3-Zoll-SiC-Substrat-Produktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N

Die Hauptmerkmale von 3-Zoll-Siliziumkarbid-MOSFET-Wafern sind wie folgt:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenbeweglichkeit und hohe elektrische Durchbruchfeldstärke auszeichnet. Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer zu hervorragenden Materialien für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Insbesondere der 4H-SiC-Polytyp bietet aufgrund seiner Kristallstruktur eine hervorragende elektronische Leistung und ist daher das Material der Wahl für leistungselektronische Geräte.

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer ist ein stickstoffdotierter Wafer mit N-Typ-Leitfähigkeit. Dieses Dotierungsverfahren verleiht dem Wafer eine höhere Elektronenkonzentration und verbessert so die Leitfähigkeit des Geräts. Die Wafergröße von 3 Zoll (76,2 mm Durchmesser) ist eine in der Halbleiterindustrie häufig verwendete Abmessung und eignet sich für verschiedene Herstellungsverfahren.

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer wird im PVT-Verfahren (Physical Vapor Transport) hergestellt. Bei diesem Verfahren wird SiC-Pulver bei hohen Temperaturen in Einkristalle umgewandelt, wodurch die Kristallqualität und Gleichmäßigkeit des Wafers gewährleistet wird. Die Waferdicke beträgt typischerweise etwa 0,35 mm, und ihre Oberfläche wird beidseitig poliert, um eine extrem hohe Ebenheit und Glätte zu erreichen, die für nachfolgende Halbleiterherstellungsprozesse entscheidend ist.

Das Anwendungsspektrum des 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafers ist vielfältig und umfasst Hochleistungselektronikgeräte, Hochtemperatursensoren, HF-Geräte und optoelektronische Geräte. Seine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit ermöglichen einen stabilen Betrieb dieser Geräte unter extremen Bedingungen und erfüllen so die Nachfrage nach Hochleistungshalbleitermaterialien in der modernen Elektronikindustrie.

Wir bieten 4H-N 3-Zoll-SiC-Substrate und verschiedene Substrat-Lagerwafer an. Wir können auch individuelle Anpassungen nach Ihren Wünschen vornehmen. Willkommen bei der Anfrage!