Die Verwendung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern nimmt rasant zu, angeführt von chinesischen Herstellern von Unterhaltungselektronik. Der Markt für GaN-Leistungshalbleiter soll bis 2027 ein Volumen von 2 Milliarden US-Dollar erreichen, gegenüber 126 Millionen US-Dollar im Jahr 2021. Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber für die Verbreitung von Galliumnitrid. Prognosen zufolge wird die Nachfrage nach GaN-Leistungshalbleitern in diesem Markt von 79,6 Millionen US-Dollar im Jahr 2021 auf 964,7 Millionen US-Dollar im Jahr 2027 steigen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 52 Prozent entspricht.
GaN-Bauelemente zeichnen sich durch hohe Stabilität, gute Hitzebeständigkeit, elektrische Leitfähigkeit und Wärmeableitung aus. Im Vergleich zu Siliziumbauteilen weisen GaN-Bauelemente eine höhere Elektronendichte und -beweglichkeit auf. Sie werden hauptsächlich im Markt für Unterhaltungselektronik zum Schnellladen sowie in Kommunikations- und Breitbandanwendungen eingesetzt.
Branchenkenner erklärten, dass der Markt für Unterhaltungselektronik zwar weiterhin schwach sei, die Aussichten für GaN-Bauelemente jedoch positiv blieben. Chinesische Hersteller haben sich im GaN-Markt in den Bereichen Substrat, Epitaxie, Design und Auftragsfertigung engagiert. Die beiden wichtigsten Hersteller im chinesischen GaN-Ökosystem sind Innoseco und Xiamen SAN 'an IC.
Zu den weiteren chinesischen Unternehmen im GaN-Sektor gehören der Substrathersteller Suzhou Nawei Technology Co., LTD., Dongguan Zhonggan Semiconductor Technology Co., LTD., der Epitaxie-Anbieter Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., LTD., Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., LTD. und Chengdu Haiwei Huaxin Technology Co., LTD.
Suzhou Nawei Technology widmet sich der Forschung, Entwicklung und Industrialisierung von Galliumnitrid (GaN)-Einkristallsubstraten, dem Schlüsselmaterial für Halbleiter der dritten Generation. Nach zehn Jahren intensiver Bemühungen hat Nawei Technology die Produktion von 2-Zoll-GaN-Einkristallsubstraten realisiert, die Entwicklung der Technologie für 4-Zoll-Produkte abgeschlossen und die Schlüsseltechnologie für 6-Zoll-Substrate erfolgreich umgesetzt. Das Unternehmen ist derzeit das einzige in China und eines der wenigen weltweit, das 2-Zoll-GaN-Einkristallprodukte in großen Mengen anbieten kann. Die Leistungskennzahlen der Galliumnitridprodukte sind weltweit führend. In den nächsten drei Jahren werden wir uns darauf konzentrieren, unseren technologischen Vorsprung in einen globalen Marktvorteil umzuwandeln.
Mit zunehmender Reife der GaN-Technologie werden sich ihre Anwendungsbereiche von Schnellladegeräten für Unterhaltungselektronik bis hin zu Netzteilen für PCs, Server und Fernseher ausweiten. Sie werden auch in Autoladegeräten und Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge weit verbreitet sein.
Veröffentlichungsdatum: 18. April 2023