12 Zoll SiC-Substrat N-Typ Große Größe Hochleistungs-HF-Anwendungen

Kurze Beschreibung:

Das 12-Zoll-SiC-Substrat stellt einen bahnbrechenden Fortschritt in der Halbleitermaterialtechnologie dar und bietet transformative Vorteile für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen. Als branchenweit größtes kommerziell erhältliches Siliziumkarbid-Waferformat ermöglicht das 12-Zoll-SiC-Substrat beispiellose Skaleneffekte und behält gleichzeitig die materialspezifischen Vorteile wie den großen Bandabstand und die hervorragenden thermischen Eigenschaften bei. Im Vergleich zu herkömmlichen 6-Zoll- oder kleineren SiC-Wafern bietet die 12-Zoll-Plattform über 300 % mehr nutzbare Fläche pro Wafer, was die Chipausbeute drastisch erhöht und die Herstellungskosten für Leistungsbauelemente senkt. Dieser Größenübergang spiegelt die historische Entwicklung der Siliziumwafer wider, bei der jede Durchmessererhöhung zu deutlichen Kostensenkungen und Leistungsverbesserungen führte. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit des 12-Zoll-SiC-Substrats (fast dreimal so hoch wie die von Silizium) und die hohe kritische Durchbruchfeldstärke machen es besonders wertvoll für 800-V-Elektrofahrzeugsysteme der nächsten Generation, wo es kompaktere und effizientere Leistungsmodule ermöglicht. In der 5G-Infrastruktur ermöglicht die hohe Elektronensättigungsgeschwindigkeit des Materials den Betrieb von HF-Geräten bei höheren Frequenzen mit geringeren Verlusten. Die Kompatibilität des Substrats mit modifizierten Silizium-Fertigungsanlagen erleichtert zudem die Übernahme in bestehende Fabriken, erfordert jedoch aufgrund der extremen Härte von SiC (9,5 Mohs) eine spezielle Handhabung. Mit steigenden Produktionsmengen dürfte sich das 12-Zoll-SiC-Substrat zum Industriestandard für Hochleistungsanwendungen entwickeln und Innovationen in den Bereichen Automobil, erneuerbare Energien und industrielle Stromumwandlungssysteme vorantreiben.

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Produktdetail

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Technische Parameter

12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
Grad		ZeroMPD-Produktion Klasse (Z-Klasse)	Standardproduktion Note (P-Note)		Dummy-Klasse (Klasse D)
Durchmesser		3 0 0 mm~1305 mm
Dicke	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Waferorientierung		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120 >±0,5° für 4H-N, Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
Mikrorohrdichte	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Spezifischer Widerstand	4H-N	0,015 bis 0,024 Ω·cm			0,015 bis 0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre flache Länge	4H-N	N / A
	4H-SI	Kerbe
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bug/Kette		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □μm/≤55 □μm
Rauheit		Polieren Ra≤1 nm
		CMP Ra ≤ 0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht Sechskantplatten durch hochintensives Licht Polytypbereiche durch hochintensives Licht Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner			Gesamtlänge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm Kumulative Fläche ≤0,1 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter durch hochintensives Licht		Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe			7 zulässig, jeweils ≤1 mm
(TSD) Gewindeschraubenverlagerung		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Basisebenenversetzung		≤1000 cm-2		N / A
Kontamination von Siliziumoberflächen durch hochintensives Licht		Keiner
Verpackung		Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter
Hinweise:
1 Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. 2Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden. 3 Die Versetzungsdaten stammen nur von mit KOH geätzten Wafern.

Hauptmerkmale

1. Größenvorteil: Das 12-Zoll-SiC-Substrat (12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat) bietet eine größere Einzelwaferfläche, sodass mehr Chips pro Wafer hergestellt werden können, wodurch die Herstellungskosten gesenkt und die Ausbeute erhöht werden.
2. Hochleistungsmaterial: Die hohe Temperaturbeständigkeit und Durchbruchfeldstärke von Siliziumkarbid machen das 12-Zoll-Substrat ideal für Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen wie EV-Wechselrichter und Schnellladesysteme.
3. Verarbeitungskompatibilität: Trotz der hohen Härte und der Verarbeitungsschwierigkeiten von SiC weist das 12-Zoll-SiC-Substrat durch optimierte Schneide- und Poliertechniken weniger Oberflächendefekte auf, was die Geräteausbeute verbessert.
4. Überlegenes Wärmemanagement: Dank einer besseren Wärmeleitfähigkeit als siliziumbasierte Materialien sorgt das 12-Zoll-Substrat effektiv für die Wärmeableitung in Hochleistungsgeräten und verlängert so die Lebensdauer der Geräte.

Hauptanwendungen

1. Elektrofahrzeuge: Das 12-Zoll-SiC-Substrat (12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat) ist eine Kernkomponente elektrischer Antriebssysteme der nächsten Generation und ermöglicht hocheffiziente Wechselrichter, die die Reichweite erhöhen und die Ladezeit verkürzen.

2. 5G-Basisstationen: Große SiC-Substrate unterstützen Hochfrequenz-HF-Geräte und erfüllen die Anforderungen von 5G-Basisstationen an hohe Leistung und geringe Verluste.

3. Industrielle Stromversorgung: In Solarwechselrichtern und intelligenten Stromnetzen kann das 12-Zoll-Substrat höheren Spannungen standhalten und gleichzeitig den Energieverlust minimieren.

4. Unterhaltungselektronik: Zukünftige Schnellladegeräte und Stromversorgungen für Rechenzentren könnten 12-Zoll-SiC-Substrate verwenden, um eine kompaktere Größe und höhere Effizienz zu erreichen.

XKHs Dienstleistungen

Wir sind spezialisiert auf kundenspezifische Verarbeitungsdienste für 12-Zoll-SiC-Substrate (12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrate), einschließlich:
1. Zerteilen und Polieren: Auf die Kundenanforderungen zugeschnittene, schonende und hochebene Substratverarbeitung, die eine stabile Geräteleistung gewährleistet.
2. Unterstützung beim epitaktischen Wachstum: Hochwertige epitaktische Waferdienste zur Beschleunigung der Chipherstellung.
3. Prototyping in kleinen Chargen: Unterstützt die F&E-Validierung für Forschungseinrichtungen und Unternehmen und verkürzt die Entwicklungszyklen.
4. Technische Beratung: End-to-End-Lösungen von der Materialauswahl bis zur Prozessoptimierung, die Kunden dabei helfen, Herausforderungen bei der SiC-Verarbeitung zu meistern.
Ob für die Massenproduktion oder spezielle Anpassungen, unsere 12-Zoll-SiC-Substratdienste sind auf die Anforderungen Ihres Projekts abgestimmt und ermöglichen technologische Fortschritte.