2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll gemustertes Saphir -Substrat (PSS), auf dem GaN -Material angebaut wird

Kurzbeschreibung:

Das gemusterte Saphir -Substrat (PSS) ist eine Maske für trockenes Ätzen am Saphir -Substrat, die Maske ist mit einem Muster durch Standard -Lithographieprozess eingraviert, und dann wird der Saphir durch ICP -Ätztechnologie geätzt, und das Masken wird entfernt, und schließlich wird Gan -Material auf dem langen Epitaxe des Gan -Materials horizontal. Dieser Prozess umfasst mehrere Schritte, wie z. B. die Beschichtung der Photoresist, die Stufexposition, die Entwicklung von Expositionsmuster, das ICP -Trockenätzchen und die Reinigung.


Produktdetail

Produkt -Tags

Hauptmerkmale

1. Strukturmerkmale:
Die PSS -Oberfläche hat einen geordneten Kegel oder dreieckige konische Muster, dessen Form, Größe und Verteilung durch Anpassen der Ätzprozessparameter gesteuert werden können.
Diese grafischen Strukturen tragen dazu bei, den Ausbreitungsweg des Lichts zu verändern und die Gesamtreflexion von Licht zu verringern, wodurch die Effizienz der Lichtextraktion verbessert wird.

2. Materialeigenschaften:
PSS verwendet einen hochwertigen Saphir als Substratmaterial, das die Eigenschaften von hoher Härte, hoher thermischer Leitfähigkeit, guter chemischer Stabilität und optischer Transparenz aufweist.
Diese Eigenschaften ermöglichen es PSS, heftige Umgebungen wie hohe Temperaturen und Drücke zu standhalten und gleichzeitig eine hervorragende optische Leistung aufrechtzuerhalten.

3. optische Leistung:
Durch Ändern der Mehrfachstreuung an der Grenzfläche zwischen GaN und Saphir -Substrat haben PSS die Photonen, die in der GaN -Schicht vollständig reflektiert werden, die Möglichkeit, aus dem Saphir -Substrat zu entkommen.
Dieses Merkmal verbessert die Lichtextraktionseffizienz der LED erheblich und verbessert die leuchtende Intensität der LED.

4. Prozesseigenschaften:
Der Herstellungsprozess von PSS ist relativ komplex und umfasst mehrere Schritte wie Lithographie und Ätzen und erfordert hochpräzise Geräte und Prozesskontrolle.
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Technologie und der Kostensenkung wird der Herstellungsprozess von PSS jedoch allmählich optimiert und verbessert.

Kernvorteil

1. Effizienz der Lichtextraktion: PSS verbessert die Lichtextraktionseffizienz von LED durch Ändern des Lichtausbreitungsweges und die Verringerung der Gesamtreflexion.

2.PROLONG LED-Leben: PSS kann die Versetzungsdichte von Gan-epitaxialen Materialien verringern, wodurch die nicht radiative Rekombination und die umgekehrte Leckstrom in der aktiven Region verringert werden, wodurch die Lebensdauer der LED verlängert wird.

3. Improvreve LED -Helligkeit: Aufgrund der Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz und der Verlängerung der LED -Lebensdauer wird die LED -Leuchtintensität auf dem PSS erheblich verbessert.

4. Reduzieren Sie Produktionskosten: Obwohl der Herstellungsprozess von PSS relativ komplex ist, kann er die leuchtende Effizienz und die Lebensdauer der LED erheblich verbessern, wodurch die Produktionskosten in gewissem Maße reduziert und die Wettbewerbsfähigkeit des Produkts verbessert werden.

Hauptantragsbereiche

1. LED -Beleuchtung: PSS als Substratmaterial für LED -Chips kann die leuchtende Effizienz und das Leben von LED erheblich verbessern.
Im Bereich der LED -Beleuchtung wird PSS in verschiedenen Beleuchtungsprodukten wie Straßenlampen, Tischlampen, Autolichter usw. häufig verwendet.

2.Semiconductor -Geräte: Zusätzlich zur LED -Beleuchtung können PSS auch zur Herstellung anderer Halbleitergeräte wie Lichtdetektoren, Laser usw. verwendet werden. Diese Geräte haben eine breite Palette von Anwendungen in Kommunikations-, Medizin-, Militär- und anderen Bereichen.

3.Optoelektronische Integration: Die optischen Eigenschaften und die Stabilität von PSS machen es zu einem der idealen Materialien im Bereich der optoelektronischen Integration. In der optoelektronischen Integration können PSS verwendet werden, um optische Wellenleiter, optische Schalter und andere Komponenten zu erstellen, um das Getriebe und die Verarbeitung von optischen Signalen zu realisieren.

Technische Parameter

Artikel Strukturierter Saphir -Substrat (2 ~ 6 Zoll)
Durchmesser 50,8 ± 0,1 mm 100,0 ± 0,2 mm 150,0 ± 0,3 mm
Dicke 430 ± 25 μm 650 ± 25 μm 1000 ± 25 μm
Oberflächenorientierung C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels in Richtung M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1 °
C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels in Richtung A-Achse (11-20) 0 ± 0,1 °
Primäre flache Orientierung A-Ebene (11-20) ± 1,0 °
Primäre flache Länge 16,0 ± 1,0 mm 30,0 ± 1,0 mm 47,5 ± 2,0 mm
R-Ebene 9-o'clock
Vorderoberfläche Gemustert
Hinterfläche Oberfläche SSP: Fine-Ground, Ra = 0,8-1,2um; DSP: EPI-Polished, Ra <0,3 nm
Lasermarke Rückseite
Ttv ≤ 8 μm ≤ 10 μm ≤ 20 μm
BOGEN ≤ 10 μm ≤ 15 μm ≤25 μm
KETTE ≤ 12 μm ≤ 20 μm ≤ 30 μm
Randausschluss ≤ 2 mm
Musterspezifikation Formstruktur Kuppel, Kegel, Pyramide
Musterhöhe 1,6 ~ 1,8 μm
Musterdurchmesser 2,75 ~ 2,85 μm
Musterraum 0,1 ~ 0,3 μm

XKH konzentriert sich auf die Entwicklung, Produktion und den Verkauf von strukturiertem Sapphire-Substrat (PSS) und setzt sich dafür ein, Kunden auf der ganzen Welt qualitativ hochwertige PSS-Produkte mit leistungsstarker Leistung zu bieten. XKH verfügt über fortschrittliche Fertigungstechnologie und professionelles technisches Team, mit dem PSS -Produkte mit unterschiedlichen Spezifikationen und unterschiedlichen Musterstrukturen entsprechend den Kundenbedürfnissen angepasst werden können. Gleichzeitig achtet XKH auf Produktqualität und Servicequalität und setzt sich dafür ein, Kunden eine breite Palette von technischen Support und Lösungen zu bieten. Auf dem Gebiet der PSS hat XKH eine reiche Erfahrung und Vorteile gesammelt und freut sich darauf, mit globalen Partnern zusammenzuarbeiten, um die innovative Entwicklung von LED -Beleuchtung, Halbleitergeräten und anderen Branchen gemeinsam zu fördern.

Detailliertes Diagramm

Strukturiertes Saphir -Substrat (PSS) 6
Gemustertes Saphir -Substrat (PSS) 5
Mustered Saphirsubstrat (PSS) 4

  • Vorherige:
  • Nächste:

  • Schreiben Sie Ihre Nachricht hier und senden Sie sie an uns