3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N

Kurzbeschreibung:

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer ist ein fortschrittliches Halbleitermaterial, das speziell für leistungsstarke elektronische und optoelektronische Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Wafer ist für seine außergewöhnlichen physikalischen und elektrischen Eigenschaften bekannt und eines der wesentlichen Materialien im Bereich der Leistungselektronik .

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Die Hauptmerkmale von 3-Zoll-Siliziumkarbid-Mosfet-Wafern sind wie folgt:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenmobilität und eine hohe elektrische Durchbruchfeldstärke auszeichnet. Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer hervorragend für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Insbesondere beim 4H-SiC-Polytyp sorgt seine Kristallstruktur für eine hervorragende elektronische Leistung und macht es zum Material der Wahl für leistungselektronische Geräte.

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer ist ein stickstoffdotierter Wafer mit N-Leitfähigkeit. Diese Dotierungsmethode verleiht dem Wafer eine höhere Elektronenkonzentration und verbessert dadurch die Leitfähigkeit des Geräts. Die Größe des Wafers ist mit 3 Zoll (Durchmesser 76,2 mm) eine häufig verwendete Abmessung in der Halbleiterindustrie und eignet sich für verschiedene Herstellungsprozesse.

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer wird mithilfe der PVT-Methode (Physical Vapour Transport) hergestellt. Bei diesem Prozess wird SiC-Pulver bei hohen Temperaturen in Einkristalle umgewandelt, um die Kristallqualität und Gleichmäßigkeit des Wafers sicherzustellen. Darüber hinaus beträgt die Dicke des Wafers typischerweise etwa 0,35 mm und seine Oberfläche wird beidseitig poliert, um ein extrem hohes Maß an Ebenheit und Glätte zu erreichen, was für nachfolgende Halbleiterfertigungsprozesse von entscheidender Bedeutung ist.

Der Anwendungsbereich des 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafers ist umfangreich und umfasst elektronische Hochleistungsgeräte, Hochtemperatursensoren, HF-Geräte und optoelektronische Geräte. Dank ihrer hervorragenden Leistung und Zuverlässigkeit können diese Geräte auch unter extremen Bedingungen stabil arbeiten und so den Bedarf an Hochleistungshalbleitermaterialien in der modernen Elektronikindustrie decken.

Wir können 4H-N 3-Zoll-SiC-Substrat und verschiedene Qualitäten von Substratwafern liefern. Wir können auch eine Anpassung entsprechend Ihren Bedürfnissen arrangieren. Willkommene Anfrage!