12 Zoll SiC-Substrat, Durchmesser 300 mm, Dicke 750 μm, 4H-N-Typ kann angepasst werden

Kurze Beschreibung:

An einem entscheidenden Punkt im Übergang der Halbleiterindustrie zu effizienteren und kompakteren Lösungen hat das Aufkommen des 12-Zoll-SiC-Substrats (12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrat) die Branche grundlegend verändert. Im Vergleich zu herkömmlichen 6-Zoll- und 8-Zoll-Spezifikationen erhöht der Größenvorteil des 12-Zoll-Substrats die Anzahl der pro Wafer produzierten Chips um mehr als das Vierfache. Zudem sinken die Stückkosten des 12-Zoll-SiC-Substrats im Vergleich zu herkömmlichen 8-Zoll-Substraten um 35–40 %, was für die breite Akzeptanz der Endprodukte entscheidend ist.
Durch den Einsatz unserer proprietären Dampftransporttechnologie haben wir eine branchenführende Kontrolle über die Versetzungsdichte in 12-Zoll-Kristallen erreicht und damit eine hervorragende Materialgrundlage für die anschließende Geräteherstellung geschaffen. Dieser Fortschritt ist angesichts des aktuellen weltweiten Chipmangels besonders bedeutsam.

Wichtige Leistungsgeräte in alltäglichen Anwendungen – wie Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge und 5G-Basisstationen – setzen zunehmend auf dieses großformatige Substrat. Insbesondere in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohen Spannungen und anderen rauen Bedingungen weist das 12-Zoll-SiC-Substrat eine deutlich höhere Stabilität als siliziumbasierte Materialien auf.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

Technische Parameter

12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
Grad		ZeroMPD-Produktion Klasse (Z-Klasse)	Standardproduktion Note (P-Note)		Dummy-Klasse (Klasse D)
Durchmesser		3 0 0 mm~1305 mm
Dicke	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Waferorientierung		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120 >±0,5° für 4H-N, Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
Mikrorohrdichte	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Spezifischer Widerstand	4H-N	0,015 bis 0,024 Ω·cm			0,015 bis 0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre flache Länge	4H-N	N / A
	4H-SI	Kerbe
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bug/Kette		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □μm/≤55 □μm
Rauheit		Polieren Ra≤1 nm
		CMP Ra ≤ 0,2 nm			Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht Sechskantplatten durch hochintensives Licht Polytypbereiche durch hochintensives Licht Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner Kumulative Fläche ≤0,05 % Keiner			Gesamtlänge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm Kumulative Fläche ≤0,1 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Fläche ≤3 % Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter durch hochintensives Licht		Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe			7 zulässig, jeweils ≤1 mm
(TSD) Gewindeschraubenverlagerung		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Basisebenenversetzung		≤1000 cm-2		N / A
Kontamination von Siliziumoberflächen durch hochintensives Licht		Keiner
Verpackung		Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter
Hinweise:
1 Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. 2Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden. 3 Die Versetzungsdaten stammen nur von mit KOH geätzten Wafern.

Hauptmerkmale

1. Produktionskapazität und Kostenvorteile: Die Massenproduktion von 12-Zoll-SiC-Substraten (12-Zoll-Siliziumkarbid-Substraten) markiert eine neue Ära in der Halbleiterfertigung. Die Anzahl der aus einem Wafer gewinnbaren Chips ist 2,25-mal so hoch wie bei 8-Zoll-Substraten, was die Produktionseffizienz deutlich steigert. Kundenfeedback zeigt, dass die Einführung von 12-Zoll-Substraten die Produktionskosten für Leistungsmodule um 28 % gesenkt hat, was einen entscheidenden Wettbewerbsvorteil auf dem hart umkämpften Markt darstellt.
2. Hervorragende physikalische Eigenschaften: Das 12-Zoll-SiC-Substrat vereint alle Vorteile von Siliziumkarbid – seine Wärmeleitfähigkeit ist dreimal so hoch wie die von Silizium, während seine Durchschlagsfeldstärke zehnmal so hoch ist. Diese Eigenschaften ermöglichen den stabilen Betrieb von Geräten auf Basis von 12-Zoll-Substraten in Hochtemperaturumgebungen über 200 °C und machen sie somit besonders geeignet für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektrofahrzeuge.
3. Oberflächenbehandlungstechnologie: Wir haben ein neuartiges chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP) speziell für 12-Zoll-SiC-Substrate entwickelt, das eine Oberflächenebenheit auf atomarer Ebene (Ra < 0,15 nm) erreicht. Dieser Durchbruch löst die weltweite Herausforderung der Oberflächenbehandlung von Siliziumkarbid-Wafern mit großem Durchmesser und beseitigt Hindernisse für hochwertiges epitaktisches Wachstum.
4. Wärmemanagement: In der Praxis zeigen 12-Zoll-SiC-Substrate eine bemerkenswerte Wärmeableitung. Testdaten zeigen, dass Geräte mit 12-Zoll-Substraten bei gleicher Leistungsdichte bei 40–50 °C niedrigeren Temperaturen arbeiten als siliziumbasierte Geräte, was die Lebensdauer der Geräte deutlich verlängert.

Hauptanwendungen

1. Neues Energiefahrzeug-Ökosystem: Das 12-Zoll-SiC-Substrat (12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrat) revolutioniert die Antriebsarchitektur von Elektrofahrzeugen. Von Bordladegeräten (OBC) über Hauptantriebswechselrichter bis hin zu Batteriemanagementsystemen erhöhen die Effizienzsteigerungen durch 12-Zoll-Substrate die Fahrzeugreichweite um 5–8 %. Berichte eines führenden Automobilherstellers zeigen, dass der Einsatz unserer 12-Zoll-Substrate den Energieverlust in seinem Schnellladesystem um beeindruckende 62 % reduzierte.
2. Sektor Erneuerbare Energien: In Photovoltaikkraftwerken zeichnen sich Wechselrichter auf Basis von 12-Zoll-SiC-Substraten nicht nur durch kleinere Abmessungen aus, sondern erreichen auch einen Wirkungsgrad von über 99 %. Insbesondere bei dezentraler Energieerzeugung bedeutet dieser hohe Wirkungsgrad für die Betreiber jährliche Einsparungen von Hunderttausenden Yuan an Stromverlusten.
3. Industrielle Automatisierung: Frequenzumrichter mit 12-Zoll-Substraten zeigen hervorragende Leistung in Industrierobotern, CNC-Werkzeugmaschinen und anderen Geräten. Ihre Hochfrequenz-Schalteigenschaften verbessern die Motorreaktionsgeschwindigkeit um 30 % und reduzieren elektromagnetische Störungen auf ein Drittel herkömmlicher Lösungen.
4. Innovationen in der Unterhaltungselektronik: Die Schnellladetechnologien der nächsten Smartphone-Generation nutzen mittlerweile 12-Zoll-SiC-Substrate. Es wird prognostiziert, dass Schnellladeprodukte über 65 W vollständig auf Siliziumkarbid-Lösungen umsteigen werden, wobei sich 12-Zoll-Substrate als optimale Wahl in puncto Preis-Leistungs-Verhältnis herausstellen.

XKH-Kundenspezifische Services für 12-Zoll-SiC-Substrate

Um die spezifischen Anforderungen für 12-Zoll-SiC-Substrate (12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrate) zu erfüllen, bietet XKH umfassenden Service-Support:
1. Dickenanpassung:
Wir bieten 12-Zoll-Substrate in verschiedenen Dickenspezifikationen, einschließlich 725 μm, um unterschiedlichen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.
2.Dotierungskonzentration:
Unsere Fertigung unterstützt mehrere Leitfähigkeitstypen, einschließlich n-Typ- und p-Typ-Substrate, mit präziser Widerstandskontrolle im Bereich von 0,01–0,02 Ω·cm.
3.Testdienste:
Mit einer kompletten Testausrüstung auf Waferebene stellen wir vollständige Inspektionsberichte bereit.
XKH ist sich bewusst, dass jeder Kunde individuelle Anforderungen an 12-Zoll-SiC-Substrate hat. Daher bieten wir flexible Kooperationsmodelle an, um wettbewerbsfähige Lösungen zu bieten, sei es für:
· F&E-Muster
· Massenproduktionskäufe
Unsere maßgeschneiderten Dienstleistungen stellen sicher, dass wir Ihre spezifischen technischen und Produktionsanforderungen für 12-Zoll-SiC-Substrate erfüllen können.