Die Nutzung von Leistungsbauelementen aus Galliumnitrid (GaN) nimmt, angeführt von chinesischen Anbietern von Unterhaltungselektronik, dramatisch zu. Der Markt für Leistungs-GaN-Bauelemente soll bis 2027 ein Volumen von 2 Milliarden US-Dollar erreichen, gegenüber 126 Millionen US-Dollar im Jahr 2021. Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber der Galliumnitrid-Nutzung. Die Agentur prognostiziert, dass die Nachfrage nach Leistungs-GaN im Unterhaltungselektronikmarkt von 79,6 Millionen US-Dollar im Jahr 2021 auf 964,7 Millionen US-Dollar im Jahr 2027 steigen wird, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 52 Prozent entspricht.
GaN-Bauelemente zeichnen sich durch hohe Stabilität, gute Hitzebeständigkeit, elektrische Leitfähigkeit und Wärmeableitung aus. Im Vergleich zu Siliziumbauelementen weisen GaN-Bauelemente eine höhere Elektronendichte und -beweglichkeit auf. GaN-Bauelemente werden hauptsächlich in der Unterhaltungselektronik zum Schnellladen sowie in Kommunikations- und Breitbandanwendungen eingesetzt.
Branchenkenner sagten, dass der Markt für Unterhaltungselektronik zwar weiterhin schwach sei, die Aussichten für GaN-Bauelemente jedoch weiterhin rosig seien. Chinesische Hersteller haben sich im GaN-Markt in den Bereichen Substrate, Epitaxie, Design und Auftragsfertigung engagiert. Die beiden wichtigsten Hersteller im chinesischen GaN-Ökosystem sind Innoseco und Xiamen SAN'an IC.
Zu den weiteren chinesischen Unternehmen im GaN-Sektor gehören der Substrathersteller Suzhou Nawei Technology Co., LTD., Dongguan Zhonggan Semiconductor Technology Co., LTD., der Epitaxie-Lieferant Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., LTD., Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., LTD. und Chengdu Haiwei Huaxin Technology Co., LTD.
Suzhou Nawei Technology engagiert sich in der Forschung, Entwicklung und Industrialisierung von Galliumnitrid-Einkristallsubstraten (GaN), dem Kernmaterial der dritten Halbleitergeneration. Nach zehnjähriger Arbeit hat Nawei Technology die Produktion von 2-Zoll-GaN-Einkristallsubstraten realisiert, die technische Entwicklung von 4-Zoll-Produkten abgeschlossen und die Schlüsseltechnologie für 6-Zoll-Produkte durchbrochen. Das Unternehmen ist nun das einzige Unternehmen in China und eines der wenigen weltweit, das 2-Zoll-GaN-Einkristallprodukte in großen Mengen anbieten kann. Der Leistungsindex für Galliumnitrid-Produkte ist weltweit führend. In den nächsten drei Jahren werden wir uns darauf konzentrieren, unseren technologischen Vorsprung in einen globalen Marktvorteil umzuwandeln.
Mit der Weiterentwicklung der GaN-Technologie werden sich ihre Einsatzmöglichkeiten von Schnellladegeräten für Unterhaltungselektronik bis hin zu Stromversorgungen für PCs, Server und Fernseher erweitern. Sie werden auch in Autoladegeräten und Konvertern für Elektrofahrzeuge weit verbreitet sein.
Veröffentlichungszeit: 18. April 2023