Substrat
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Wärmemanagementmaterialien aus Diamant-Kupfer-Verbundwerkstoffen
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HPSI SiC-Wafer ≥90% Transmission Optische Qualität für KI/AR-Brillen
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Hochreines, halbisolierendes Siliziumkarbid (SiC)-Substrat für Argongläser
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4H-SiC-Epitaxie-Wafer für Ultrahochspannungs-MOSFETs (100–500 μm, 6 Zoll)
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SiC-Wafer (Siliziumkarbid auf Isolator) SiC-Film auf Silizium
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Saphir-Wafer-Rohling, hochreines Saphir-Rohsubstrat für die Weiterverarbeitung
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Quadratischer Saphir-Impfkristall – Präzisionsorientiertes Substrat für das Wachstum von synthetischem Saphir
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Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallsubstrat – 10×10mm Wafer
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4H-N HPSI SiC-Wafer, 6H-N 6H-P 3C-N SiC-Epitaxie-Wafer für MOS oder SBD
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SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungshalbleiter – 4H-SiC, N-Typ, geringe Defektdichte
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4H-N-Typ SiC-Epitaxiewafer für Hochspannung und Hochfrequenz
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8-Zoll-LNOI-Wafer (LiNbO3 auf Isolator) für optische Modulatoren, Wellenleiter und integrierte Schaltungen