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Die Beziehung zwischen Kristallebenen und Kristallorientierung.
Kristallebenen und Kristallorientierung sind zwei Kernkonzepte der Kristallographie, die eng mit der Kristallstruktur in der siliziumbasierten integrierten Schaltkreistechnologie verbunden sind. 1. Definition und Eigenschaften der Kristallorientierung Die Kristallorientierung stellt eine bestimmte Richtung dar...Mehr lesen -
Welche Vorteile bieten Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Prozesse gegenüber TGV?
Die Vorteile der Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV sind hauptsächlich: (1) hervorragende elektrische Hochfrequenzeigenschaften. Glasmaterial ist ein Isolatormaterial, die Dielektrizitätskonstante beträgt nur etwa 1/3 der von Siliziummaterial und der Verlustfaktor beträgt 2-...Mehr lesen -
Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen
Siliziumkarbidsubstrate werden in halbisolierende und leitfähige Substrate unterteilt. Die gängige Spezifikation für halbisolierte Siliziumkarbidsubstrate beträgt derzeit 4 Zoll. Leitfähige Siliziumkarbidsubstrate sind ...Mehr lesen -
Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphir-Wafern mit unterschiedlichen Kristallorientierungen?
Saphir ist ein Einkristall aus Aluminiumoxid, gehört zum dreigliedrigen Kristallsystem mit hexagonaler Struktur, seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen in kovalenter Bindungsart, sehr eng angeordnet, mit starker Bindungskette und Gitterenergie, während seine Kristallstruktur...Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen einem leitfähigen SiC-Substrat und einem halbisolierten Substrat?
SiC-Siliziumkarbid-Bauelemente sind Bauelemente aus Siliziumkarbid als Rohmaterial. Je nach Widerstandseigenschaften werden sie in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente und halbisolierte Siliziumkarbid-HF-Bauelemente unterteilt. Die wichtigsten Bauelemente sind:Mehr lesen -
Ein Artikel führt Sie zu einem Meister des TGV
Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via) ist eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern in einem Glassubstrat. Einfach ausgedrückt ist TGV ein Hochhaus, bei dem das Glas gestanzt, gefüllt und von oben nach unten verbunden wird, um integrierte Schaltkreise auf der Glasplatte zu bauen.Mehr lesen -
Welche Indikatoren gibt es zur Bewertung der Waferoberflächenqualität?
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie sind in der Halbleiterindustrie und sogar in der Photovoltaikindustrie auch die Anforderungen an die Oberflächenqualität des Wafersubstrats oder der Epitaxiefolie sehr streng. Welche Qualitätsanforderungen gelten also für …Mehr lesen -
Wie viel wissen Sie über den Wachstumsprozess von SiC-Einkristallen?
Siliziumkarbid (SiC) spielt als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eine immer wichtigere Rolle in der Anwendung moderner Wissenschaft und Technologie. Siliziumkarbid verfügt über eine ausgezeichnete thermische Stabilität, eine hohe elektrische Feldtoleranz, eine gezielte Leitfähigkeit und ...Mehr lesen -
Der Durchbruchskampf der inländischen SiC-Substrate
In den letzten Jahren hat SiC als neues Halbleitermaterial mit der zunehmenden Verbreitung nachgelagerter Anwendungen wie Fahrzeugen mit alternativer Energie, Photovoltaik-Stromerzeugung und Energiespeicherung eine wichtige Rolle in diesen Bereichen gespielt. Laut...Mehr lesen -
SiC-MOSFET, 2300 Volt.
Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt. Im Vergleich zu bestehenden Halbleitern auf Si-Basis (Siliziumkarbid) kann SiC (Siliziumkarbid) höhere Spannungen aushalten und wird daher als ... gefeiert.Mehr lesen -
Ist die Erholung der Halbleiterbranche nur eine Illusion?
Von 2021 bis 2022 gab es aufgrund der besonderen Nachfrage infolge des COVID-19-Ausbruchs ein schnelles Wachstum auf dem globalen Halbleitermarkt. Da die durch die COVID-19-Pandemie verursachte besondere Nachfrage jedoch in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 endete und in ... einbrach,Mehr lesen -
Im Jahr 2024 gingen die Investitionen in Halbleiter zurück
Am Mittwoch kündigte Präsident Biden eine Vereinbarung an, die Intel im Rahmen des CHIPS and Science Act 8,5 Milliarden US-Dollar an Direktfinanzierung und 11 Milliarden US-Dollar an Darlehen gewährt. Intel wird diese Mittel für seine Waferfabriken in Arizona, Ohio, New Mexico und Oregon verwenden. Wie in unserem... berichtet,Mehr lesen