2-Zoll-3-Zoll-4-Zoll-InP-Epitaxie-Wafer-Substrat-APD-Lichtdetektor für Glasfaserkommunikation oder LiDAR

Kurzbeschreibung:

Das epitaktische InP-Substrat ist das Basismaterial für die Herstellung von APD, normalerweise ein Halbleitermaterial, das durch epitaktische Wachstumstechnologie auf dem Substrat abgeschieden wird. Zu den häufig verwendeten Materialien gehören Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) usw. mit hervorragenden photoelektrischen Eigenschaften. Der APD-Fotodetektor ist ein spezieller Fotodetektortyp, der den photoelektrischen Lawineneffekt nutzt, um das Erkennungssignal zu verstärken. Wenn Photonen auf APD treffen, werden Elektron-Loch-Paare erzeugt. Die Beschleunigung dieser Träger unter Einwirkung eines elektrischen Feldes kann zur Bildung weiterer Träger führen, einem „Lawineneffekt“, der den Ausgangsstrom erheblich verstärkt.
Mittels MOCvD gezüchtete epitaktische Wafer stehen im Mittelpunkt der Anwendungen von Lawinenphotodetektionsdioden. Die Absorptionsschicht wurde aus U-InGaAs-Material mit einer Hintergrunddotierung <5E14 hergestellt. Die Funktionsschicht kann InP oder InAlAslayer verwenden. Das epitaktische InP-Substrat ist das Grundmaterial für die Herstellung von APD, das die Leistung des optischen Detektors bestimmt. Der APD-Fotodetektor ist eine Art hochempfindlicher Fotodetektor, der in den Bereichen Kommunikation, Sensorik und Bildgebung weit verbreitet ist.

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Produktdetails

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Zu den Hauptmerkmalen der InP-Laserepitaxiefolie gehören:

1. Bandlückeneigenschaften: InP hat eine schmale Bandlücke, die für die Detektion von langwelligem Infrarotlicht geeignet ist, insbesondere im Wellenlängenbereich von 1,3 μm bis 1,5 μm.
2. Optische Leistung: Der InP-Epitaxiefilm weist eine gute optische Leistung auf, z. B. Lichtleistung und externe Quanteneffizienz bei verschiedenen Wellenlängen. Beispielsweise betragen bei 480 nm die Lichtleistung und die externe Quanteneffizienz 11,2 % bzw. 98,8 %.
3. Trägerdynamik: InP-Nanopartikel (NPs) zeigen während des epitaktischen Wachstums ein doppelt exponentielles Zerfallsverhalten. Die schnelle Abklingzeit wird auf die Trägerinjektion in die InGaAs-Schicht zurückgeführt, während die langsame Abklingzeit auf die Trägerrekombination in InP-NPs zurückzuführen ist.
4. Hochtemperatureigenschaften: AlGaInAs/InP-Quantentopfmaterial weist eine hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen auf, wodurch Stromlecks wirksam verhindert und die Hochtemperatureigenschaften des Lasers verbessert werden können.
5. Herstellungsprozess: InP-Epitaxieschichten werden normalerweise durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) auf dem Substrat gezüchtet, um qualitativ hochwertige Filme zu erzielen.
Aufgrund dieser Eigenschaften haben InP-Laserepitaxiewafer wichtige Anwendungen in der Glasfaserkommunikation, der Quantenschlüsselverteilung und der optischen Ferndetektion.

Zu den Hauptanwendungen von InP-Laserepitaxietabletten gehören:

1. Photonik: InP-Laser und -Detektoren werden häufig in der optischen Kommunikation, in Rechenzentren, in der Infrarotbildgebung, in der Biometrie, bei der 3D-Sensorik und bei LiDAR eingesetzt.

2. Telekommunikation: InP-Materialien haben wichtige Anwendungen bei der groß angelegten Integration von langwelligen Lasern auf Siliziumbasis, insbesondere in der Glasfaserkommunikation.

3. Infrarotlaser: Anwendungen von InP-basierten Quantentopflasern im mittleren Infrarotband (z. B. 4–38 Mikrometer), einschließlich Gaserkennung, Sprengstoffdetektion und Infrarotbildgebung.

4. Siliziumphotonik: Durch heterogene Integrationstechnologie wird der InP-Laser auf ein siliziumbasiertes Substrat übertragen, um eine multifunktionale optoelektronische Silizium-Integrationsplattform zu bilden.

5. Hochleistungslaser: InP-Materialien werden zur Herstellung von Hochleistungslasern verwendet, beispielsweise InGaAsP-InP-Transistorlasern mit einer Wellenlänge von 1,5 Mikrometern.

XKH bietet maßgeschneiderte InP-Epitaxiewafer mit unterschiedlichen Strukturen und Dicken an und deckt eine Vielzahl von Anwendungen wie optische Kommunikation, Sensoren, 4G/5G-Basisstationen usw. ab. Die Produkte von XKH werden mit fortschrittlichen MOCVD-Geräten hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Logistisch verfügt XKH über ein breites Spektrum an internationalen Beschaffungskanälen, kann flexibel mit der Anzahl der Bestellungen umgehen und Mehrwertdienste wie Durchforstung, Segmentierung usw. anbieten. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Kundenanforderungen Qualität und Lieferzeiten. Nach der Ankunft können Kunden umfassenden technischen Support und Kundendienst erhalten, um sicherzustellen, dass das Produkt reibungslos in Betrieb genommen wird.