4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, Null-MPD-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität

4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer Zero MPD-Qualität Produktionsqualität Dummy-Qualität Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H/6H-P ist ein Halbleitermaterial, das in der Herstellung elektronischer Geräte verwendet wird und für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Korrosion bekannt ist. Die Produktionsqualität und die Zero MPD (Micro Pipe Defect)-Qualität gewährleisten seine Zuverlässigkeit und Stabilität in der Hochleistungs-Leistungselektronik. Wafer in Produktionsqualität werden für die Herstellung von Geräten in großem Maßstab mit strenger Qualitätskontrolle verwendet, während Wafer in Dummy-Qualität hauptsächlich für Prozess-Debugging und Gerätetests verwendet werden. Die herausragenden Eigenschaften von SiC ermöglichen eine breite Anwendung in elektronischen Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräten, wie z. B. Leistungsgeräten und HF-Geräten.

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Allgemeine Parametertabelle für SiC-Verbundsubstrate vom Typ 4H/6H-P

6 Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mit Zoll Durchmesser Spezifikation

Grad			Keine MPD-ProduktionKlasse (Z Grad)	StandardproduktionNote (P Grad)	Dummy-Note (D Grad)
Durchmesser			145,5 mm ~ 150,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferausrichtung			-OffAchse: 2,0°-4,0°in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω·cm		≤0,3 Ω·cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime Flat ± 5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polnisch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤0,1 %
Polytype Bereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulierte Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 1×Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Nicht zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter

Hinweise:

※ Die Fehlergrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Fläche o überprüft werden

Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H/6H-P mit Zero MPD-Qualität und Produktions- oder Dummy-Qualität wird häufig in fortschrittlichen elektronischen Anwendungen verwendet. Seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegenüber rauen Umgebungen machen es ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter und Wechselrichter. Die Zero MPD-Klasse sorgt für minimale Fehler, was für hochzuverlässige Geräte von entscheidender Bedeutung ist. Wafer in Produktionsqualität werden in der Großserienfertigung von Leistungsgeräten und HF-Anwendungen verwendet, bei denen Leistung und Präzision von entscheidender Bedeutung sind. Dummy-Wafer hingegen werden für Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping verwendet und ermöglichen eine konsistente Qualitätskontrolle in Halbleiterproduktionsumgebungen.

Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören:

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Der 4H/6H-P SiC-Wafer leitet Wärme effizient ab und eignet sich daher für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Aufgrund seiner Fähigkeit, hohe Spannungen ohne Ausfall zu bewältigen, ist es ideal für Leistungselektronik- und Hochspannungsschaltanwendungen.
Null-MPD-Klasse (Micro Pipe Defect).: Eine minimale Defektdichte gewährleistet eine höhere Zuverlässigkeit und Leistung, was für anspruchsvolle elektronische Geräte von entscheidender Bedeutung ist.
Produktionsqualität für die Massenfertigung: Geeignet für die Massenproduktion von Hochleistungshalbleiterbauelementen mit strengen Qualitätsstandards.
Dummy-Qualität für Tests und Kalibrierung: Ermöglicht Prozessoptimierung, Gerätetests und Prototyping ohne den Einsatz kostenintensiver Wafer in Produktionsqualität.

Insgesamt bieten 4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer mit Zero MPD-Qualität, Produktionsqualität und Dummy-Qualität erhebliche Vorteile für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte. Diese Wafer sind besonders vorteilhaft bei Anwendungen, die einen Hochtemperaturbetrieb, eine hohe Leistungsdichte und eine effiziente Leistungsumwandlung erfordern. Der Zero MPD-Grad gewährleistet minimale Defekte für eine zuverlässige und stabile Geräteleistung, während die Wafer in Produktionsqualität eine Großserienfertigung mit strengen Qualitätskontrollen unterstützen. Dummy-Wafer bieten eine kostengünstige Lösung zur Prozessoptimierung und Gerätekalibrierung und sind daher für die hochpräzise Halbleiterfertigung unverzichtbar.