2-Zoll-Siliziumkarbidwafer 6H-N-Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330 μm 430 μm Dicke

Kurzbeschreibung:

Es gibt viele verschiedene Polymorphe von Siliziumkarbid und 6H-Siliziumkarbid ist eines von fast 200 Polymorphen. 6H-Siliziumkarbid ist bei weitem die am häufigsten vorkommende Modifikation von Siliziumkarbiden für kommerzielle Zwecke. 6H-Siliziumkarbid-Wafer sind von größter Bedeutung. Sie können als Halbleiter verwendet werden. Aufgrund seiner Haltbarkeit und geringen Materialkosten wird es häufig in Schleif- und Schneidwerkzeugen wie Trennscheiben verwendet. Es wird in modernen Verbundkörperpanzerungen und kugelsicheren Westen verwendet. Auch in der Automobilindustrie wird es zur Herstellung von Bremsscheiben eingesetzt. In großen Gießereianwendungen wird es zum Halten schmelzender Metalle in Tiegeln verwendet. Seine Verwendung in elektrischen und elektronischen Anwendungen ist so bekannt, dass es keiner Debatte bedarf. Darüber hinaus wird es in leistungselektronischen Geräten, LEDs, in der Astronomie, in der Dünnfadenpyrometrie, in der Schmuck-, Graphen- und Stahlproduktion sowie als Katalysator eingesetzt. Wir bieten 6H-Siliziumkarbid-Wafer mit herausragender Qualität und atemberaubenden 99,99 %.

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Produktdetails

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Im Folgenden sind die Eigenschaften von Siliziumkarbid-Wafern aufgeführt:

1. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer haben hervorragende elektrische Eigenschaften und hervorragende thermische Eigenschaften. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer weisen eine geringe Wärmeausdehnung auf.

2. Der Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) weist hervorragende Härteeigenschaften auf. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) funktionieren bei hohen Temperaturen gut.

3. Siliziumkarbid (SiC)-Wafer weisen eine hohe Beständigkeit gegen Korrosion, Erosion und Oxidation auf. Darüber hinaus ist der Siliziumkarbid-Wafer (SiC) auch glänzender als Diamanten oder Zirkonia.

4. Bessere Strahlungsbeständigkeit: SIC-Wafer haben eine höhere Strahlungsbeständigkeit und eignen sich daher für den Einsatz in Strahlungsumgebungen. Beispiele hierfür sind Raumfahrzeuge und Nuklearanlagen.
5.Höhere Härte: SIC-Wafer sind härter als Silizium, was die Haltbarkeit der Wafer während der Verarbeitung erhöht.

6. Niedrigere Dielektrizitätskonstante: Die Dielektrizitätskonstante von SIC-Wafern ist niedriger als die von Silizium, was dazu beiträgt, die parasitäre Kapazität im Gerät zu reduzieren und die Hochfrequenzleistung zu verbessern.

Siliziumkarbidwafer haben mehrere Anwendungen

SiC wird für die Herstellung von Hochspannungs- und Hochleistungsgeräten wie Dioden, Leistungstransistoren und Hochleistungs-Mikrowellengeräten verwendet. Im Vergleich zu herkömmlichen Si-Geräten verfügen SiC-basierte Leistungsgeräte über eine schnellere Schaltgeschwindigkeit, höhere Spannungen, geringere parasitäre Widerstände, eine geringere Größe und einen geringeren Kühlungsbedarf aufgrund der Hochtemperaturfähigkeit.
Während Siliziumkarbid (SiC-6H) – 6H-Wafer überlegene elektronische Eigenschaften aufweist, ist Siliziumkarbid (SiC-6H) – 6H-Wafer am einfachsten herzustellen und am besten zu untersuchen.
1.Leistungselektronik: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von Leistungselektronik verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt wird, darunter Elektrofahrzeuge, Systeme für erneuerbare Energien und Industrieanlagen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
2.LED-Beleuchtung: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von LED-Beleuchtung verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Herstellung von LEDs, die langlebiger und langlebiger sind als herkömmliche Lichtquellen.
3. Halbleiterbauelemente: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter Telekommunikation, Computer und Unterhaltungselektronik. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
4.Solarzellen: Siliziumkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von Solarzellen verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Herstellung von Solarzellen, die haltbarer und langlebiger sind als herkömmliche Solarzellen.
Insgesamt ist der ZMSH-Siliziumkarbid-Wafer ein vielseitiges und hochwertiges Produkt, das in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden kann. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, sein geringer Leistungsverlust und seine hohe Festigkeit machen es zu einem idealen Material für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräte. Mit einer Krümmung/Krümmung von ≤50 µm, einer Oberflächenrauheit von ≤1,2 nm und einem hohen/niedrigen spezifischen Widerstand ist der Siliziumkarbid-Wafer eine zuverlässige und effiziente Wahl für jede Anwendung, die eine flache und glatte Oberfläche erfordert.
Unser SiC-Substratprodukt umfasst umfassenden technischen Support und Service, um optimale Leistung und Kundenzufriedenheit zu gewährleisten.
Unser Expertenteam steht Ihnen bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung zur Seite.
Wir bieten Schulungen und Schulungen zur Verwendung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden zu helfen, ihre Investition zu maximieren.
Darüber hinaus bieten wir fortlaufende Produktaktualisierungen und -verbesserungen an, um sicherzustellen, dass unsere Kunden immer Zugriff auf die neueste Technologie haben.