4 Zoll Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Anwendungen
● Wachstumssubstrat für III-V- und II-VI-Verbindungen.
● Elektronik und Optoelektronik.
● IR-Anwendungen.
● Integrierter Silizium-auf-Saphir-Schaltkreis (SOS).
● Integrierter Hochfrequenzschaltkreis (RFIC).
Bei der LED-Produktion werden Saphir-Wafer als Substrat für das Wachstum von Galliumnitrid-Kristallen (GaN) verwendet, die bei Anlegen eines elektrischen Stroms Licht emittieren. Saphir ist ein ideales Substratmaterial für das GaN-Wachstum, da es eine ähnliche Kristallstruktur und einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie GaN aufweist, was Defekte minimiert und die Kristallqualität verbessert.
In der Optik werden Saphir-Wafer aufgrund ihrer hohen Transparenz und Härte als Fenster und Linsen in Hochdruck- und Hochtemperaturumgebungen sowie in Infrarot-Bildgebungssystemen verwendet.
Spezifikation
Artikel | 4-Zoll-C-Plane(0001) 650-μm-Saphir-Wafer | |
Kristallmaterialien | 99,999 %, hochreines, monokristallines Al2O3 | |
Grad | Prime, Epi-Ready | |
Oberflächenorientierung | C-Ebene (0001) | |
C-Ebenen-Off-Winkel zur M-Achse 0,2 +/- 0,1° | ||
Durchmesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Dicke | 650 μm +/- 25 μm | |
Primäre flache Ausrichtung | A-Ebene (11-20) +/- 0,2° | |
Primäre flache Länge | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Einseitig poliert | Vorderseite | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (mittels AFM) |
(SSP) | Rückseite | Feingeschliffen, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
Doppelseitig poliert | Vorderseite | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (mittels AFM) |
(DSP) | Rückseite | Epipoliert, Ra < 0,2 nm (mittels AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOGEN | < 20 μm | |
KETTE | < 20 μm | |
Reinigung / Verpackung | Reinraumreinigung Klasse 100 und Vakuumverpackung, | |
25 Stück in einer Kassettenverpackung oder Einzelstückverpackung. |
Verpackung & Versand
Im Allgemeinen liefern wir die Verpackung in Kassettenboxen mit je 25 Stück. Je nach Kundenwunsch können wir die Verpackung auch in einzelnen Waferbehältern in einem Reinraum der Güteklasse 100 vornehmen.
Detailliertes Diagramm

