2 Zoll 50,8 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer, dotiertes Si N-Typ, Produktionsforschung und Dummy-Qualität
Zu den parametrischen Kriterien für 2-Zoll-4H-N-undotierte SiC-Wafer gehören
Substratmaterial: 4H-Siliziumkarbid (4H-SiC)
Kristallstruktur: tetrahexaedrisch (4H)
Dotierung: Undotiert (4H-N)
Größe: 2 Zoll
Leitfähigkeitstyp: N-Typ (n-dotiert)
Leitfähigkeit: Halbleiter
Marktaussichten: 4H-N undotierte SiC-Wafer bieten zahlreiche Vorteile wie hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Leitungsverluste, ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit und hohe mechanische Stabilität und eröffnen daher breite Marktchancen in der Leistungselektronik und HF-Anwendungen. Mit der Entwicklung erneuerbarer Energien, Elektrofahrzeugen und der Kommunikation steigt die Nachfrage nach Geräten mit hoher Effizienz, Hochtemperaturbetrieb und hoher Leistungstoleranz, was die Marktchancen für 4H-N undotierte SiC-Wafer erweitert.
Verwendung: 2-Zoll-4H-N-nicht dotierte SiC-Wafer können zur Herstellung einer Vielzahl von Leistungselektronik- und HF-Geräten verwendet werden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:
1-4H-SiC-MOSFETs: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen. Diese Bauelemente zeichnen sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus und bieten so höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.
2-4H-SiC-JFETs: Sperrschicht-FETs für HF-Leistungsverstärker und Schaltanwendungen. Diese Geräte bieten Hochfrequenzleistung und hohe thermische Stabilität.
3-4H-SiC-Schottky-Dioden: Dioden für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Diese Geräte bieten einen hohen Wirkungsgrad bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.
4-4H-SiC-optoelektronische Bauelemente: Bauelemente, die in Bereichen wie Hochleistungslaserdioden, UV-Detektoren und optoelektronischen integrierten Schaltkreisen eingesetzt werden. Diese Bauelemente zeichnen sich durch hohe Leistungs- und Frequenzeigenschaften aus.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass 2-Zoll-4H-N-SiC-Wafer ohne Dotierung das Potenzial für ein breites Anwendungsspektrum bieten, insbesondere in der Leistungselektronik und im Hochfrequenzbereich. Ihre überlegene Leistung und Hochtemperaturstabilität machen sie zu einem starken Kandidaten für die Ablösung herkömmlicher Siliziummaterialien in Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Detailliertes Diagramm
