Branchen-News
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Das Ende einer Ära? Wolfspeed-Pleite verändert die SiC-Landschaft
Wolfspeed-Insolvenz markiert wichtigen Wendepunkt für die SiC-Halbleiterindustrie Wolfspeed, ein langjähriger Marktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC), hat diese Woche Insolvenz angemeldet. Dies markiert einen bedeutenden Wandel in der globalen SiC-Halbleiterlandschaft. Das Unternehmen...Mehr lesen -
Ein umfassender Überblick über Dünnschichtabscheidungstechniken: MOCVD, Magnetronsputtern und PECVD
In der Halbleiterfertigung werden neben Fotolithografie und Ätzen vor allem epitaktische oder Dünnschichtabscheidungsverfahren verwendet. Dieser Artikel stellt verschiedene gängige Dünnschichtabscheidungsverfahren vor, darunter MOCVD, Magnetresonanztomographie (MOCVD), ...Mehr lesen -
Saphir-Thermoelement-Schutzrohre: Präzise Temperaturmessung in rauen Industrieumgebungen
1. Temperaturmessung – Das Rückgrat der industriellen Steuerung Moderne Industrien arbeiten unter zunehmend komplexen und extremen Bedingungen. Eine genaue und zuverlässige Temperaturüberwachung ist unerlässlich geworden. Unter den verschiedenen Sensortechnologien sind Thermoelemente dank ... weit verbreitet.Mehr lesen -
Siliziumkarbid bringt AR-Brillen zum Leuchten und eröffnet grenzenlose neue visuelle Erlebnisse
Die Geschichte der menschlichen Technologie lässt sich oft als ein unermüdliches Streben nach „Verbesserungen“ betrachten – nach externen Werkzeugen, die die natürlichen Fähigkeiten erweitern. Feuer beispielsweise diente als zusätzliches Verdauungssystem und setzte mehr Energie für die Gehirnentwicklung frei. Das Radio, das im späten 19. Jahrhundert entstand, wurde …Mehr lesen -
Laserschneiden wird in Zukunft die gängige Technologie zum Schneiden von 8-Zoll-Siliziumkarbid sein. Fragen und Antworten
F: Welche Technologien werden hauptsächlich beim Schneiden und Verarbeiten von SiC-Wafern eingesetzt? A: Siliziumkarbid (SiC) ist nach Diamanten am härtesten und gilt als sehr hartes und sprödes Material. Der Schneidprozess, bei dem gewachsene Kristalle in dünne Wafer geschnitten werden, ist...Mehr lesen -
Aktueller Stand und Trends der SiC-Wafer-Verarbeitungstechnologie
Als Halbleitersubstratmaterial der dritten Generation bietet Siliziumkarbid (SiC)-Einkristall breite Anwendungsmöglichkeiten bei der Herstellung von Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräten. Die Verarbeitungstechnologie von SiC spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung hochwertiger Substrate...Mehr lesen -
Der aufsteigende Stern der Halbleiter der dritten Generation: Galliumnitrid mehrere neue Wachstumspunkte in der Zukunft
Im Vergleich zu Siliziumkarbid-Bauelementen bieten Leistungsbauelemente aus Galliumnitrid in Szenarien, in denen Effizienz, Frequenz, Volumen und andere umfassende Aspekte gleichzeitig erforderlich sind, größere Vorteile. So wurden beispielsweise Bauelemente auf Galliumnitridbasis erfolgreich eingesetzt.Mehr lesen -
Die Entwicklung der heimischen GaN-Industrie wurde beschleunigt
Die Verbreitung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen nimmt unter der Führung chinesischer Anbieter von Unterhaltungselektronik dramatisch zu. Der Markt für Leistungsbauelemente aus GaN dürfte bis 2027 ein Volumen von 2 Milliarden US-Dollar erreichen (im Jahr 2021 lag er noch bei 126 Millionen US-Dollar). Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber von Galliumnitrid...Mehr lesen