4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD

Epitaxie bezeichnet das Wachstum einer Schicht aus hochwertigem Einkristallmaterial auf der Oberfläche eines Siliziumkarbidsubstrats. Das Wachstum einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf einem halbisolierenden Siliziumkarbidsubstrat wird als heterogene Epitaxie bezeichnet; das Wachstum einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf der Oberfläche eines leitfähigen Siliziumkarbidsubstrats wird als homogene Epitaxie bezeichnet.

Epitaxie ist das Wachstum der Hauptfunktionsschicht gemäß den Anforderungen des Gerätedesigns und bestimmt weitgehend die Leistung des Chips und des Geräts, die Kosten betragen 23 %. Die wichtigsten Methoden der SiC-Dünnschichtepitaxie in dieser Phase umfassen: chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Flüssigphasenepitaxie (LPE) und gepulste Laserabscheidung und Sublimation (PLD).

Die Epitaxie ist ein ganz entscheidendes Bindeglied in der gesamten Branche. Durch das Züchten epitaktischer GaN-Schichten auf halbisolierenden Siliziumkarbidsubstraten werden epitaktische GaN-Wafer auf Siliziumkarbidbasis hergestellt, die weiter zu GaN-HF-Geräten wie Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) verarbeitet werden können.

Durch das Aufwachsen einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf einem leitfähigen Substrat erhält man Siliziumkarbid-Epitaxiewafer. Diese Epitaxieschicht wird bei der Herstellung von Schottky-Dioden, Gold-Sauerstoff-Halbfeldeffekttransistoren, Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode und anderen Leistungsbauelementen verwendet. Daher hat die Qualität der Epitaxie einen sehr großen Einfluss auf die Leistung des Bauelements und spielt auch für die Entwicklung der Branche eine sehr entscheidende Rolle.