2 Zoll 50,8 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer, dotiertes Si N-Typ, Produktionsforschung und Dummy-Qualität

Substratmaterial: 4H-Siliziumkarbid (4H-SiC)

Kristallstruktur: tetrahexaedrisch (4H)

Dotierung: Undotiert (4H-N)

Größe: 2 Zoll

Leitfähigkeitstyp: N-Typ (n-dotiert)

Leitfähigkeit: Halbleiter

Marktaussichten: 4H-N undotierte SiC-Wafer bieten zahlreiche Vorteile wie hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Leitungsverluste, hervorragende Temperaturbeständigkeit und hohe mechanische Stabilität und eröffnen damit breite Marktchancen in der Leistungselektronik und HF-Anwendungen. Mit der Entwicklung erneuerbarer Energien, Elektrofahrzeugen und der Kommunikationstechnik steigt die Nachfrage nach Geräten mit hohem Wirkungsgrad, hohem Temperaturbetrieb und hoher Leistungstoleranz, was erweiterte Marktchancen für 4H-N undotierte SiC-Wafer eröffnet.

Verwendung: 2-Zoll-4H-N-nicht dotierte SiC-Wafer können zur Herstellung einer Vielzahl von Leistungselektronik- und HF-Geräten verwendet werden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

1-4H-SiC-MOSFETs: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen. Diese Bauelemente zeichnen sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus und bieten so höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.

2-4H-SiC-JFETs: Sperrschicht-FETs für HF-Leistungsverstärker und Schaltanwendungen. Diese Bauelemente bieten Hochfrequenzleistung und hohe thermische Stabilität.

3-4H-SiC-Schottky-Dioden: Dioden für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Diese Bauelemente bieten einen hohen Wirkungsgrad bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

4-4H-SiC-Optoelektronische Bauelemente: Bauelemente für Hochleistungslaserdioden, UV-Detektoren und optoelektronische integrierte Schaltkreise. Diese Bauelemente zeichnen sich durch hohe Leistungs- und Frequenzeigenschaften aus.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass 2-Zoll-4H-N-SiC-Wafer ohne Dotierung das Potenzial für ein breites Anwendungsspektrum bieten, insbesondere in der Leistungselektronik und Hochfrequenztechnik. Ihre überlegene Leistung und Hochtemperaturstabilität machen sie zu einem starken Kandidaten für den Ersatz herkömmlicher Siliziummaterialien für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.