3 Zoll hochreiner, halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, erstklassige Qualität

Kurzbeschreibung:

Der HPSI-SiC-Wafer (High-Purity Silicon Carbide) mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 350 µm ± 25 µm wurde für modernste Leistungselektronikanwendungen entwickelt. SiC-Wafer sind bekannt für ihre außergewöhnlichen Materialeigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Spannungsbeständigkeit und minimale Energieverluste, die sie zu einer bevorzugten Wahl für Leistungshalbleiterbauelemente machen. Diese Wafer sind für extreme Bedingungen ausgelegt und bieten eine verbesserte Leistung in Hochfrequenz-, Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen, während sie gleichzeitig eine höhere Energieeffizienz und Haltbarkeit gewährleisten.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetails

Produkt-Tags

Anwendung

HPSI-SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von Leistungsgeräten der nächsten Generation, die in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen eingesetzt werden:
Leistungsumwandlungssysteme: SiC-Wafer dienen als Kernmaterial für Leistungsgeräte wie Leistungs-MOSFETs, Dioden und IGBTs, die für eine effiziente Leistungsumwandlung in elektrischen Schaltkreisen von entscheidender Bedeutung sind. Diese Komponenten finden sich in hocheffizienten Netzteilen, Motorantrieben und Industriewechselrichtern.

Elektrofahrzeuge (EVs):Die wachsende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen erfordert den Einsatz effizienterer Leistungselektronik, und SiC-Wafer stehen an der Spitze dieser Transformation. In Elektroantriebssträngen sorgen diese Wafer für einen hohen Wirkungsgrad und schnelle Schaltfähigkeiten, was zu schnelleren Ladezeiten, einer größeren Reichweite und einer verbesserten Gesamtleistung des Fahrzeugs beiträgt.

Erneuerbare Energie:In erneuerbaren Energiesystemen wie Solar- und Windenergie werden SiC-Wafer in Wechselrichtern und Konvertern verwendet, die eine effizientere Energiegewinnung und -verteilung ermöglichen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die überlegene Durchbruchspannung von SiC sorgen dafür, dass diese Systeme auch unter extremen Umgebungsbedingungen zuverlässig funktionieren.

Industrielle Automatisierung und Robotik:Hochleistungs-Leistungselektronik in industriellen Automatisierungssystemen und der Robotik erfordert Geräte, die schnell schalten, große Leistungslasten bewältigen und unter hoher Belastung arbeiten können. SiC-basierte Halbleiter erfüllen diese Anforderungen, indem sie selbst in rauen Betriebsumgebungen eine höhere Effizienz und Robustheit bieten.

Telekommunikationssysteme:In der Telekommunikationsinfrastruktur, wo hohe Zuverlässigkeit und effiziente Energieumwandlung von entscheidender Bedeutung sind, werden SiC-Wafer in Netzteilen und DC-DC-Wandlern verwendet. SiC-Geräte tragen dazu bei, den Energieverbrauch zu senken und die Systemleistung in Rechenzentren und Kommunikationsnetzwerken zu verbessern.

Durch die Bereitstellung einer robusten Grundlage für Hochleistungsanwendungen ermöglicht der HPSI-SiC-Wafer die Entwicklung energieeffizienter Geräte und hilft der Industrie beim Übergang zu umweltfreundlicheren, nachhaltigeren Lösungen.

Eigenschaften

Betrieb	Produktionsqualität	Forschungsgrad	Dummy-Note
Durchmesser	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Dicke	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Waferausrichtung	Auf der Achse: <0001> ± 0,5°	Auf der Achse: <0001> ± 2,0°	Auf der Achse: <0001> ± 2,0°
Mikrorohrdichte für 95 % der Wafer (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Elektrischer Widerstand	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dotierstoff	Undotiert	Undotiert	Undotiert
Primäre flache Ausrichtung	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Primäre flache Länge	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Sekundäre flache Länge	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung	Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5,0°	Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5,0°	Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5,0°
Kantenausschluss	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Oberflächenrauheit	C-Fläche: Poliert, Si-Fläche: CMP	C-Fläche: Poliert, Si-Fläche: CMP	C-Fläche: Poliert, Si-Fläche: CMP
Risse (überprüft mit hochintensivem Licht)	Keiner	Keiner	Keiner
Sechskantplatten (überprüft mit hochintensivem Licht)	Keiner	Keiner	Kumulierte Fläche 10 %
Polytype-Bereiche (überprüft mit hochintensivem Licht)	Kumulierte Fläche 5 %	Kumulierte Fläche 5 %	Kumulierte Fläche 10 %
Kratzer (überprüft mit hochintensivem Licht)	≤ 5 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 150 mm	≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 mm	≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 mm
Kantenabplatzer	Nicht zulässig ≥ 0,5 mm Breite und Tiefe	2 zulässig, ≤ 1 mm Breite und Tiefe	5 zulässig, ≤ 5 mm Breite und Tiefe
Oberflächenverunreinigung (überprüft durch hochintensives Licht)	Keiner	Keiner	Keiner

Hauptvorteile

Überragende Wärmeleistung: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC sorgt für eine effiziente Wärmeableitung in Leistungsgeräten und ermöglicht den Betrieb bei höheren Leistungsniveaus und Frequenzen ohne Überhitzung. Dies führt zu kleineren, effizienteren Systemen und einer längeren Betriebslebensdauer.

Hohe Durchbruchspannung: Mit einer größeren Bandlücke im Vergleich zu Silizium unterstützen SiC-Wafer Hochspannungsanwendungen und eignen sich daher ideal für leistungselektronische Komponenten, die hohen Durchbruchspannungen standhalten müssen, beispielsweise in Elektrofahrzeugen, Stromnetzen und Systemen für erneuerbare Energien.

Reduzierter Leistungsverlust: Der niedrige Einschaltwiderstand und die schnellen Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Geräten führen zu einem geringeren Energieverlust während des Betriebs. Dies verbessert nicht nur die Effizienz, sondern steigert auch die Gesamtenergieeinsparungen der Systeme, in denen sie eingesetzt werden.
Erhöhte Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen: Die robusten Materialeigenschaften von SiC ermöglichen den Einsatz unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen (bis zu 600 °C), hohen Spannungen und hohen Frequenzen. Dadurch eignen sich SiC-Wafer für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Energieanwendungen.

Energieeffizienz: SiC-Geräte bieten eine höhere Leistungsdichte als herkömmliche Geräte auf Siliziumbasis, reduzieren Größe und Gewicht leistungselektronischer Systeme und verbessern gleichzeitig deren Gesamteffizienz. Dies führt zu Kosteneinsparungen und einem geringeren ökologischen Fußabdruck bei Anwendungen wie erneuerbaren Energien und Elektrofahrzeugen.

Skalierbarkeit: Der 3-Zoll-Durchmesser und die präzisen Fertigungstoleranzen des HPSI-SiC-Wafers stellen sicher, dass er für die Massenproduktion skalierbar ist und sowohl Forschungs- als auch kommerzielle Fertigungsanforderungen erfüllt.

Abschluss

Der HPSI-SiC-Wafer ist mit seinem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 350 µm ± 25 µm das optimale Material für die nächste Generation leistungsstarker leistungselektronischer Geräte. Seine einzigartige Kombination aus Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung, geringem Energieverlust und Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen macht es zu einer wesentlichen Komponente für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Energieumwandlung, erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Industriesysteme und Telekommunikation.

Dieser SiC-Wafer eignet sich besonders für Branchen, die eine höhere Effizienz, größere Energieeinsparungen und eine verbesserte Systemzuverlässigkeit anstreben. Während sich die Leistungselektroniktechnologie weiterentwickelt, bildet der HPSI-SiC-Wafer die Grundlage für die Entwicklung energieeffizienter Lösungen der nächsten Generation und treibt den Übergang zu einer nachhaltigeren, kohlenstoffärmeren Zukunft voran.