4H-N/6H-N SiC-Wafer-Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat

Kurzbeschreibung:

Wir bieten Ihnen supraleitende Dünnschichtsubstrate für hohe Temperaturen, magnetische Dünnschichten und ferroelektrische Dünnschichtsubstrate sowie Halbleiterkristalle, optische Kristalle und Laserkristallmaterialien. Zusätzlich bieten wir Ihnen Orientierungs-, Schneide-, Schleif- und Polierdienstleistungen sowie weitere Bearbeitungsleistungen an. Unsere SiC-Substrate stammen von Tankeblue in China.

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Merkmale

Spezifikation für Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mit 6 Zoll Durchmesser

Grad	Null MPD	Produktion	Forschungsqualität	Dummy-Note
Durchmesser	150,0 mm ± 0,25 mm
Dicke	4H-N	350µm±25µm
	4H-SI	500µm±25µm
Wafer-Ausrichtung	Auf der Achse: <0001> ±0,5° für 4H-SI Abweichung von der Achse: 4,0° in Richtung <1120> ± 0,5° für 4H-N
Hauptwohnung	{10-10}±5,0°
Primäre Flachlänge	47,5 mm ± 2,5 mm
Randausschluss	3 mm
TTV/Bogen/Warp	≤15µm/≤40µm/≤60µm
Mikrorohrdichte	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Spezifischer Widerstand 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Rauheit	Polieren Ra ≤1 nm CMP Ra ≤0,5 nm
#Risse durch hochintensives Licht	Keiner		1 zulässig, ≤2 mm	Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
*Sechskantplatten durch Hochintensitätslicht	Kumulative Fläche ≤1%		Kumulative Fläche ≤ 2 %	Kumulative Fläche ≤ 5 %
*Polytypenbereiche durch hochintensives Licht	Keiner		Kumulative Fläche ≤ 2 %	Kumulative Fläche ≤ 5 %
*Kratzer durch intensives Licht	3 Kratzer ergeben eine kumulative Länge von 1 x Waferdurchmesser.		5 Kratzer ergeben eine kumulative Länge von 1 x Waferdurchmesser.	5 Kratzer pro 1 x Waferdurchmesser kumulative Länge
Kantensplitter	Keiner		3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm	5 Stück erlaubt, jeweils ≤ 1 mm
Kontamination durch hochintensives Licht	Keiner

Vertrieb & Kundenservice

Materialbeschaffung

Die Materialbeschaffungsabteilung ist für die Beschaffung aller zur Herstellung Ihres Produkts benötigten Rohstoffe zuständig. Die vollständige Rückverfolgbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemischer und physikalischer Analysen, ist jederzeit gewährleistet.

Qualität

Während und nach der Herstellung oder Bearbeitung Ihrer Produkte ist die Qualitätskontrollabteilung daran beteiligt, sicherzustellen, dass alle Materialien und Toleranzen Ihre Spezifikationen erfüllen oder übertreffen.

Service

Wir sind stolz darauf, Vertriebsingenieure mit über 5 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie zu beschäftigen. Sie sind darin geschult, technische Fragen zu beantworten und Ihnen zeitnah Angebote zu erstellen.

Wir sind jederzeit für Sie da, wenn Sie ein Problem haben, und lösen es innerhalb von 10 Stunden.