Unternehmensnachrichten

  • LiTaO3-Wafer-PIC – Verlustarmer Lithiumtantalat-auf-Isolator-Wellenleiter für nichtlineare On-Chip-Photonik

    LiTaO3-Wafer-PIC – Verlustarmer Lithiumtantalat-auf-Isolator-Wellenleiter für nichtlineare On-Chip-Photonik

    Zusammenfassung: Wir haben einen Lithiumtantalat-Wellenleiter auf Isolatorbasis mit einer Wellenlänge von 1550 nm, einer Dämpfung von 0,28 dB/cm und einem Gütefaktor des Ringresonators von 1,1 Millionen entwickelt. Die Anwendung der χ(3)-Nichtlinearität in der nichtlinearen Photonik wurde untersucht. Die Vorteile von Lithiumniobat...
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  • XKH-Wissensaustausch – Was ist Wafer-Dicing-Technologie?

    XKH-Wissensaustausch – Was ist Wafer-Dicing-Technologie?

    Die Wafer-Vereinzelungstechnologie ist ein entscheidender Schritt im Halbleiterfertigungsprozess und hat direkten Einfluss auf Chip-Performance, Ausbeute und Produktionskosten. #01 Hintergrund und Bedeutung der Wafer-Vereinzelung 1.1 Definition der Wafer-Vereinzelung Die Wafer-Vereinzelung (auch bekannt als Wafer-Vereinzelung)...
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  • Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI): Das nächste Starmaterial für Hochgeschwindigkeitsmodulatoren?

    Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI): Das nächste Starmaterial für Hochgeschwindigkeitsmodulatoren?

    Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI) entwickelt sich zu einem bedeutenden neuen Material im Bereich der integrierten Optik. In diesem Jahr wurden mehrere hochrangige Arbeiten zu LTOI-Modulatoren veröffentlicht, wobei die hochwertigen LTOI-Wafer von Professor Xin Ou vom Shanghai Institute of Technology bereitgestellt wurden.
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  • Tiefes Verständnis des SPC-Systems in der Waferfertigung

    Tiefes Verständnis des SPC-Systems in der Waferfertigung

    Statistische Prozesskontrolle (SPC) ist ein entscheidendes Werkzeug im Wafer-Herstellungsprozess und dient der Überwachung, Steuerung und Verbesserung der Stabilität verschiedener Fertigungsstufen. 1. Überblick über das SPC-System: SPC ist eine Methode, die statistische Verfahren nutzt, um die Stabilität verschiedener Fertigungsstufen zu überwachen, zu steuern und zu verbessern.
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  • Warum wird die Epitaxie auf einem Wafer-Substrat durchgeführt?

    Warum wird die Epitaxie auf einem Wafer-Substrat durchgeführt?

    Das Aufwachsen einer zusätzlichen Siliziumatomschicht auf einem Siliziumwafer-Substrat bietet mehrere Vorteile: In CMOS-Siliziumprozessen ist das epitaktische Wachstum (EPI) auf dem Wafer-Substrat ein kritischer Prozessschritt. 1. Verbesserung der Kristallqualität...
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  • Prinzipien, Prozesse, Methoden und Ausrüstung für die Waferreinigung

    Prinzipien, Prozesse, Methoden und Ausrüstung für die Waferreinigung

    Die Nassreinigung ist einer der entscheidenden Schritte in der Halbleiterfertigung und dient dazu, verschiedene Verunreinigungen von der Waferoberfläche zu entfernen, um sicherzustellen, dass die nachfolgenden Prozessschritte auf einer sauberen Oberfläche durchgeführt werden können.
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  • Der Zusammenhang zwischen Kristallflächen und Kristallorientierung.

    Der Zusammenhang zwischen Kristallflächen und Kristallorientierung.

    Kristallflächen und Kristallorientierung sind zwei Kernkonzepte der Kristallographie, die eng mit der Kristallstruktur in der Silizium-basierten integrierten Schaltungstechnik verknüpft sind. 1. Definition und Eigenschaften der Kristallorientierung: Die Kristallorientierung beschreibt eine spezifische Richtung…
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