4H-N 4-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid, Produktionsdummy, Forschungsqualität

Kurzbeschreibung:

Der 4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer ist ein Hochleistungsmaterial mit herausragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften. Er besteht aus hochreinem Siliziumkarbid-Einkristallmaterial mit exzellenter Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Stabilität und hoher Temperaturbeständigkeit. Dank seines hochpräzisen Herstellungsverfahrens und der Verwendung hochwertiger Materialien zählt dieser Chip zu den bevorzugten Materialien für die Fertigung von Hochleistungselektronik in vielen Anwendungsbereichen.

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Merkmale

Anwendungen

4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer spielen in vielen Bereichen eine wichtige Rolle. Erstens werden sie in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Hochleistungselektronikbauteilen wie Leistungstransistoren, integrierten Schaltungen und Leistungsmodulen eingesetzt. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und Temperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung und sorgen für höhere Effizienz und Zuverlässigkeit. Zweitens werden Siliziumkarbid-Wafer auch in der Forschung zur Entwicklung neuer Materialien und Bauelemente verwendet. Darüber hinaus finden sie breite Anwendung in der Optoelektronik, beispielsweise bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.

Die Spezifikationen des 4-Zoll-SiC-Wafers

Das Substrat besteht aus einem 4-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallwafer mit einem Durchmesser von 4 Zoll (ca. 101,6 mm), einer Oberflächenrauheit von bis zu Ra < 0,5 nm und einer Dicke von 600 ± 25 μm. Die Leitfähigkeit des Wafers ist N- oder P-leitend und kann kundenspezifisch angepasst werden. Darüber hinaus zeichnet sich der Chip durch eine ausgezeichnete mechanische Stabilität aus und ist beständig gegen Druck und Vibrationen.

Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer sind ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiterindustrie, der Forschung und der Optoelektronik weit verbreitet ist. Sie zeichnen sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und hohe Temperaturbeständigkeit aus und eignen sich daher für die Herstellung von Hochleistungselektronikbauteilen und die Erforschung neuer Materialien. Wir bieten eine Vielzahl von Spezifikationen und kundenspezifischen Anpassungsmöglichkeiten, um den unterschiedlichen Bedürfnissen unserer Kunden gerecht zu werden. Besuchen Sie unsere Website, um mehr über unsere Siliziumkarbid-Wafer zu erfahren.

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