200-mm-SiC-Substrat, Dummy-Qualität 4H-N, 8-Zoll-SiC-Wafer

Zu den technischen Schwierigkeiten bei der Herstellung von 8-Zoll-SiC-Substraten gehören:

1. Kristallwachstum: Die Herstellung hochwertiger Einkristalle aus Siliciumcarbid mit großen Durchmessern kann aufgrund der Kontrolle von Defekten und Verunreinigungen eine Herausforderung darstellen.

2. Waferbearbeitung: Die größere Größe der 8-Zoll-Wafer stellt Herausforderungen hinsichtlich der Gleichmäßigkeit und der Fehlerkontrolle bei der Waferbearbeitung dar, wie z. B. Polieren, Ätzen und Dotieren.

3. Materialhomogenität: Die Gewährleistung gleichbleibender Materialeigenschaften und Homogenität über das gesamte 8-Zoll-SiC-Substrat ist technisch anspruchsvoll und erfordert eine präzise Steuerung während des Herstellungsprozesses.

4. Kosten: Die Skalierung auf 8-Zoll-SiC-Substrate bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hohen Materialqualität und Ausbeute kann aufgrund der Komplexität und der Kosten der Produktionsprozesse eine wirtschaftliche Herausforderung darstellen.

5. Die Überwindung dieser technischen Schwierigkeiten ist entscheidend für die breite Akzeptanz von 8-Zoll-SiC-Substraten in Hochleistungs-Leistungselektronik- und optoelektronischen Bauelementen.

Wir beziehen Saphirsubstrate von Chinas führenden SiC-Exportherstellern, darunter Tankeblue. Dank unserer über zehnjährigen Zusammenarbeit pflegen wir enge Geschäftsbeziehungen zu diesen Herstellern. Wir bieten Ihnen die benötigten 6- und 8-Zoll-SiC-Substrate für eine langfristige und stabile Versorgung zum besten Preis.

Tankeblue ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Siliziumkarbid-Chips (SiC) der dritten Generation spezialisiert hat. Das Unternehmen zählt zu den weltweit führenden Herstellern von SiC-Wafern.