Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300V SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Halbleiters in Südkorea bekannt.
Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Halbleitern (Si) hält Siliziumkarbid (SiC) höheren Spannungen stand und gilt daher als zukunftsweisendes Bauelement für die Leistungshalbleitertechnologie. Es ist eine entscheidende Komponente für die Einführung modernster Technologien, wie beispielsweise die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen und den Ausbau von Rechenzentren mit künstlicher Intelligenz.
Power Cube Semi ist ein fabless Unternehmen, das Leistungshalbleiterbauelemente in drei Hauptkategorien entwickelt: SiC (Siliziumkarbid), Si (Silizium) und Ga₂O₃ (Galliumoxid). Kürzlich hat das Unternehmen Hochleistungs-Schottky-Barrieredioden (SBDs) an einen globalen Elektrofahrzeughersteller in China verkauft und sich damit Anerkennung für sein Halbleiterdesign und seine Technologie erworben.
Die Markteinführung des 2300-V-SiC-MOSFETs ist bemerkenswert, da es sich um die erste Entwicklung dieser Art in Südkorea handelt. Infineon, ein global tätiges Unternehmen für Leistungshalbleiter mit Sitz in Deutschland, kündigte zwar im März die Markteinführung seines 2000-V-Produkts an, jedoch ohne ein 2300-V-Produktsortiment.
Der 2000V CoolSiC MOSFET von Infineon, der das TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse nutzt, erfüllt die Forderung der Entwickler nach erhöhter Leistungsdichte und gewährleistet die Systemzuverlässigkeit auch unter strengen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen.
Der CoolSiC-MOSFET bietet eine höhere Zwischenkreisspannung und ermöglicht so eine Leistungssteigerung ohne Stromerhöhung. Er ist das erste diskrete Siliziumkarbid-Bauelement auf dem Markt mit einer Durchbruchspannung von 2000 V und nutzt das TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einer Luftstrecke von 5,4 mm. Diese Bauelemente zeichnen sich durch geringe Schaltverluste aus und eignen sich für Anwendungen wie String-Wechselrichter für Solaranlagen, Energiespeichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.
Die CoolSiC MOSFET 2000V-Produktserie eignet sich für Hochspannungs-Gleichstromsysteme bis 1500 V. Im Vergleich zum 1700V SiC MOSFET bietet dieses Bauteil eine ausreichende Überspannungsreserve für 1500-V-Gleichstromsysteme. Der CoolSiC MOSFET verfügt über eine Schwellenspannung von 4,5 V und ist mit robusten Body-Dioden für die harte Kommutierung ausgestattet. Dank der .XT-Anschlusstechnologie bieten diese Komponenten eine hervorragende thermische Performance und hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit.
Zusätzlich zum 2000-V-CoolSiC-MOSFET wird Infineon im dritten Quartal 2024 und im vierten Quartal 2024 komplementäre CoolSiC-Dioden in den Gehäusen TO-247PLUS 4-Pin bzw. TO-247-2 auf den Markt bringen. Diese Dioden eignen sich besonders für Solaranwendungen. Passende Gate-Treiber-Kombinationen sind ebenfalls erhältlich.
Die CoolSiC MOSFET 2000V-Produktserie ist ab sofort erhältlich. Infineon bietet dazu das passende Evaluierungsboard EVAL-COOLSIC-2KVHCC an. Entwickler können dieses Board als präzise Testplattform nutzen, um alle CoolSiC MOSFETs und Dioden mit einer Nennspannung von 2000V sowie die kompakte Einkanal-Gate-Treiber-Serie EiceDRIVER 1ED31xx im Dual-Pulse- oder Dauer-PWM-Betrieb zu evaluieren.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer von Power Cube Semi, erklärte: „Wir konnten unsere bestehende Erfahrung in der Entwicklung und Massenproduktion von 1700V SiC MOSFETs auf 2300V ausweiten.“
Veröffentlichungsdatum: 08.04.2024