4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD

Kurzbeschreibung:

SiCC verfügt über eine komplette Produktionslinie für SiC-Wafersubstrate (Siliziumkarbid), die Kristallwachstum, Waferverarbeitung, Waferherstellung, Polieren, Reinigen und Testen integriert. Derzeit können wir axiale oder außeraxiale halbisolierende und halbleitende 4H- und 6H-SiC-Wafer mit den Größen 5 x 5 mm2, 10 x 10 mm2, 2″, 3″, 4″ und 6″ liefern, die eine bahnbrechende Defektunterdrückung und Kristallkeimverarbeitung ermöglichen und schnelles Wachstum und andere Es hat die Schlüsseltechnologien wie Defektunterdrückung, Kristallkeimverarbeitung und schnelles Wachstum durchbrochen und die Grundlagenforschung und -entwicklung von Silizium gefördert Karbidepitaxie, Geräte und andere damit verbundene Grundlagenforschung.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetails

Produkt-Tags

Unter Epitaxie versteht man das Wachstum einer Schicht aus Einkristallmaterial höherer Qualität auf der Oberfläche eines Siliziumkarbidsubstrats. Unter diesen wird das Wachstum einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf einem halbisolierenden Siliziumkarbidsubstrat als heterogene Epitaxie bezeichnet. Das Wachstum einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf der Oberfläche eines leitfähigen Siliziumkarbidsubstrats wird als homogene Epitaxie bezeichnet.

Epitaxie ist das Wachstum der Hauptfunktionsschicht im Einklang mit den Anforderungen des Gerätedesigns und bestimmt maßgeblich die Leistung des Chips und des Geräts, wobei die Kosten 23 % betragen. Zu den wichtigsten Methoden der SiC-Dünnschichtepitaxie in diesem Stadium gehören: chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Flüssigphasenepitaxie (LPE) und gepulste Laserabscheidung und -sublimation (PLD).

Epitaxie ist ein sehr wichtiges Glied in der gesamten Branche. Durch das Aufwachsen von GaN-Epitaxieschichten auf halbisolierenden Siliziumkarbidsubstraten werden GaN-Epitaxiewafer auf Basis von Siliziumkarbid hergestellt, die weiter zu GaN-HF-Geräten wie HEMTs (High Electron Mobility Transistors) verarbeitet werden können.

Durch das Wachsen einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf einem leitfähigen Substrat erhält man einen Siliziumkarbid-Epitaxiewafer und in der Epitaxieschicht die Herstellung von Schottky-Dioden, Gold-Sauerstoff-Halbfeldeffekttransistoren, Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und anderen Leistungsbauelementen, also die Qualität von Die Epitaxie hat einen sehr großen Einfluss auf die Leistung des Geräts und spielt auch eine sehr entscheidende Rolle für die Entwicklung der Branche.