Branchen-News
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Laserschneiden wird sich in Zukunft zur gängigen Technologie für das Schneiden von 8-Zoll-Siliziumkarbid entwickeln. Fragen und Antworten
F: Welche Technologien werden hauptsächlich beim Schneiden und Verarbeiten von SiC-Wafern eingesetzt? A: Siliziumkarbid (SiC) ist nach Diamant am härtesten und gilt als sehr hartes und sprödes Material. Der Schneidprozess, bei dem gewachsene Kristalle in dünne Wafer geschnitten werden, ist zeitaufwändig und anfällig …Mehr lesen -
Aktueller Stand und Trends der SiC-Wafer-Verarbeitungstechnologie
Als Halbleitersubstratmaterial der dritten Generation bietet Siliziumkarbid (SiC)-Einkristall breite Anwendungsmöglichkeiten bei der Herstellung von Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräten. Die SiC-Verarbeitungstechnologie spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung hochwertiger Substrate.Mehr lesen -
Der aufsteigende Stern der dritten Halbleitergeneration: Galliumnitrid mehrere neue Wachstumspunkte in der Zukunft
Im Vergleich zu Siliziumkarbid-Bauelementen bieten Leistungsbauelemente aus Galliumnitrid in Szenarien, in denen Effizienz, Frequenz, Volumen und andere umfassende Aspekte gleichzeitig erforderlich sind, größere Vorteile. So wurden beispielsweise Bauelemente auf Galliumnitridbasis erfolgreich eingesetzt.Mehr lesen -
Die Entwicklung der heimischen GaN-Industrie wurde beschleunigt
Die Nutzung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen nimmt unter der Führung chinesischer Anbieter von Unterhaltungselektronik dramatisch zu. Der Markt für GaN-Leistungsbauelemente dürfte bis 2027 ein Volumen von 2 Milliarden US-Dollar erreichen (im Jahr 2021 waren es noch 126 Millionen US-Dollar). Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber von Galliumnitrid.Mehr lesen