150 mm 200 mm 6 Zoll 8 Zoll GaN auf Silizium Epitaxieschicht-Wafer Galliumnitrid Epitaxie-Wafer
Herstellungsverfahren
Der Herstellungsprozess umfasst das Aufwachsen von GaN-Schichten auf einem Saphirsubstrat mithilfe fortschrittlicher Verfahren wie der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder der Molekularstrahlepitaxie (MBE). Der Abscheidungsprozess wird unter kontrollierten Bedingungen durchgeführt, um eine hohe Kristallqualität und einen gleichmäßigen Film zu gewährleisten.
Anwendungen von 6-Zoll-GaN-auf-Saphir: Chips mit 6-Zoll-Saphirsubstrat werden häufig in der Mikrowellenkommunikation, in Radarsystemen, in der drahtlosen Technologie und in der Optoelektronik eingesetzt.
Zu den gängigen Anwendungsgebieten gehören:
1. HF-Leistungsverstärker
2. LED-Beleuchtungsindustrie
3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte
4. Elektronische Geräte in Hochtemperaturumgebungen
5. Optoelektronische Bauelemente
Produktspezifikationen
- Größe: Der Substratdurchmesser beträgt 6 Zoll (ca. 150 mm).
- Oberflächenqualität: Die Oberfläche wurde fein poliert, um eine ausgezeichnete Spiegelqualität zu erzielen.
- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann je nach spezifischen Anforderungen angepasst werden.
- Verpackung: Das Substrat wird sorgfältig mit antistatischen Materialien verpackt, um Transportschäden zu vermeiden.
- Positionierungskanten: Das Substrat verfügt über spezifische Positionierungskanten, die die Ausrichtung und den Betrieb während der Geräteherstellung erleichtern.
- Weitere Parameter: Spezifische Parameter wie Dicke, spezifischer Widerstand und Dotierungskonzentration können gemäß den Kundenanforderungen angepasst werden.
Dank ihrer überlegenen Materialeigenschaften und vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten sind 6-Zoll-Saphirsubstrat-Wafer eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung von Hochleistungshalbleiterbauelementen in verschiedenen Branchen.
| Substrat | 6” 1mm <111> p-Typ Si | 6” 1mm <111> p-Typ Si |
| Epi ThickAvg | ~5 µm | ~7µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Bogen | +/-45µm | +/-45µm |
| Knacken | <5 mm | <5 mm |
| Vertikales BV | >1000 V | >1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 nm | 20-30 nm |
| In-situ-SiN-Deckschicht | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG konz. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilität | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 Ohm/sq (<2%) | <330 Ohm/sq (<2%) |
Detailliertes Diagramm
