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  • Die Beziehung zwischen Kristallebenen und Kristallorientierung.

    Die Beziehung zwischen Kristallebenen und Kristallorientierung.

    Kristallebenen und Kristallorientierung sind zwei Kernkonzepte der Kristallographie, die eng mit der Kristallstruktur in der Silizium-basierten integrierten Schaltkreistechnologie verbunden sind. 1. Definition und Eigenschaften der Kristallorientierung Die Kristallorientierung stellt eine bestimmte Richtung dar...
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  • Welche Vorteile bieten Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV?

    Welche Vorteile bieten Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV?

    Die Vorteile von Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV liegen hauptsächlich in: (1) hervorragenden elektrischen Hochfrequenzeigenschaften. Glas ist ein Isolatormaterial, dessen Dielektrizitätskonstante nur etwa ein Drittel der von Silizium beträgt und dessen Verlustfaktor 2-...
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  • Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen

    Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen

    Siliziumkarbidsubstrate werden in halbisolierende und leitfähige Substrate unterteilt. Die gängige Spezifikation für halbisolierte Siliziumkarbidsubstrate beträgt derzeit 4 Zoll. Im leitfähigen Siliziumkarbid-Substrat ...
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  • Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphir-Wafern mit unterschiedlicher Kristallorientierung?

    Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphir-Wafern mit unterschiedlicher Kristallorientierung?

    Saphir ist ein Einkristall aus Aluminiumoxid, gehört zum dreigliedrigen Kristallsystem, hat eine hexagonale Struktur, seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen in kovalenter Bindungsart, sehr eng angeordnet, mit starker Bindungskette und Gitterenergie, während seine Kristallstruktur...
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  • Was ist der Unterschied zwischen einem leitfähigen SiC-Substrat und einem halbisolierten Substrat?

    Was ist der Unterschied zwischen einem leitfähigen SiC-Substrat und einem halbisolierten Substrat?

    SiC-Siliziumkarbid-Bauelemente bestehen aus Siliziumkarbid als Rohmaterial. Je nach Widerstandseigenschaften werden sie in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente und halbisolierte Siliziumkarbid-HF-Bauelemente unterteilt. Die wichtigsten Bauelemente sind:
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  • Ein Artikel führt Sie zu einem Meister des TGV

    Ein Artikel führt Sie zu einem Meister des TGV

    Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via) ist eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern in einem Glassubstrat. Vereinfacht ausgedrückt ist TGV ein Hochhaus, bei dem das Glas gestanzt, gefüllt und von oben nach unten verbunden wird, um integrierte Schaltkreise auf der Glasplatte zu bauen.
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  • Welche Indikatoren gibt es zur Bewertung der Qualität einer Waferoberfläche?

    Welche Indikatoren gibt es zur Bewertung der Qualität einer Waferoberfläche?

    Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie werden in der Halbleiterindustrie und sogar in der Photovoltaikindustrie auch die Anforderungen an die Oberflächenqualität des Wafersubstrats oder der Epitaxiefolie sehr streng. Welche Qualitätsanforderungen gelten also für...
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  • Wie viel wissen Sie über den Wachstumsprozess von SiC-Einkristallen?

    Wie viel wissen Sie über den Wachstumsprozess von SiC-Einkristallen?

    Siliziumkarbid (SiC) spielt als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eine immer wichtigere Rolle in der modernen Wissenschaft und Technologie. Siliziumkarbid verfügt über eine ausgezeichnete thermische Stabilität, eine hohe elektrische Feldtoleranz, eine gezielte Leitfähigkeit und...
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  • Der Durchbruchskampf der inländischen SiC-Substrate

    Der Durchbruchskampf der inländischen SiC-Substrate

    In den letzten Jahren hat SiC als neues Halbleitermaterial mit der zunehmenden Verbreitung nachgelagerter Anwendungen wie Fahrzeugen mit alternativer Energie, Photovoltaik und Energiespeicherung eine wichtige Rolle in diesen Bereichen gespielt. Laut...
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  • SiC-MOSFET, 2300 Volt.

    SiC-MOSFET, 2300 Volt.

    Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt. Im Vergleich zu bestehenden Halbleitern auf Si-Basis (Siliziumkarbid) hält SiC (Siliziumkarbid) höheren Spannungen stand und gilt daher als …
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  • Ist die Erholung der Halbleiterbranche nur eine Illusion?

    Ist die Erholung der Halbleiterbranche nur eine Illusion?

    Von 2021 bis 2022 verzeichnete der globale Halbleitermarkt aufgrund der besonderen Nachfrage infolge des COVID-19-Ausbruchs ein rasantes Wachstum. Da die durch die COVID-19-Pandemie verursachte besondere Nachfrage jedoch in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 endete und in ... einbrach,
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  • Im Jahr 2024 gingen die Investitionen in Halbleiter zurück

    Im Jahr 2024 gingen die Investitionen in Halbleiter zurück

    Am Mittwoch gab Präsident Biden bekannt, dass Intel im Rahmen des CHIPS and Science Act 8,5 Milliarden US-Dollar an Direktfinanzierung und 11 Milliarden US-Dollar an Darlehen erhält. Intel wird diese Mittel für seine Waferfabriken in Arizona, Ohio, New Mexico und Oregon verwenden. Wie in unserem... berichtet,
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