2 Zoll 6H-N Siliziumkarbidsubstrat Sic Wafer doppelt poliert leitfähig Prime Grade Mos Grade

Das 6H n-Typ Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallsubstrat ist ein wichtiges Halbleitermaterial, das häufig in elektronischen Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen eingesetzt wird. 6H-N SiC ist für seine hexagonale Kristallstruktur bekannt und bietet eine große Bandlücke sowie eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Damit eignet es sich ideal für anspruchsvolle Umgebungen.
Die hohe Durchbruchfestigkeit und Elektronenbeweglichkeit dieses Materials ermöglichen die Entwicklung effizienter Leistungselektronik wie MOSFETs und IGBTs, die bei höheren Spannungen und Temperaturen betrieben werden können als herkömmliche Siliziumbauteile. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit gewährleistet eine effektive Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.
In Hochfrequenzanwendungen (RF) ermöglichen die Eigenschaften von 6H-N SiC die Entwicklung von Geräten, die bei höheren Frequenzen mit verbesserter Effizienz arbeiten. Seine chemische Stabilität und Strahlungsbeständigkeit machen es zudem für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet, beispielsweise in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungssektor.
Darüber hinaus sind 6H-N-SiC-Substrate ein integraler Bestandteil optoelektronischer Geräte, beispielsweise von Ultraviolett-Fotodetektoren, wo ihre große Bandlücke eine effiziente UV-Lichtdetektion ermöglicht. Die Kombination dieser Eigenschaften macht 6H n-Typ-SiC zu einem vielseitigen und unverzichtbaren Material für die Weiterentwicklung moderner elektronischer und optoelektronischer Technologien.