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Siliziumkarbid-Keramik vs. Halbleiter-Siliziumkarbid: Das gleiche Material mit zwei unterschiedlichen Schicksalen
Siliciumcarbid (SiC) ist eine bemerkenswerte Verbindung, die sowohl in der Halbleiterindustrie als auch in Hochleistungskeramikprodukten Verwendung findet. Dies führt häufig zu Verwechslungen bei Laien, die die beiden Produkte fälschlicherweise für ein und dasselbe halten. Tatsächlich weisen SiC-Produkte trotz identischer chemischer Zusammensetzung jedoch unterschiedliche Eigenschaften auf.Mehr lesen -
Fortschritte bei den Herstellungstechnologien für hochreine Siliciumcarbidkeramik
Hochreine Siliciumcarbid-Keramiken (SiC) haben sich aufgrund ihrer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, chemischen Stabilität und mechanischen Festigkeit als ideale Werkstoffe für kritische Komponenten in der Halbleiter-, Luft- und Raumfahrt- sowie Chemieindustrie etabliert. Mit steigenden Anforderungen an leistungsstarke, umweltfreundliche Werkstoffe…Mehr lesen -
Technische Grundlagen und Prozesse von LED-Epitaxiewafern
Aus dem Funktionsprinzip von LEDs geht hervor, dass das Epitaxie-Wafermaterial die Kernkomponente einer LED darstellt. Tatsächlich werden wichtige optoelektronische Parameter wie Wellenlänge, Helligkeit und Durchlassspannung maßgeblich vom Epitaxie-Material bestimmt. Epitaxie-Wafer-Technologie und -Ausrüstung...Mehr lesen -
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliciumcarbid-Einkristalle
Zu den wichtigsten Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristallen zählen die physikalische Dampftransportmethode (PVT), das Top-Seeded Solution Growth (TSSG) und die Hochtemperatur-CVD (HT-CVD). Die PVT-Methode ist aufgrund ihrer einfachen Ausrüstung und der leichten Handhabung in der industriellen Produktion weit verbreitet.Mehr lesen -
Lithiumniobat auf Isolator (LNOI): Treiber der Weiterentwicklung photonischer integrierter Schaltungen
Einleitung: Inspiriert vom Erfolg elektronischer integrierter Schaltungen (EICs) hat sich das Gebiet der photonischen integrierten Schaltungen (PICs) seit seinen Anfängen im Jahr 1969 stetig weiterentwickelt. Im Gegensatz zu EICs besteht jedoch weiterhin die Herausforderung, eine universelle Plattform zu entwickeln, die vielfältige photonische Anwendungen unterstützt.Mehr lesen -
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliciumcarbid (SiC)-Einkristalle
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliciumcarbid-Einkristalle (SiC): Zu den wichtigsten Methoden zur Züchtung von Siliciumcarbid-Einkristallen gehören die physikalische Dampftransportabscheidung (PVT), das Top-Seeded Solution Growth (TSSG) und die Hochtemperatur-Chemie...Mehr lesen -
Epitaxialwafer-Technologie der nächsten Generation für LEDs: Die Zukunft der Beleuchtung
LEDs erhellen unsere Welt, und das Herzstück jeder Hochleistungs-LED ist der Epitaxie-Wafer – eine entscheidende Komponente, die Helligkeit, Farbe und Effizienz bestimmt. Durch die Beherrschung der Wissenschaft des Epitaxie-Wachstums …Mehr lesen -
Das Ende einer Ära? Die Insolvenz von Wolfspeed verändert die SiC-Landschaft
Wolfspeed-Insolvenz markiert Wendepunkt für die SiC-Halbleiterindustrie. Wolfspeed, ein langjähriger Marktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC), hat diese Woche Insolvenz angemeldet. Dies bedeutet eine bedeutende Veränderung in der globalen SiC-Halbleiterlandschaft. Das Unternehmen…Mehr lesen -
Umfassende Analyse der Spannungsbildung in Quarzglas: Ursachen, Mechanismen und Auswirkungen
1. Thermische Spannungen beim Abkühlen (Hauptursache): Quarzglas erzeugt unter ungleichmäßigen Temperaturbedingungen Spannungen. Bei jeder Temperatur erreicht die Atomstruktur von Quarzglas eine relativ „optimale“ räumliche Konfiguration. Mit der Temperaturänderung verändert sich die Atomverteilung…Mehr lesen -
Ein umfassender Leitfaden zu Siliziumkarbid-Wafern/SiC-Wafern
Zusammenfassung zu SiC-Wafern: Siliziumkarbid (SiC)-Wafer haben sich zum bevorzugten Substrat für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturelektronik in den Bereichen Automobil, erneuerbare Energien und Luft- und Raumfahrt entwickelt. Unser Portfolio umfasst wichtige Polytypen…Mehr lesen -
Ein umfassender Überblick über Dünnschichtabscheidungstechniken: MOCVD, Magnetron-Sputtern und PECVD
In der Halbleiterfertigung werden zwar Fotolithografie und Ätzen am häufigsten als Prozesse genannt, doch sind epitaktische Abscheidungstechniken bzw. Dünnschichtabscheidungsverfahren ebenso wichtig. Dieser Artikel stellt einige gängige Dünnschichtabscheidungsverfahren vor, die in der Chipherstellung eingesetzt werden, darunter MOCVD, Magnetresonanztomografie usw.Mehr lesen -
Saphir-Thermoelement-Schutzrohre: Fortschritte bei der präzisen Temperaturmessung in rauen Industrieumgebungen
1. Temperaturmessung – Das Rückgrat der industriellen Steuerung: In modernen Industrien, die unter zunehmend komplexen und extremen Bedingungen arbeiten, ist eine genaue und zuverlässige Temperaturüberwachung unerlässlich geworden. Unter den verschiedenen Sensortechnologien sind Thermoelemente aufgrund ihrer Eigenschaften weit verbreitet…Mehr lesen