4 Zoll Saphirwafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Anwendungen
● Wachstumssubstrat für III-V- und II-VI-Verbindungen.
● Elektronik und Optoelektronik.
● IR-Anwendungen.
● Integrierte Silizium-auf-Saphir-Schaltung (SOS).
● Integrierte Hochfrequenzschaltung (RFIC).
Bei der LED-Produktion werden Saphirwafer als Substrat für die Züchtung von Galliumnitrid-Kristallen (GaN) verwendet, die bei Anlegen eines elektrischen Stroms Licht emittieren. Saphir ist ein ideales Substratmaterial für das GaN-Wachstum, da es eine ähnliche Kristallstruktur und einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie GaN aufweist, wodurch Defekte minimiert und die Kristallqualität verbessert werden.
In der Optik werden Saphirwafer aufgrund ihrer hohen Transparenz und Härte als Fenster und Linsen in Hochdruck- und Hochtemperaturumgebungen sowie in Infrarot-Bildgebungssystemen eingesetzt.
Spezifikation
Artikel | 4-Zoll-C-Plane(0001) 650μm Saphirwafer | |
Kristallmaterialien | 99,999 %, hochreines, monokristallines Al2O3 | |
Grad | Prime, Epi-Ready | |
Oberflächenorientierung | C-Ebene(0001) | |
Abweichungswinkel der C-Ebene zur M-Achse 0,2 +/- 0,1° | ||
Durchmesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Dicke | 650 μm +/- 25 μm | |
Primäre flache Ausrichtung | A-Ebene (11-20) +/- 0,2° | |
Primäre flache Länge | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Einseitig poliert | Vorderfläche | Epi-poliert, Ra < 0,2 nm (von AFM) |
(SSP) | Rückseite | Feingeschliffen, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
Doppelseitig poliert | Vorderfläche | Epi-poliert, Ra < 0,2 nm (von AFM) |
(DSP) | Rückseite | Epi-poliert, Ra < 0,2 nm (von AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOGEN | < 20 μm | |
KETTE | < 20 μm | |
Reinigung / Verpackung | Reinraumreinigung und Vakuumverpackung der Klasse 100, | |
25 Stück in einer Kassettenverpackung oder Einzelstückverpackung. |
Verpackung & Versand
Im Allgemeinen liefern wir das Paket in einer 25-teiligen Kassettenbox. Je nach Kundenwunsch können wir auch einzelne Waferbehälter in einem 100-Grad-Reinigungsraum verpacken.