150 mm 200 mm 6 Zoll 8 Zoll GaN auf Silizium-Epischicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer

Kurze Beschreibung:

Der 6-Zoll-GaN-Epi-Layer-Wafer ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das aus Schichten von Galliumnitrid (GaN) besteht, die auf einem Siliziumsubstrat gewachsen sind. Das Material verfügt über hervorragende elektronische Transporteigenschaften und eignet sich ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.

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Herstellungsverfahren

Der Herstellungsprozess umfasst das Aufwachsen von GaN-Schichten auf einem Saphirsubstrat mithilfe fortschrittlicher Techniken wie der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder der Molekularstrahlepitaxie (MBE). Der Abscheidungsprozess erfolgt unter kontrollierten Bedingungen, um eine hohe Kristallqualität und einen gleichmäßigen Film zu gewährleisten.

6-Zoll-GaN-auf-Saphir-Anwendungen: 6-Zoll-Chips mit Saphirsubstrat werden häufig in der Mikrowellenkommunikation, in Radarsystemen, der drahtlosen Technologie und der Optoelektronik verwendet.

Zu den gängigen Anwendungen gehören

1. HF-Leistungsverstärker

2. LED-Beleuchtungsindustrie

3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte

4. Elektronische Geräte in Umgebungen mit hohen Temperaturen

5. Optoelektronische Geräte

Produktdetails

- Größe: Der Substratdurchmesser beträgt 6 Zoll (ca. 150 mm).

- Oberflächenqualität: Die Oberfläche wurde fein poliert, um eine hervorragende Spiegelqualität zu gewährleisten.

- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann entsprechend den spezifischen Anforderungen angepasst werden.

- Verpackung: Das Substrat wird sorgfältig mit antistatischen Materialien verpackt, um Schäden während des Transports zu vermeiden.

- Positionierungskanten: Das Substrat verfügt über spezielle Positionierungskanten, die die Ausrichtung und Bedienung während der Gerätevorbereitung erleichtern.

- Andere Parameter: Bestimmte Parameter wie Dünnheit, spezifischer Widerstand und Dotierungskonzentration können entsprechend den Kundenanforderungen angepasst werden.

Dank ihrer überlegenen Materialeigenschaften und vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten sind 6-Zoll-Saphir-Substrat-Wafer eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung leistungsstarker Halbleiterbauelemente in verschiedenen Branchen.

Substrat	6" 1mm <111> p-Typ Si	6" 1mm <111> p-Typ Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2 %	<2 %
Bogen	+/-45µm	+/-45µm
Knacken	<5 mm	<5 mm
Vertikale BV	>1000 V	>1400 V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30 nm	20-30 nm
In-situ-SiN-Kappe	5-60 nm	5-60 nm
2DEG-Konz.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilität	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330 Ohm/Quadrat (<2 %)	<330 Ohm/Quadrat (<2 %)