12 Zoll SiC-Substrat N-Typ Große Größe Hochleistungs-HF-Anwendungen

Kurze Beschreibung:

Das 12-Zoll-SiC-Substrat stellt einen bahnbrechenden Fortschritt in der Halbleitermaterialtechnologie dar und bietet transformative Vorteile für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen. Als branchenweit größtes kommerziell erhältliches Siliziumkarbid-Waferformat ermöglicht das 12-Zoll-SiC-Substrat beispiellose Skaleneffekte und behält gleichzeitig die materialeigenen Vorteile der großen Bandlücke und der außergewöhnlichen thermischen Eigenschaften bei. Im Vergleich zu herkömmlichen 6-Zoll- oder kleineren SiC-Wafern bietet die 12-Zoll-Plattform über 300 % mehr nutzbare Fläche pro Wafer, was die Chipausbeute drastisch erhöht und die Herstellungskosten für Leistungsbauelemente senkt. Dieser Größenübergang spiegelt die historische Entwicklung von Silizium-Wafern wider, bei der jede Durchmessererhöhung erhebliche Kostensenkungen und Leistungsverbesserungen mit sich brachte. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit des 12-Zoll-SiC-Substrats (fast dreimal so hoch wie die von Silizium) und die hohe kritische Durchbruchfeldstärke machen es besonders wertvoll für 800-V-Elektrofahrzeugsysteme der nächsten Generation, wo es kompaktere und effizientere Leistungsmodule ermöglicht. In der 5G-Infrastruktur ermöglicht die hohe Elektronensättigungsgeschwindigkeit des Materials den Betrieb von HF-Geräten bei höheren Frequenzen mit geringeren Verlusten. Die Kompatibilität des Substrats mit modifizierten Silizium-Fertigungsanlagen erleichtert zudem die problemlose Übernahme in bestehende Fabriken, erfordert jedoch aufgrund der extremen Härte von SiC (9,5 Mohs) eine spezielle Handhabung. Mit steigenden Produktionsmengen dürfte sich das 12-Zoll-SiC-Substrat zum Industriestandard für Hochleistungsanwendungen entwickeln und Innovationen in den Bereichen Automobil, erneuerbare Energien und industrielle Stromumwandlungssysteme vorantreiben.

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Merkmale

Technische Parameter

12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substratspezifikation
Grad		ZeroMPD-Produktion Klasse (Z-Klasse)	Standardproduktion Note (P-Note)		Dummy-Klasse (Klasse D)
Durchmesser		3 0 0 mm~1305mm
Dicke	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Waferorientierung		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120 >±0,5° für 4H-N, Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
Mikrorohrdichte	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25 cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25 cm-2
Spezifischer Widerstand	4H-N	0,015 bis 0,024 Ω·cm			0,015 bis 0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre flache Länge	4H-N	N / A
	4H-SI	Kerbe
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bug/Kette		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □μm/≤55 □μm
Rauheit		Polieren Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht Sechskantplatten durch hochintensives Licht Polytypbereiche durch hochintensives Licht Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner			Gesamtlänge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm Kumulative Fläche ≤0,1 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter durch hochintensives Licht		Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe			7 zulässig, jeweils ≤1 mm
(TSD) Gewindeschraubenverlagerung		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Basisebenenversetzung		≤1000 cm-2		N / A
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner
Verpackung		Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter
Hinweise:
1 Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. 2Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden. 3 Die Versetzungsdaten stammen nur von mit KOH geätzten Wafern.

Hauptmerkmale

1. Größenvorteil: Das 12-Zoll-SiC-Substrat (12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat) bietet eine größere Einzelwaferfläche, sodass mehr Chips pro Wafer hergestellt werden können, wodurch die Herstellungskosten gesenkt und die Ausbeute erhöht werden.
2. Hochleistungsmaterial: Die hohe Temperaturbeständigkeit und Durchbruchfeldstärke von Siliziumkarbid machen das 12-Zoll-Substrat ideal für Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen wie EV-Wechselrichter und Schnellladesysteme.
3. Verarbeitungskompatibilität: Trotz der hohen Härte und der Verarbeitungsschwierigkeiten von SiC weist das 12-Zoll-SiC-Substrat durch optimierte Schneide- und Poliertechniken weniger Oberflächendefekte auf, was die Geräteausbeute verbessert.
4. Überlegenes Wärmemanagement: Mit einer besseren Wärmeleitfähigkeit als Materialien auf Siliziumbasis sorgt das 12-Zoll-Substrat effektiv für die Wärmeableitung in Hochleistungsgeräten und verlängert so die Lebensdauer der Geräte.

Hauptanwendungen

1. Elektrofahrzeuge: Das 12-Zoll-SiC-Substrat (12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat) ist eine Kernkomponente elektrischer Antriebssysteme der nächsten Generation und ermöglicht hocheffiziente Wechselrichter, die die Reichweite erhöhen und die Ladezeit verkürzen.

2. 5G-Basisstationen: Große SiC-Substrate unterstützen Hochfrequenz-HF-Geräte und erfüllen die Anforderungen von 5G-Basisstationen an hohe Leistung und geringe Verluste.

3. Industrielle Stromversorgung: In Solarwechselrichtern und intelligenten Stromnetzen kann das 12-Zoll-Substrat höheren Spannungen standhalten und gleichzeitig den Energieverlust minimieren.

4. Unterhaltungselektronik: Zukünftige Schnellladegeräte und Stromversorgungen für Rechenzentren könnten 12-Zoll-SiC-Substrate verwenden, um eine kompaktere Größe und höhere Effizienz zu erreichen.

XKHs Dienstleistungen

Wir sind spezialisiert auf kundenspezifische Verarbeitungsdienste für 12-Zoll-SiC-Substrate (12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate), einschließlich:
1. Zerteilen und Polieren: Auf die Kundenanforderungen zugeschnittene, schonende und hochebene Substratverarbeitung, die eine stabile Geräteleistung gewährleistet.
2. Unterstützung des epitaktischen Wachstums: Hochwertige epitaktische Waferdienste zur Beschleunigung der Chipherstellung.
3. Prototyping in kleinen Chargen: Unterstützt die F&E-Validierung für Forschungseinrichtungen und Unternehmen und verkürzt die Entwicklungszyklen.
4. Technische Beratung: End-to-End-Lösungen von der Materialauswahl bis zur Prozessoptimierung, die Kunden dabei helfen, die Herausforderungen der SiC-Verarbeitung zu meistern.
Ob für die Massenproduktion oder spezielle Anpassungen, unsere 12-Zoll-SiC-Substratdienste sind auf die Anforderungen Ihres Projekts abgestimmt und ermöglichen technologische Fortschritte.