4H-N 4-Zoll-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-Produktionsdummy Forschungsqualität

4H-N 4-Zoll-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-Produktionsattrappe Forschungsqualität Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Der 4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer ist ein Hochleistungsmaterial mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften. Es besteht aus hochreinem Siliziumkarbid-Einkristallmaterial mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Stabilität und hoher Temperaturbeständigkeit. Dank seines hochpräzisen Herstellungsprozesses und der hochwertigen Materialien ist dieser Chip in vielen Bereichen eines der bevorzugten Materialien für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte.

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Anwendungen

4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer spielen in vielen Bereichen eine wichtige Rolle. Erstens wird es in der Halbleiterindustrie häufig bei der Herstellung von elektronischen Hochleistungsgeräten wie Leistungstransistoren, integrierten Schaltkreisen und Leistungsmodulen verwendet. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung und sorgen für eine höhere Arbeitseffizienz und Zuverlässigkeit. Zweitens werden Siliziumkarbid-Wafer auch im Forschungsbereich eingesetzt, um an neuen Materialien und Geräten zu forschen. Darüber hinaus werden Siliziumkarbid-Wafer auch häufig in der Optoelektronik eingesetzt, beispielsweise bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.

Die Spezifikationen des 4-Zoll-SiC-Wafers

4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer-Durchmesser von 4 Zoll (ca. 101,6 mm), Oberflächenbeschaffenheit bis zu Ra < 0,5 nm, Dicke von 600 ± 25 μm. Die Leitfähigkeit des Wafers ist N-Typ oder P-Typ und kann je nach Kundenwunsch angepasst werden. Darüber hinaus weist der Chip auch eine hervorragende mechanische Stabilität auf und hält einem gewissen Druck und Vibrationen stand.

Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer ist ein Hochleistungsmaterial, das in den Bereichen Halbleiter, Forschung und Optoelektronik weit verbreitet ist. Es verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und hohe Temperaturbeständigkeit und eignet sich für die Herstellung elektronischer Hochleistungsgeräte und die Erforschung neuer Materialien. Wir bieten eine Vielzahl von Spezifikationen und Anpassungsoptionen, um den unterschiedlichen Kundenanforderungen gerecht zu werden. Bitte besuchen Sie unsere unabhängige Website, um mehr über die Produktinformationen zu Siliziumkarbid-Wafern zu erfahren.

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