Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt.
Im Vergleich zu bestehenden Halbleitern auf Si-Basis (Silizium) hält SiC (Siliziumkarbid) höheren Spannungen stand und gilt daher als die nächste Generation von Leistungshalbleitern. Es ist eine entscheidende Komponente für die Einführung modernster Technologien, wie beispielsweise die Verbreitung von Elektrofahrzeugen und den Ausbau von Rechenzentren auf Basis künstlicher Intelligenz.
Power Cube Semi ist ein Fabless-Unternehmen, das Leistungshalbleiterbauelemente in drei Hauptkategorien entwickelt: SiC (Siliziumkarbid), Si (Silizium) und Ga2O3 (Galliumoxid). Kürzlich hat das Unternehmen hochkapazitive Schottky-Barrieredioden (SBDs) an einen globalen Elektrofahrzeughersteller in China geliefert und damit Anerkennung für sein Halbleiterdesign und seine Technologie erlangt.
Die Veröffentlichung des 2300-V-SiC-MOSFET ist bemerkenswert, da es sich um die erste derartige Entwicklung in Südkorea handelt. Infineon, ein weltweit tätiges Leistungshalbleiterunternehmen mit Sitz in Deutschland, kündigte im März ebenfalls die Einführung seines 2000-V-Produkts an, allerdings ohne eine 2300-V-Produktreihe.
Der 2000-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse erfüllt die Anforderungen der Entwickler nach höherer Leistungsdichte und gewährleistet die Systemzuverlässigkeit auch unter strengen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen.
Der CoolSiC MOSFET bietet eine höhere Zwischenkreisspannung und ermöglicht so eine Leistungssteigerung ohne Stromerhöhung. Er ist das erste diskrete Siliziumkarbid-Bauelement auf dem Markt mit einer Durchbruchspannung von 2000 V und nutzt das TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einer Luftstrecke von 5,4 mm. Diese Bauelemente zeichnen sich durch geringe Schaltverluste aus und eignen sich für Anwendungen wie Solar-Strangwechselrichter, Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen.
Die CoolSiC MOSFET 2000V-Produktreihe eignet sich für Hochspannungs-DC-Bussysteme bis 1500 V DC. Im Vergleich zum 1700-V-SiC-MOSFET bietet dieses Bauelement ausreichend Überspannungsreserve für 1500-V-DC-Systeme. Der CoolSiC MOSFET bietet eine Schwellenspannung von 4,5 V und ist mit robusten Body-Dioden für harte Kommutierung ausgestattet. Dank der .XT-Anschlusstechnologie bieten diese Bauelemente ein hervorragendes thermisches Verhalten und hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit.
Zusätzlich zum 2000-V-CoolSiC-MOSFET wird Infineon im dritten bzw. letzten Quartal 2024 ergänzende CoolSiC-Dioden in den Gehäusen TO-247PLUS 4-Pin und TO-247-2 auf den Markt bringen. Diese Dioden eignen sich besonders für Solaranwendungen. Passende Gate-Treiber-Produktkombinationen sind ebenfalls erhältlich.
Die CoolSiC MOSFET 2000V-Produktreihe ist ab sofort auf dem Markt erhältlich. Darüber hinaus bietet Infineon passende Evaluierungsboards an: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Entwickler können dieses Board als präzise allgemeine Testplattform nutzen, um alle CoolSiC MOSFETs und Dioden mit einer Nennspannung von 2000 V sowie die kompakte einkanalige Isolations-Gate-Treiber-Produktreihe EiceDRIVER 1ED31xx im Dual-Puls- oder kontinuierlichen PWM-Betrieb zu evaluieren.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer von Power Cube Semi, erklärte: „Wir konnten unsere bestehende Erfahrung in der Entwicklung und Massenproduktion von 1700-V-SiC-MOSFETs auf 2300 V ausweiten.
Beitragszeit: 08.04.2024