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Der aufsteigende Stern der Halbleiter der dritten Generation: Galliumnitrid weist in der Zukunft mehrere neue Wachstumspunkte auf
von Admin am 23.07.27
Im Vergleich zu Siliziumkarbid-Geräten bieten Galliumnitrid-Leistungsgeräte mehr Vorteile in Szenarien, in denen Effizienz, Frequenz, Volumen und andere umfassende Aspekte gleichzeitig erforderlich sind, wie z. B. Geräte auf Galliumnitrid-Basis, die erfolgreich eingesetzt werden ...
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Die Entwicklung der heimischen GaN-Industrie wurde beschleunigt
von Admin am 23.04.18
Die Akzeptanz von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsgeräten nimmt dramatisch zu, angeführt von chinesischen Anbietern von Unterhaltungselektronik, und der Markt für Leistungs-GaN-Geräte wird bis 2027 voraussichtlich 2 Milliarden US-Dollar erreichen, gegenüber 126 Millionen US-Dollar im Jahr 2021. Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber von Gallium-Ni...
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