2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer Typ 6H-N, erstklassige Qualität, Forschungsqualität, Dummy-Qualität, 330 μm 430 μm Dicke

Kurze Beschreibung:

Es gibt viele verschiedene Polymorphe von Siliziumkarbid, und 6H-Siliziumkarbid ist eine von fast 200. 6H-Siliziumkarbid ist die mit Abstand am häufigsten vorkommende Modifikation von Siliziumkarbiden für kommerzielle Zwecke. 6H-Siliziumkarbid-Wafer sind von größter Bedeutung. Sie können als Halbleiter verwendet werden. Aufgrund seiner Haltbarkeit und der niedrigen Materialkosten wird es häufig in Schleif- und Schneidwerkzeugen wie Trennscheiben eingesetzt. Es wird in modernen Verbundkörperpanzerungen und kugelsicheren Westen verwendet. Es wird auch in der Automobilindustrie zur Herstellung von Bremsscheiben eingesetzt. In großen Gießereien wird es zum Aufbewahren von schmelzenden Metallen in Tiegeln verwendet. Seine Verwendung in elektrischen und elektronischen Anwendungen ist so bekannt, dass es keiner Diskussion bedarf. Darüber hinaus wird es in Leistungselektronikgeräten, LEDs, der Astronomie, der Dünnfilamentpyrometrie, Schmuck, der Graphen- und Stahlproduktion sowie als Katalysator verwendet. Wir bieten 6H-Siliziumkarbid-Wafer mit herausragender Qualität und erstaunlichen 99,99 % an.

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Merkmale

Die Eigenschaften von Siliziumkarbid-Wafern sind:

1. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) haben hervorragende elektrische und thermische Eigenschaften. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) haben eine geringe Wärmeausdehnung.

2. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen hervorragende Härteeigenschaften auf. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen bei hohen Temperaturen eine gute Leistung auf.

3. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen eine hohe Beständigkeit gegen Korrosion, Erosion und Oxidation auf. Darüber hinaus glänzen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) auch stärker als Diamanten oder Zirkonia.

4. Bessere Strahlungsbeständigkeit: SIC-Wafer haben eine höhere Strahlungsbeständigkeit und eignen sich daher für den Einsatz in Strahlungsumgebungen. Beispiele hierfür sind Raumfahrzeuge und Nuklearanlagen.
5. Höhere Härte: SIC-Wafer sind härter als Silizium, was die Haltbarkeit der Wafer während der Verarbeitung erhöht.

6. Niedrigere Dielektrizitätskonstante: Die Dielektrizitätskonstante von SIC-Wafern ist niedriger als die von Silizium, was dazu beiträgt, die parasitäre Kapazität im Gerät zu reduzieren und die Hochfrequenzleistung zu verbessern.

Siliziumkarbid-Wafer haben mehrere Anwendungen

SiC wird zur Herstellung von Hochspannungs- und Hochleistungsbauelementen wie Dioden, Leistungstransistoren und Hochleistungsmikrowellenbauelementen verwendet. Im Vergleich zu herkömmlichen Si-Bauelementen zeichnen sich SiC-basierte Leistungsbauelemente durch höhere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Spannungen, geringere parasitäre Widerstände, geringere Abmessungen und aufgrund der hohen Temperaturbeständigkeit durch einen geringeren Kühlbedarf aus.
Während Siliziumkarbid (SiC-6H) – 6H-Wafer über bessere elektronische Eigenschaften verfügen, sind Siliziumkarbid (SiC-6H) – 6H-Wafer am einfachsten herzustellen und am besten zu untersuchen.
1. Leistungselektronik: Siliziumkarbid-Wafer werden zur Herstellung von Leistungselektronik verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommt, darunter Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Industrieanlagen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
2. LED-Beleuchtung: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von LED-Beleuchtung verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Herstellung von LEDs, die haltbarer und langlebiger sind als herkömmliche Lichtquellen.
3. Halbleiterbauelemente: Siliziumkarbid-Wafer werden zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter Telekommunikation, Computertechnik und Unterhaltungselektronik. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
4. Solarzellen: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von Solarzellen verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Herstellung von Solarzellen, die haltbarer und langlebiger sind als herkömmliche Solarzellen.
Insgesamt ist der ZMSH-Siliziumkarbid-Wafer ein vielseitiges und hochwertiges Produkt für ein breites Anwendungsspektrum. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, der geringe Leistungsverlust und die hohe Festigkeit machen ihn zum idealen Material für Hochtemperatur- und Hochleistungselektronikgeräte. Mit einer Krümmung von ≤ 50 µm, einer Oberflächenrauheit von ≤ 1,2 nm und einem hohen/niedrigen spezifischen Widerstand ist der Siliziumkarbid-Wafer eine zuverlässige und effiziente Wahl für alle Anwendungen, die eine ebene und glatte Oberfläche erfordern.
Unser SiC-Substratprodukt wird mit umfassendem technischen Support und Serviceleistungen geliefert, um optimale Leistung und Kundenzufriedenheit sicherzustellen.
Unser Expertenteam steht Ihnen bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung zur Seite.
Wir bieten Schulungen und Weiterbildungen zur Verwendung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden dabei zu helfen, den größtmöglichen Nutzen aus ihrer Investition zu ziehen.
Darüber hinaus bieten wir fortlaufende Produktaktualisierungen und -verbesserungen an, um sicherzustellen, dass unsere Kunden immer Zugriff auf die neueste Technologie haben.

Detailliertes Diagramm

Vorherige: 2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität

Nächste: 2 Zoll 6H-N Siliziumkarbidsubstrat Sic Wafer doppelt poliert leitfähig Prime Grade Mos Grade