2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat, 6H-N, beidseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität

1. Bessere Strahlungsbeständigkeit: SiC-Wafer weisen eine höhere Strahlungsbeständigkeit auf und eignen sich daher für den Einsatz in strahlungsbelasteten Umgebungen. Beispiele hierfür sind Raumfahrzeuge und kerntechnische Anlagen.

2. Höhere Härte: SIC-Wafer sind härter als Silizium, was die Haltbarkeit der Wafer während der Verarbeitung erhöht.

3. Niedrigere Dielektrizitätskonstante: Die Dielektrizitätskonstante von SIC-Wafern ist niedriger als die von Silizium, was dazu beiträgt, die parasitäre Kapazität im Bauelement zu reduzieren und die Hochfrequenzleistung zu verbessern.

4. Höhere Sättigungs-Elektronendriftgeschwindigkeit: SIC-Wafer weisen eine höhere Sättigungs-Elektronendriftgeschwindigkeit auf als Silizium, was SIC-Bauelementen einen Vorteil bei Hochfrequenzanwendungen verschafft.

5. Höhere Leistungsdichte: Dank der oben genannten Eigenschaften können SIC-Wafer-Bauelemente eine höhere Ausgangsleistung bei kleinerer Größe erzielen.

2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer haben vielfältige Anwendungsmöglichkeiten.
1. Leistungselektronik: SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hohen Durchbruchspannung und geringen Verlustleistung in großem Umfang in leistungselektronischen Geräten wie Stromrichtern, Wechselrichtern und Hochspannungsschaltern eingesetzt.

2. Elektrofahrzeuge: Siliziumkarbid-Wafer werden in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen eingesetzt, um die Effizienz zu verbessern und das Gewicht zu reduzieren, was zu schnellerem Laden und größerer Reichweite führt.

3. Erneuerbare Energien: Siliziumkarbid-Wafer spielen eine entscheidende Rolle bei Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien, wie z. B. Solarwechselrichtern und Windkraftanlagen, da sie die Energieumwandlungseffizienz und Zuverlässigkeit verbessern.

4. Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung: SiC-Wafer sind in der Luft- und Raumfahrtindustrie sowie in der Verteidigungsindustrie für Anwendungen mit hohen Temperaturen, hoher Leistung und Strahlungsbeständigkeit unerlässlich, darunter Flugzeug-Stromversorgungssysteme und Radarsysteme.

ZMSH bietet kundenspezifische Anpassungsmöglichkeiten für seine Siliziumkarbid-Wafer. Unsere Wafer bestehen aus hochwertigen Siliziumkarbidschichten aus China, die für Langlebigkeit und Zuverlässigkeit sorgen. Kunden können aus unserem Angebot an Wafergrößen und -spezifikationen die passende Lösung für ihre individuellen Bedürfnisse auswählen.

Unsere Siliziumkarbid-Wafer sind in verschiedenen Ausführungen und Größen erhältlich; die Ausführung ist Siliziumkarbid.

Wir bieten verschiedene Oberflächenbehandlungen an, darunter ein- und beidseitiges Polieren mit einer Oberflächenrauheit von ≤ 1,2 nm und einer Planheit von λ/10. Zudem bieten wir Optionen mit hohem und niedrigem spezifischem Widerstand, die individuell an Ihre Anforderungen angepasst werden können. Unsere EPD von ≤ 1E10/cm² gewährleistet, dass unsere Wafer höchsten Industriestandards entsprechen.

Wir achten auf jedes Detail der Verpackung, Reinigung, Antistatik und Stoßfestigkeit. Je nach Menge und Form des Produkts wählen wir ein anderes Verpackungsverfahren! Die Verpackung erfolgt entweder in Einzelkassetten oder in Kassetten mit 25 Stück in Reinräumen der Klasse 100.