2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustertes Saphirsubstrat (PSS), auf dem GaN-Material gezüchtet wird, kann für LED-Beleuchtung verwendet werden

Kurze Beschreibung:

Das gemusterte Saphirsubstrat (PSS) ist eine Maske für das Trockenätzen auf dem Saphirsubstrat. Die Maske wird mittels Standardlithografie mit einem Muster graviert. Anschließend wird der Saphir mittels ICP-Ätztechnologie geätzt. Nach dem Entfernen der Maske wird GaN-Material darauf gezüchtet, sodass die longitudinale Epitaxie des GaN-Materials in eine horizontale Epitaxie übergeht. Dieser Prozess umfasst mehrere Schritte wie Fotolackbeschichtung, schrittweise Belichtung, Entwicklung des Belichtungsmusters, ICP-Trockenätzen und Reinigung.

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Hauptmerkmale

1. Strukturelle Merkmale:
Die PSS-Oberfläche weist ein geordnetes kegel- oder dreieckiges Kegelmuster auf, dessen Form, Größe und Verteilung durch Anpassen der Ätzprozessparameter gesteuert werden können.
Diese grafischen Strukturen tragen dazu bei, den Ausbreitungsweg des Lichts zu verändern und die Totalreflexion des Lichts zu verringern, wodurch die Effizienz der Lichtextraktion verbessert wird.

2. Materialeigenschaften:
PSS verwendet hochwertigen Saphir als Substratmaterial, das sich durch hohe Härte, hohe Wärmeleitfähigkeit, gute chemische Stabilität und optische Transparenz auszeichnet.
Dank dieser Eigenschaften kann PSS rauen Umgebungen wie hohen Temperaturen und Drücken standhalten und gleichzeitig eine hervorragende optische Leistung aufweisen.

3. Optische Leistung:
Durch die Änderung der Mehrfachstreuung an der Schnittstelle zwischen GaN und Saphirsubstrat ermöglicht PSS den Photonen, die innerhalb der GaN-Schicht vollständig reflektiert werden, die Möglichkeit, aus dem Saphirsubstrat zu entweichen.
Diese Funktion verbessert die Lichtextraktionseffizienz der LED erheblich und erhöht die Lichtintensität der LED.

4. Prozessmerkmale:
Der Herstellungsprozess von PSS ist relativ komplex, umfasst mehrere Schritte wie Lithografie und Ätzen und erfordert hochpräzise Geräte und Prozesskontrolle.
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Technologie und der Kostensenkung wird der Herstellungsprozess von PSS jedoch schrittweise optimiert und verbessert.

Kernvorteil

1. Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz: PSS verbessert die Lichtextraktionseffizienz von LEDs erheblich, indem es den Lichtausbreitungspfad ändert und die Totalreflexion reduziert.

2. Verlängern Sie die Lebensdauer der LED: PSS kann die Versetzungsdichte von GaN-Epitaxiematerialien verringern und dadurch die nichtstrahlende Rekombination und den Sperrleckstrom im aktiven Bereich reduzieren, was die Lebensdauer der LED verlängert.

3. Verbessern Sie die LED-Helligkeit: Durch die Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz und die Verlängerung der LED-Lebensdauer wird die LED-Lichtintensität auf dem PSS erheblich erhöht.

4. Senkung der Produktionskosten: Obwohl der Herstellungsprozess von PSS relativ komplex ist, kann er die Lichtausbeute und Lebensdauer von LEDs deutlich verbessern, wodurch die Produktionskosten bis zu einem gewissen Grad gesenkt und die Wettbewerbsfähigkeit des Produkts verbessert werden.

Hauptanwendungsgebiete

1. LED-Beleuchtung: PSS als Substratmaterial für LED-Chips kann die Lichtausbeute und Lebensdauer von LEDs deutlich verbessern.
Im Bereich der LED-Beleuchtung wird PSS häufig in verschiedenen Beleuchtungsprodukten verwendet, beispielsweise in Straßenlaternen, Tischlampen, Autolichtern usw.

2. Halbleiterbauelemente: Neben LED-Beleuchtung können PSS auch zur Herstellung anderer Halbleiterbauelemente wie Lichtdetektoren, Laser usw. verwendet werden. Diese Bauelemente finden in zahlreichen Bereichen Anwendung, etwa in der Kommunikation, der Medizin, im Militär und anderen Bereichen.

3. Optoelektronische Integration: Die optischen Eigenschaften und die Stabilität von PSS machen es zu einem der idealen Materialien im Bereich der optoelektronischen Integration. Bei der optoelektronischen Integration kann PSS zur Herstellung optischer Wellenleiter, optischer Schalter und anderer Komponenten verwendet werden, um die Übertragung und Verarbeitung optischer Signale zu realisieren.

Technische Parameter

Artikel	Gemustertes Saphirsubstrat (2–6 Zoll)
Durchmesser	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Dicke	430 ± 25 μm	650 ± 25 μm	1000 ± 25 μm
Oberflächenorientierung	C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1°
	C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse (11-20) 0 ± 0,1°
Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (11-20) ± 1,0°
Primäre flache Länge	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-Flugzeug	9 Uhr
Oberflächenbeschaffenheit der Vorderseite	Gemustert
Oberflächenbeschaffenheit der Rückseite	SSP: Feingeschliffen, Ra = 0,8–1,2 µm; DSP: Epipoliert, Ra < 0,3 nm
Lasermarkierung	Rückseite
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
BOGEN	≤10μm	≤15μm	≤25μm
KETTE	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Kantenausschluss	≤2 mm
Musterspezifikation	Formstruktur	Kuppel, Kegel, Pyramide
	Musterhöhe	1,6 bis 1,8 μm
	Musterdurchmesser	2,75 bis 2,85 μm
	Musterraum	0,1 bis 0,3 μm

XKH konzentriert sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von gemusterten Saphirsubstraten (PSS) und bietet Kunden weltweit hochwertige und leistungsstarke PSS-Produkte. XKH verfügt über fortschrittliche Fertigungstechnologie und ein professionelles technisches Team, das PSS-Produkte mit unterschiedlichen Spezifikationen und Musterstrukturen entsprechend den Kundenanforderungen anpassen kann. Gleichzeitig legt XKH Wert auf Produkt- und Servicequalität und bietet seinen Kunden umfassende technische Unterstützung und Lösungen. Im PSS-Bereich verfügt XKH über umfangreiche Erfahrungen und Vorteile und freut sich auf die Zusammenarbeit mit globalen Partnern, um gemeinsam die innovative Entwicklung von LED-Beleuchtung, Halbleiterbauelementen und anderen Branchen voranzutreiben.