4H-N 4 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Produktions-Dummy Forschungsqualität

Kurze Beschreibung:

Der 4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer ist ein Hochleistungsmaterial mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften. Er besteht aus hochreinem Siliziumkarbid-Einkristallmaterial mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Stabilität und hoher Temperaturbeständigkeit. Dank seines hochpräzisen Herstellungsprozesses und der hochwertigen Materialien zählt dieser Chip zu den bevorzugten Materialien für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte in vielen Bereichen.

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Anwendungen

4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer spielen in vielen Bereichen eine wichtige Rolle. Sie werden in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung von Hochleistungselektronikbauelementen wie Leistungstransistoren, integrierten Schaltkreisen und Leistungsmodulen eingesetzt. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und Temperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung und sorgen für höhere Effizienz und Zuverlässigkeit. Siliziumkarbid-Wafer werden auch in der Forschung zur Erforschung neuer Materialien und Bauelemente eingesetzt. Darüber hinaus finden Siliziumkarbid-Wafer breite Anwendung in der Optoelektronik, beispielsweise bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.

Die Spezifikationen des 4-Zoll-SiC-Wafers

4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer mit einem Durchmesser von 4 Zoll (ca. 101,6 mm), einer Oberflächengüte von bis zu Ra < 0,5 nm und einer Dicke von 600 ± 25 μm. Die Leitfähigkeit des Wafers ist N-Typ oder P-Typ und kann kundenspezifisch angepasst werden. Darüber hinaus verfügt der Chip über eine ausgezeichnete mechanische Stabilität und hält einem gewissen Druck und Vibrationen stand.

1,25-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer sind ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiter-, Forschungs- und Optoelektronikbranche weit verbreitet ist. Es zeichnet sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und hohe Temperaturbeständigkeit aus und eignet sich daher für die Herstellung von Hochleistungselektronikgeräten und die Erforschung neuer Materialien. Wir bieten eine Vielzahl von Spezifikationen und Anpassungsmöglichkeiten, um den unterschiedlichen Kundenanforderungen gerecht zu werden. Weitere Produktinformationen zu Siliziumkarbid-Wafern finden Sie auf unserer unabhängigen Website.

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