12 Zoll Dia300x1,0mmt Saphir-Wafer-Substrat C-Plane SSP/DSP
Marktsituation für 12-Zoll-Saphirsubstrate
Saphir hat derzeit zwei Hauptverwendungszwecke: Zum einen dient er als Substratmaterial, hauptsächlich für LEDs, zum anderen wird er für Zifferblätter, in der Luft- und Raumfahrt sowie für spezielle Fertigungsfenster verwendet.
Obwohl neben Saphir auch Siliziumkarbid, Silizium und Galliumnitrid als Substrate für LEDs verfügbar sind, ist eine Massenproduktion aufgrund der Kosten und einiger ungelöster technischer Hürden noch nicht möglich. Durch die technische Entwicklung der letzten Jahre wurden die Gitteranpassung, die elektrische Leitfähigkeit, die mechanischen und thermischen Eigenschaften von Saphirsubstraten erheblich verbessert und optimiert. Der Kostenvorteil ist beträchtlich, sodass Saphir sich zum ausgereiftesten und stabilsten Substratmaterial in der LED-Industrie entwickelt hat und mit einem Marktanteil von bis zu 90 % weit verbreitet ist.
Charakteristik des 12-Zoll-Saphirwafer-Substrats
1. Die Oberflächen des Saphirsubstrats weisen eine extrem geringe Partikelanzahl auf, mit weniger als 50 Partikeln mit einer Größe von 0,3 Mikrometern oder größer pro 2 Zoll im Größenbereich von 2 bis 8 Zoll. Die Konzentrationen der Hauptmetalle (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) liegen unter 2 × 10¹⁰/cm². Es wird erwartet, dass das 12-Zoll-Basismaterial diese Qualität ebenfalls erreicht.
2. Kann als Trägerwafer für den 12-Zoll-Halbleiterherstellungsprozess (In-Device-Transportpaletten) und als Substrat für Bonding verwendet werden.
3. Kann die Form von konkaven und konvexen Oberflächen steuern.
Material: Hochreines einkristallines Al2O3, Saphirwafer.
LED-Qualität, keine Blasen, Risse, Doppelbilder, Linien, Farbunterschiede usw.
12-Zoll-Saphirwafer
| Orientierung | C-Ebene<0001> +/- 1 Grad. |
| Durchmesser | 300,0 +/-0,25 mm |
| Dicke | 1,0 +/-25µm |
| Kerbe | Kerbe oder flach |
| TTV | <50µm |
| BOGEN | <50µm |
| Kanten | Proaktive Fase |
| Vorderseite – poliert 80/50 | |
| Lasermarkierung | Keiner |
| Verpackung | Einzelwafer-Trägerbox |
| Vorderseite Epi fertig poliert (Ra <0,3 nm) | |
| Rückseite Epi fertig poliert (Ra <0,3 nm) | |
Detailliertes Diagramm
