlN-auf-FSS-Vorlage
Waferdurchmesser	50,8 mm, 100 mm
Substrat	C-Ebene NPSS	c-plane planarer Saphir (FSS)
Substratdicke	50,8 mm, 100-mm-Planar-Saphir (FSS) 100 mm: 650 um
Dicke der AIN-Epischicht	3~4 um (Ziel: 3,3 um)
Leitfähigkeit	Isolierend
Oberfläche	Wie gewachsen
	RMS<1nm	RMS <2 nm
Rückseite	Gemahlen
FWHM(002)XRC	< 150 Bogensekunden	< 150 Bogensekunden
FWHM(102)XRC	< 300 Bogensekunden	< 300 Bogensekunden
Kantenausschluss	< 2mm	< 3mm
Primäre flache Ausrichtung	a-Ebene+0,1°
Primäre flache Länge	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Paket	Verpackt im Versandkarton oder Einzelwaferbehälter