200 mm SiC-Substrat, Dummy-Klasse 4H-N, 8 Zoll SiC-Wafer

Zu den technischen Schwierigkeiten bei der Herstellung von 8-Zoll-SiC-Substraten gehören:

1. Kristallwachstum: Das Erreichen eines qualitativ hochwertigen Einkristallwachstums von Siliziumkarbid mit großen Durchmessern kann aufgrund der Kontrolle von Defekten und Verunreinigungen eine Herausforderung sein.

2. Waferverarbeitung: Die größere Größe von 8-Zoll-Wafern stellt Herausforderungen hinsichtlich der Gleichmäßigkeit und Fehlerkontrolle während der Waferverarbeitung dar, beispielsweise beim Polieren, Ätzen und Dotieren.

3. Materialhomogenität: Die Gewährleistung gleichbleibender Materialeigenschaften und Homogenität über das gesamte 8-Zoll-SiC-Substrat ist technisch anspruchsvoll und erfordert eine präzise Kontrolle während des Herstellungsprozesses.

4. Kosten: Die Skalierung auf 8-Zoll-SiC-Substrate bei gleichzeitiger Beibehaltung hoher Materialqualität und Ausbeute kann aufgrund der Komplexität und der Kosten der Produktionsprozesse wirtschaftlich schwierig sein.

5. Die Lösung dieser technischen Schwierigkeiten ist für die breite Einführung von 8-Zoll-SiC-Substraten in Hochleistungs-Leistungs- und optoelektronischen Geräten von entscheidender Bedeutung.

Wir beziehen Saphirsubstrate von Chinas führenden SiC-Exportfabriken, darunter Tankeblue. Dank unserer über 10-jährigen Vertretung pflegen wir eine enge Beziehung zum Hersteller. Wir liefern Ihnen die benötigten 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Substrate für eine langfristige und stabile Versorgung zum besten Preis.

Tankeblue ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Siliziumkarbid-Halbleiterchips (SiC) der dritten Generation spezialisiert hat. Das Unternehmen zählt zu den weltweit führenden Herstellern von SiC-Wafern.