2-Zoll-50,8-mm-Siliziumkarbid-SiC-Wafer, dotierte Si-N-Typ-Produktionsforschung und Dummy-Qualität

Kurzbeschreibung:

Shanghai Xinkehui Tech. Co.,Ltd bietet die beste Auswahl und Preise für hochwertige Siliziumkarbid-Wafer und -Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 6 Zoll in N- und halbisolierenden Typen. Kleine und große Halbleitergerätehersteller und Forschungslabore weltweit nutzen und verlassen sich auf unsere Siliziumkarbid-Wafer.

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Produktdetails

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Zu den parametrischen Kriterien für 2-Zoll-4H-N-undotierte SiC-Wafer gehören:

Substratmaterial: 4H-Siliziumkarbid (4H-SiC)

Kristallstruktur: tetrahexaedrisch (4H)

Dotierung: Undotiert (4H-N)

Größe: 2 Zoll

Leitfähigkeitstyp: N-Typ (n-dotiert)

Leitfähigkeit: Halbleiter

Marktaussichten: Nicht dotierte 4H-N-SiC-Wafer haben viele Vorteile, wie z. B. hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Leitungsverluste, ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit und hohe mechanische Stabilität, und verfügen daher über breite Marktaussichten in der Leistungselektronik und in HF-Anwendungen. Mit der Entwicklung erneuerbarer Energien, Elektrofahrzeuge und Kommunikation steigt die Nachfrage nach Geräten mit hoher Effizienz, Hochtemperaturbetrieb und hoher Leistungstoleranz, was eine breitere Marktchance für nichtdotierte 4H-N-SiC-Wafer bietet.

Verwendung: Nicht dotierte 2-Zoll-4H-N-SiC-Wafer können zur Herstellung einer Vielzahl von Leistungselektronik- und HF-Geräten verwendet werden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

1--4H-SiC-MOSFETs: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren für Hochleistungs-/Hochtemperaturanwendungen. Diese Geräte weisen geringe Leitungs- und Schaltverluste auf und bieten so eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.

2--4H-SiC-JFETs: Sperrschicht-FETs für HF-Leistungsverstärker und Schaltanwendungen. Diese Geräte bieten Hochfrequenzleistung und hohe thermische Stabilität.

3--4H-SiC-Schottky-Dioden: Dioden für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Diese Geräte bieten einen hohen Wirkungsgrad bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

Optoelektronische 4--4H-SiC-Geräte: Geräte, die in Bereichen wie Hochleistungslaserdioden, UV-Detektoren und optoelektronischen integrierten Schaltkreisen verwendet werden. Diese Geräte verfügen über hohe Leistungs- und Frequenzeigenschaften.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass nicht dotierte 2-Zoll-4H-N-SiC-Wafer das Potenzial für ein breites Anwendungsspektrum haben, insbesondere in der Leistungselektronik und HF. Ihre überlegene Leistung und Hochtemperaturstabilität machen sie zu einem starken Kandidaten für den Ersatz herkömmlicher Siliziummaterialien für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.