200-mm-SiC-Substrat-Dummy-Qualität 4H-N 8-Zoll-SiC-Wafer
Zu den technischen Schwierigkeiten bei der Herstellung von 8-Zoll-SiC-Substraten gehören:
1. Kristallwachstum: Das Erreichen eines qualitativ hochwertigen Einkristallwachstums von Siliziumkarbid mit großen Durchmessern kann aufgrund der Kontrolle von Defekten und Verunreinigungen eine Herausforderung sein.
2.Wafer-Verarbeitung: Die größere Größe von 8-Zoll-Wafern stellt Herausforderungen hinsichtlich der Gleichmäßigkeit und Fehlerkontrolle während der Wafer-Verarbeitung, wie Polieren, Ätzen und Dotieren, dar.
3. Materialhomogenität: Die Gewährleistung konsistenter Materialeigenschaften und Homogenität über das gesamte 8-Zoll-SiC-Substrat ist technisch anspruchsvoll und erfordert eine präzise Kontrolle während des Herstellungsprozesses.
4. Kosten: Die Skalierung von SiC-Substraten auf bis zu 8 Zoll unter Beibehaltung einer hohen Materialqualität und -ausbeute kann aufgrund der Komplexität und Kosten der Produktionsprozesse eine wirtschaftliche Herausforderung darstellen.
5. Die Bewältigung dieser technischen Schwierigkeiten ist für die weit verbreitete Einführung von 8-Zoll-SiC-Substraten in leistungsstarken Leistungs- und optoelektronischen Geräten von entscheidender Bedeutung.
Wir liefern Saphirsubstrate von Chinas führenden SiC-Exportfabriken, darunter Tankeblue. Dank unserer über 10-jährigen Vertretungstätigkeit konnten wir eine enge Beziehung zur Fabrik pflegen. Wir können Ihnen die 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Substrate liefern, die Sie für eine langfristige und stabile Versorgung benötigen, und das zum besten Preis und Preis.
Tankeblue ist ein High-Tech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Halbleiter-Siliziumkarbid-Chips (SiC) der dritten Generation spezialisiert hat. Das Unternehmen ist einer der weltweit führenden Hersteller von SiC-Wafern.