4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer Null-MPD-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse
Tabelle der gemeinsamen Parameter von SiC-Verbundsubstraten vom Typ 4H/6H-P
6 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC)-Substrat Spezifikation
| Grad | Null MPD-ProduktionKlasse (Z Grad) | StandardproduktionKlasse (P Grad) | Dummy-Klasse (D Grad) | ||
| Durchmesser | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferorientierung | -OffAchse: 2,0°-4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N | ||||
| Mikrorohrdichte | 0 cm-2 | ||||
| Spezifischer Widerstand | p-Typ 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primäre flache Ausrichtung | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Primäre flache Länge | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Länge | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikonseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat ± 5,0° | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bug/Kette | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rauheit | Polieren Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Kantenrisse durch hochintensives Licht | Keiner | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| Sechskantplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤0,1 % | |||
| Polytypbereiche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| Kantensplitter mit hoher Lichtintensität | Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe | 5 zulässig, jeweils ≤1 mm | |||
| Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität | Keiner | ||||
| Verpackung | Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter | ||||
Hinweise:
※ Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Oberfläche überprüft werden.
Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H/6H-P mit Zero-MPD-Qualität und Produktions- oder Dummy-Qualität wird häufig in fortschrittlichen elektronischen Anwendungen eingesetzt. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagsspannung und Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungen machen ihn ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter und Wechselrichter. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte, was für hochzuverlässige Geräte entscheidend ist. Produktionsqualitäts-Wafer werden in der Großserienfertigung von Leistungsbauelementen und HF-Anwendungen eingesetzt, wo Leistung und Präzision entscheidend sind. Dummy-Qualitäts-Wafer hingegen werden für Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping verwendet und ermöglichen eine konsistente Qualitätskontrolle in der Halbleiterproduktion.
Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören
- Hohe Wärmeleitfähigkeit: Der 4H/6H-P-SiC-Wafer leitet Wärme effizient ab und eignet sich daher für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
- Hohe Durchbruchspannung: Seine Fähigkeit, hohe Spannungen ohne Ausfall zu verarbeiten, macht es ideal für Leistungselektronik und Hochspannungsschaltanwendungen.
- Null MPD (Micro Pipe Defect)-Grad: Eine minimale Defektdichte gewährleistet eine höhere Zuverlässigkeit und Leistung, was für anspruchsvolle elektronische Geräte von entscheidender Bedeutung ist.
- Produktionsqualität für die Massenfertigung: Geeignet für die Massenproduktion von Hochleistungshalbleiterbauelementen mit strengen Qualitätsstandards.
- Dummy-Grade zum Testen und Kalibrieren: Ermöglicht Prozessoptimierung, Gerätetests und Prototyping ohne die Verwendung teurer Wafer in Produktionsqualität.
Insgesamt bieten 4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer in Zero-MPD-Qualität, Produktionsqualität und Dummy-Qualität erhebliche Vorteile für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte. Diese Wafer eignen sich besonders für Anwendungen, die Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung erfordern. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte für eine zuverlässige und stabile Geräteleistung, während die Produktionsqualität die Massenproduktion mit strengen Qualitätskontrollen ermöglicht. Dummy-Qualitäts-Wafer bieten eine kostengünstige Lösung für Prozessoptimierung und Gerätekalibrierung und sind daher unverzichtbar für die hochpräzise Halbleiterfertigung.
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