4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD

Epitaxie bezeichnet das Wachstum einer Schicht aus hochwertigem Einkristallmaterial auf der Oberfläche eines Siliciumcarbid-Substrats. Das Wachstum einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf einem halbisolierenden Siliciumcarbid-Substrat wird als heterogene Epitaxie bezeichnet; das Wachstum einer Siliciumcarbid-Epitaxieschicht auf der Oberfläche eines leitfähigen Siliciumcarbid-Substrats als homogene Epitaxie.

Die Epitaxie erfolgt gemäß den Anforderungen an das Gerätedesign hinsichtlich des Wachstums der Hauptfunktionsschicht und bestimmt maßgeblich die Leistungsfähigkeit des Chips und des Bauelements; die Kosten betragen 23 %. Zu den wichtigsten Verfahren der SiC-Dünnschichtepitaxie in dieser Phase gehören: chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Flüssigphasenepitaxie (LPE) sowie gepulste Laserabscheidung und Sublimation (PLD).

Die Epitaxie ist ein sehr wichtiges Glied in der gesamten Industrie. Durch das Aufwachsen von GaN-Epitaxieschichten auf halbisolierenden Siliziumkarbidsubstraten werden GaN-Epitaxiewafer auf Siliziumkarbidbasis hergestellt, die weiter zu GaN-HF-Bauelementen wie z. B. HEMT-Transistoren (High Electron Mobility Transistors) verarbeitet werden können;

Durch das Aufwachsen einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf einem leitfähigen Substrat zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafers und der Epitaxieschicht zur Herstellung von Schottky-Dioden, Gold-Sauerstoff-Halbfeldeffekttransistoren, Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und anderen Leistungsbauelementen spielt die Qualität der Epitaxieschicht einen sehr großen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit des Bauelements und ist somit auch für die Entwicklung der Industrie von entscheidender Bedeutung.