4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer Null-MPD-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse

Kurze Beschreibung:

Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H/6H-P ist ein Halbleitermaterial für die Herstellung elektronischer Geräte und bekannt für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagspannung sowie Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Korrosion. Die Produktionsqualität und die Zero-MPD-Qualität (Micro Pipe Defect) gewährleisten Zuverlässigkeit und Stabilität in der Hochleistungselektronik. Produktionsqualitäts-Wafer werden für die Großserienfertigung von Geräten unter strenger Qualitätskontrolle verwendet, während Dummy-Qualitäts-Wafer hauptsächlich für Prozessdebugging und Gerätetests eingesetzt werden. Die herausragenden Eigenschaften von SiC ermöglichen eine breite Anwendung in elektronischen Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräten, wie z. B. Leistungs- und HF-Geräten.

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Tabelle der gemeinsamen Parameter für SiC-Verbundsubstrate vom Typ 4H/6H-P

6 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC)-Substrat Spezifikation

Grad			Null MPD-ProduktionKlasse (Z Grad)	StandardproduktionKlasse (P Grad)	Dummy-Klasse (D Grad)
Durchmesser			145,5 mm~150,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferorientierung			-OffAchse: 2,0°-4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Spezifischer Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω⁻cm		≤0,3 Ω⁻cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonoberfläche nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat ± 5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bug/Kette			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polieren Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤0,1 %
Polytypbereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Fläche ≤3 %
Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter

Hinweise:

※ Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H/6H-P mit Zero-MPD-Qualität und Produktions- oder Dummy-Qualität wird häufig in fortschrittlichen elektronischen Anwendungen eingesetzt. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagsspannung und Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungen machen ihn ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter und Wechselrichter. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte, was für hochzuverlässige Geräte entscheidend ist. Produktionsqualitäts-Wafer werden in der Großserienfertigung von Leistungsbauelementen und HF-Anwendungen eingesetzt, wo Leistung und Präzision entscheidend sind. Dummy-Qualitäts-Wafer hingegen werden für Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping verwendet und ermöglichen eine konsistente Qualitätskontrolle in der Halbleiterproduktion.

Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Der 4H/6H-P-SiC-Wafer leitet Wärme effizient ab und eignet sich daher für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Seine Fähigkeit, hohe Spannungen ohne Ausfall zu verarbeiten, macht es ideal für Leistungselektronik und Hochspannungsschaltanwendungen.
Null MPD (Mikro-Rohrdefekt)-Grad: Minimale Defektdichte gewährleistet höhere Zuverlässigkeit und Leistung, was für anspruchsvolle elektronische Geräte entscheidend ist.
Produktionsqualität für die Massenfertigung: Geeignet für die Massenproduktion leistungsstarker Halbleiterbauelemente mit strengen Qualitätsstandards.
Dummy-Grade zum Testen und Kalibrieren: Ermöglicht Prozessoptimierung, Gerätetests und Prototyping ohne Verwendung teurer Wafer in Produktionsqualität.

Insgesamt bieten 4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer in Zero-MPD-Qualität, Produktionsqualität und Dummy-Qualität erhebliche Vorteile für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte. Diese Wafer eignen sich besonders für Anwendungen, die Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung erfordern. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte für eine zuverlässige und stabile Geräteleistung, während die Produktionsqualität die Massenproduktion mit strengen Qualitätskontrollen ermöglicht. Dummy-Qualitäts-Wafer bieten eine kostengünstige Lösung für Prozessoptimierung und Gerätekalibrierung und sind daher unverzichtbar für die hochpräzise Halbleiterfertigung.