2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid-Substrat Sic-Wafer, doppelt poliert, leitend, erstklassige Mos-Qualität

Das einkristalline 6H-N-Siliziumkarbid-Substrat (SiC) ist ein unverzichtbares Halbleitermaterial, das häufig in elektronischen Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen eingesetzt wird. 6H-N SiC ist für seine hexagonale Kristallstruktur bekannt und bietet eine große Bandlücke und eine hohe Wärmeleitfähigkeit, was es ideal für anspruchsvolle Umgebungen macht.
Das hohe elektrische Durchbruchfeld und die Elektronenmobilität dieses Materials ermöglichen die Entwicklung effizienter leistungselektronischer Geräte wie MOSFETs und IGBTs, die bei höheren Spannungen und Temperaturen betrieben werden können als solche aus herkömmlichem Silizium. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit gewährleistet eine effektive Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.
Bei Hochfrequenzanwendungen (RF) unterstützen die Eigenschaften von 6H-N SiC die Entwicklung von Geräten, die bei höheren Frequenzen mit verbesserter Effizienz arbeiten können. Aufgrund seiner chemischen Stabilität und Strahlungsbeständigkeit eignet es sich auch für den Einsatz in rauen Umgebungen, einschließlich der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigungsbranche.
Darüber hinaus sind 6H-N-SiC-Substrate integraler Bestandteil optoelektronischer Geräte wie Ultraviolett-Fotodetektoren, wo ihre große Bandlücke eine effiziente UV-Lichtdetektion ermöglicht. Die Kombination dieser Eigenschaften macht 6H n-Typ SiC zu einem vielseitigen und unverzichtbaren Material für die Weiterentwicklung moderner elektronischer und optoelektronischer Technologien.