4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, MPD-Null-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
Tabelle der gemeinsamen Parameter für SiC-Verbundsubstrate vom Typ 4H/6H-P
6 Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mit Zoll Durchmesser Spezifikation
| Grad | Null MPD-ProduktionNote (Z Grad) | StandardproduktionNote (P) Grad) | Dummy-Note (D Grad) | ||
| Durchmesser | 145,5 mm bis 150,0 mm | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Wafer-Ausrichtung | -OffAchse: 2,0°–4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N | ||||
| Mikrorohrdichte | 0 cm-2 | ||||
| Widerstand | p-Typ 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primäre flache Ausrichtung | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Primäre Flachlänge | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre Flachlänge | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Siliziumseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der planaren Seite ± 5,0° | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rauheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Kantenrisse durch hochintensives Licht | Keiner | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| Sechseckige Platten durch Hochleistungslicht | Kumulative Fläche ≤0,05% | Kumulative Fläche ≤0,1% | |||
| Polytypbereiche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Fläche ≤ 3 % | |||
| Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulative Fläche ≤0,05% | Kumulative Fläche ≤3% | |||
| Kratzer auf Silikonoberflächen durch hochintensives Licht | Keiner | Gesamtlänge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| Kantenchips mit hoher Lichtintensität | Keine zulässige Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm. | 5 zulässig, jeweils ≤1 mm | |||
| Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität | Keiner | ||||
| Verpackung | Mehrfachwaffelkassette oder Einzelwaffelbehälter | ||||
Anmerkungen:
※ Die Grenzwerte für Defekte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Seite überprüft werden.
Der 4H/6H-P-Typ 6-Zoll-SiC-Wafer mit Zero-MPD-Qualität und Produktions- oder Dummy-Qualität findet breite Anwendung in der modernen Elektronik. Seine exzellente Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegenüber rauen Umgebungsbedingungen machen ihn ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter und Wechselrichter. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte, die für hochzuverlässige Bauelemente entscheidend sind. Produktionswafer werden in der Großserienfertigung von Leistungshalbleitern und HF-Anwendungen eingesetzt, wo Leistung und Präzision von höchster Bedeutung sind. Dummy-Wafer hingegen dienen der Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und dem Prototypenbau und ermöglichen so eine konsistente Qualitätskontrolle in der Halbleiterproduktion.
Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören
- Hohe WärmeleitfähigkeitDer 4H/6H-P SiC-Wafer leitet Wärme effizient ab und eignet sich daher für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
- Hohe DurchschlagsspannungDurch seine Fähigkeit, hohe Spannungen störungsfrei zu verarbeiten, ist es ideal für Leistungselektronik und Hochspannungsschaltanwendungen geeignet.
- Null MPD (Mikro-Rohrfehler) GüteklasseEine minimale Defektdichte gewährleistet höhere Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit, was für anspruchsvolle elektronische Geräte von entscheidender Bedeutung ist.
- Produktionsqualität für die MassenfertigungGeeignet für die großtechnische Produktion von Hochleistungshalbleiterbauelementen mit strengen Qualitätsstandards.
- Dummy-Qualität für Test- und Kalibrierungszwecke: Ermöglicht Prozessoptimierung, Gerätetests und Prototyping ohne Verwendung teurer Produktionswafer.
Insgesamt bieten 4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer in den Qualitätsstufen Zero MPD, Produktionsqualität und Dummy-Qualität erhebliche Vorteile für die Entwicklung von Hochleistungselektronik. Diese Wafer eignen sich besonders für Anwendungen, die Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung erfordern. Die Zero-MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte für einen zuverlässigen und stabilen Gerätebetrieb, während Wafer in Produktionsqualität die Massenfertigung mit strengen Qualitätskontrollen unterstützen. Dummy-Wafer bieten eine kostengünstige Lösung für die Prozessoptimierung und Gerätekalibrierung und sind daher für die hochpräzise Halbleiterfertigung unverzichtbar.
Detailliertes Diagramm
