2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP-Epitaxial-Wafersubstrat APD-Lichtdetektor für Glasfaserkommunikation oder LiDAR

Kurze Beschreibung:

Das Basismaterial für die Herstellung von APDs ist das epitaktische InP-Substrat. Dabei handelt es sich üblicherweise um ein Halbleitermaterial, das mittels Epitaxieverfahren auf dem Substrat abgeschieden wird. Zu den häufig verwendeten Materialien gehören Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) usw. mit hervorragenden photoelektrischen Eigenschaften. Der APD-Fotodetektor ist ein spezieller Fotodetektortyp, der den Lawineneffekt zur Verstärkung des Detektionssignals nutzt. Wenn Photonen auf den APD treffen, werden Elektron-Loch-Paare erzeugt. Die Beschleunigung dieser Ladungsträger unter Einwirkung eines elektrischen Felds kann zur Bildung weiterer Ladungsträger führen (ein Lawineneffekt), der den Ausgangsstrom deutlich verstärkt.
Epitaktische Wafer, die mittels MOCvD hergestellt werden, stehen im Mittelpunkt der Anwendung von Avalanche-Photodetektionsdioden. Die Absorptionsschicht wurde aus U-InGaAs-Material mit einer Hintergrunddotierung <5E14 hergestellt. Die Funktionsschicht kann aus InP oder InAlAs bestehen. Das epitaktische InP-Substrat ist das Basismaterial für die Herstellung von APDs, das die Leistung optischer Detektoren bestimmt. APD-Photodetektoren sind hochempfindliche Photodetektoren, die in den Bereichen Kommunikation, Sensorik und Bildgebung weit verbreitet sind.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

Zu den wichtigsten Merkmalen der InP-Laser-Epitaxiefolie gehören

1. Bandlückeneigenschaften: InP hat eine schmale Bandlücke, die für die Erkennung langwelligen Infrarotlichts geeignet ist, insbesondere im Wellenlängenbereich von 1,3 μm bis 1,5 μm.
2. Optische Leistung: Der epitaktische InP-Film weist eine gute optische Leistung auf, beispielsweise hinsichtlich der Lichtleistung und der externen Quanteneffizienz bei verschiedenen Wellenlängen. Beispielsweise betragen bei 480 nm die Lichtleistung und die externe Quanteneffizienz 11,2 % bzw. 98,8 %.
3. Ladungsträgerdynamik: InP-Nanopartikel (NPs) zeigen während des epitaktischen Wachstums ein doppelt exponentielles Zerfallsverhalten. Die schnelle Zerfallszeit ist auf die Ladungsträgerinjektion in die InGaAs-Schicht zurückzuführen, während die langsame Zerfallszeit auf die Ladungsträgerrekombination in InP-NPs zurückzuführen ist.
4. Hochtemperatureigenschaften: Das Quantentopfmaterial AlGaInAs/InP weist eine hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen auf, wodurch ein Stromleck wirksam verhindert und die Hochtemperatureigenschaften des Lasers verbessert werden können.
5. Herstellungsverfahren: Um hochwertige Filme zu erzielen, werden InP-Epitaxieschichten üblicherweise mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) auf dem Substrat gezüchtet.
Aufgrund dieser Eigenschaften finden InP-Laser-Epitaxie-Wafer wichtige Anwendungsmöglichkeiten in der Glasfaserkommunikation, der Quantenschlüsselverteilung und der optischen Fernerkennung.

Zu den Hauptanwendungen von InP-Laser-Epitaxie-Tabletten gehören

1. Photonik: InP-Laser und -Detektoren werden häufig in der optischen Kommunikation, in Rechenzentren, in der Infrarotbildgebung, in der Biometrie, in der 3D-Erfassung und in LiDAR eingesetzt.

2. Telekommunikation: InP-Materialien finden wichtige Anwendung bei der großflächigen Integration von Silizium-basierten Langwellenlasern, insbesondere in der Glasfaserkommunikation.

3. Infrarotlaser: Anwendungen von Quantentopflasern auf InP-Basis im mittleren Infrarotbereich (z. B. 4–38 Mikrometer), einschließlich Gassensorik, Sprengstofferkennung und Infrarotbildgebung.

4. Siliziumphotonik: Durch heterogene Integrationstechnologie wird der InP-Laser auf ein siliziumbasiertes Substrat übertragen, um eine multifunktionale optoelektronische Silizium-Integrationsplattform zu bilden.

5. Hochleistungslaser: InP-Materialien werden zur Herstellung von Hochleistungslasern verwendet, beispielsweise InGaAsP-InP-Transistorlaser mit einer Wellenlänge von 1,5 Mikrometern.

XKH bietet kundenspezifische InP-Epitaxiewafer mit unterschiedlichen Strukturen und Dicken für eine Vielzahl von Anwendungen wie optische Kommunikation, Sensoren, 4G/5G-Basisstationen usw. an. Die Produkte von XKH werden mit modernen MOCVD-Anlagen hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. In puncto Logistik verfügt XKH über ein breites Spektrum an internationalen Bezugskanälen, kann die Anzahl der Bestellungen flexibel bearbeiten und Mehrwertdienste wie Ausdünnen, Segmentieren usw. anbieten. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Kundenanforderungen hinsichtlich Qualität und Lieferzeiten. Nach der Ankunft erhalten Kunden umfassenden technischen Support und Kundendienst, um eine reibungslose Inbetriebnahme des Produkts zu gewährleisten.

Detailliertes Diagramm

Vorherige: InGaAs-Epitaxie-Wafersubstrat-PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden

Nächste: Saphir-Haartransplantationsklinge mit hoher Härte und Korrosionsbeständigkeit. Die Anpassung medizinischer Werkzeuge kann für medizinische Schönheitszwecke verwendet werden.