2-Zoll-50,8-mm-Germaniumwafer-Substrat, Einkristall, 1SP, 2SP
Detaillierte Informationen
Germaniumchips besitzen Halbleitereigenschaften und spielten eine wichtige Rolle in der Entwicklung der Festkörperphysik und -elektronik. Germanium hat eine Schmelzdichte von 5,32 g/cm³ und zählt zu den dünnflüssigen Metallen. Es ist chemisch stabil und reagiert bei Raumtemperatur nicht mit Luft oder Wasserdampf. Bei 600–700 °C bildet sich jedoch schnell Germaniumdioxid. Germanium reagiert nicht mit Salzsäure oder verdünnter Schwefelsäure. In konzentrierter Schwefelsäure löst es sich langsam auf. In Salpetersäure und Königswasser ist es leicht löslich. Alkalische Lösungen haben nur eine geringe Wirkung auf Germanium, geschmolzene Laugen an der Luft führen jedoch zu einer schnellen Auflösung. Da Germanium nicht mit Kohlenstoff reagiert, wird es in Graphittiegeln geschmolzen, um Verunreinigungen durch Kohlenstoff zu vermeiden. Germanium besitzt gute Halbleitereigenschaften wie hohe Elektronen- und Lochmobilität. Die Entwicklung von Germanium birgt weiterhin großes Potenzial.
Spezifikation
| Wachstumsmethode | CZ | ||
| Kristallstruktur | Kubisches System | ||
| Gitterkonstante | a=5,65754 Å | ||
| Dichte | 5,323 g/cm³ | ||
| Schmelzpunkt | 937,4℃ | ||
| Doping | Entdoping | Doping-Sb | Doping-Ga |
| Typ | / | N | P |
| Widerstand | >35Ωcm | 0,01~35 Ωcm | 0,05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Durchmesser | 2 Zoll/50,8 mm | ||
| Dicke | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Oberfläche | DSP und SSP | ||
| Orientierung | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| Paket | Paket der Klasse 100, Raum der Klasse 1000 | ||
Detailliertes Diagramm



