50,8 mm/100 mm AlN-Vorlage auf NPSS/FSS AlN-Vorlage auf Saphir

Kurze Beschreibung:

AlN-auf-Saphir bezeichnet eine Materialkombination, bei der Aluminiumnitridfilme auf Saphirsubstraten abgeschieden werden. Bei dieser Struktur kann ein hochwertiger Aluminiumnitridfilm durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder organometrische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) abgeschieden werden, wodurch Aluminiumnitridfilm und Saphirsubstrat eine gute Kombination bilden. Die Vorteile dieser Struktur liegen in der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen chemischen Stabilität und den hervorragenden optischen Eigenschaften von Aluminiumnitrid, während Saphirsubstrate hervorragende mechanische und thermische Eigenschaften sowie Transparenz aufweisen.

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AlN-auf-Saphir

AlN-auf-Saphir kann zur Herstellung einer Vielzahl von fotoelektrischen Geräten verwendet werden, wie zum Beispiel:
1. LED-Chips: LED-Chips bestehen üblicherweise aus Aluminiumnitridfilmen und anderen Materialien. Die Effizienz und Stabilität von LEDs kann durch die Verwendung von AlN-auf-Saphir-Wafern als Substrat für LED-Chips verbessert werden.
2. Laser: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch als Substrate für Laser verwendet werden, die häufig in der Medizin, Kommunikation und Materialverarbeitung eingesetzt werden.
3. Solarzellen: Die Herstellung von Solarzellen erfordert die Verwendung von Materialien wie Aluminiumnitrid. AlN-auf-Saphir als Substrat kann die Effizienz und Lebensdauer von Solarzellen verbessern.
4. Andere optoelektronische Geräte: AlN-auf-Saphir-Wafer können auch zur Herstellung von Fotodetektoren, optoelektronischen Geräten und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass AlN-auf-Saphir-Wafer aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit, hohen chemischen Stabilität, geringen Verluste und hervorragenden optischen Eigenschaften im optoelektrischen Bereich weit verbreitet sind.

50,8 mm/100 mm AlN-Vorlage auf NPSS/FSS

Artikel	Bemerkungen
Beschreibung	AlN-auf-NPSS-Vorlage	AlN-auf-FSS-Vorlage
Waferdurchmesser	50,8 mm, 100 mm
Substrat	c-Ebene NPSS	c-plane Planar Sapphire (FSS)
Substratdicke	50,8 mm, 100 mmc-Ebene Planarer Saphir (FSS)100 mm: 650 um
Dicke der AIN-Epischicht	3–4 µm (Ziel: 3,3 µm)
Leitfähigkeit	Isolierend
Oberfläche	Wie gewachsen
	RMS < 1 nm	RMS < 2 nm
Rückseite	Geschliffen
FWHM(002)XRC	< 150 Bogensekunden	< 150 Bogensekunden
FWHM(102)XRC	< 300 Bogensekunden	< 300 Bogensekunden
Kantenausschluss	< 2 mm	< 3 mm
Primäre flache Ausrichtung	a-Ebene +0,1°
Primäre flache Länge	50,8 mm: 16 +/- 1 mm 100 mm: 30 +/- 1 mm
Paket	Verpackt in Versandkarton oder Einzelwaferbehälter