3-Zoll-SiC-Substrat-Produktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
Die Hauptmerkmale von 3-Zoll-Siliziumkarbid-MOSFET-Wafern sind wie folgt:
Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und zeichnet sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenbeweglichkeit und hohe Durchbruchfeldstärke aus. Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer zu hervorragenden Materialien für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Insbesondere beim 4H-SiC-Polytyp bietet seine Kristallstruktur eine hervorragende elektronische Leistung und ist daher das Material der Wahl für leistungselektronische Geräte.
Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer ist ein stickstoffdotierter Wafer mit N-Typ-Leitfähigkeit. Dieses Dotierungsverfahren verleiht dem Wafer eine höhere Elektronenkonzentration und verbessert dadurch die Leitfähigkeit des Bauelements. Die Wafergröße von 3 Zoll (76,2 mm Durchmesser) ist eine in der Halbleiterindustrie gängige Größe und eignet sich für verschiedene Herstellungsverfahren.
Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer wird im PVT-Verfahren (Physical Vapor Transport) hergestellt. Bei diesem Verfahren wird SiC-Pulver bei hohen Temperaturen in Einkristalle umgewandelt, wodurch die Kristallqualität und Gleichmäßigkeit des Wafers gewährleistet wird. Die Waferdicke beträgt typischerweise etwa 0,35 mm. Die Oberfläche wird beidseitig poliert, um eine extrem hohe Ebenheit und Glätte zu erreichen, die für nachfolgende Halbleiterherstellungsprozesse entscheidend ist.
Das Anwendungsspektrum des 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafers ist vielfältig und umfasst Hochleistungselektronik, Hochtemperatursensoren, HF-Geräte und optoelektronische Bauelemente. Seine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit ermöglichen einen stabilen Betrieb dieser Geräte unter extremen Bedingungen und erfüllen so den Bedarf an Hochleistungshalbleitermaterialien in der modernen Elektronikindustrie.
Wir bieten 4H-N 3-Zoll-SiC-Substrate und verschiedene Substrat-Rohwafer an. Gerne fertigen wir auch individuelle Lösungen nach Ihren Wünschen an. Anfragen sind willkommen!
Detailliertes Diagramm
