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Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI): Das nächste Starmaterial für Hochgeschwindigkeitsmodulatoren?
Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI) entwickelt sich zu einem wichtigen neuen Werkstoff im Bereich der integrierten Optik. In diesem Jahr wurden mehrere hochkarätige Arbeiten zu LTOI-Modulatoren veröffentlicht. Professor Xin Ou vom Shanghai Institute of Technology (Shanghai Institute of Technology) stellte hierfür hochwertige LTOI-Wafer zur Verfügung.Mehr lesen -
Tiefgreifendes Verständnis des SPC-Systems in der Waferherstellung
SPC (Statistische Prozesskontrolle) ist ein wichtiges Werkzeug im Waferherstellungsprozess und dient der Überwachung, Steuerung und Verbesserung der Stabilität verschiedener Fertigungsphasen. 1. Überblick über das SPC-System SPC ist eine Methode, die Sta...Mehr lesen -
Warum wird Epitaxie auf einem Wafersubstrat durchgeführt?
Das Aufwachsen einer zusätzlichen Schicht aus Siliziumatomen auf einem Silizium-Wafersubstrat hat mehrere Vorteile: Bei CMOS-Siliziumprozessen ist das epitaktische Wachstum (EPI) auf dem Wafersubstrat ein kritischer Prozessschritt. 1. Verbesserung der Kristallqualität...Mehr lesen -
Prinzipien, Prozesse, Methoden und Geräte zur Waferreinigung
Die Nassreinigung (Wet Clean) ist einer der entscheidenden Schritte bei der Herstellung von Halbleitern. Ihr Ziel ist es, verschiedene Verunreinigungen von der Oberfläche des Wafers zu entfernen, um sicherzustellen, dass nachfolgende Prozessschritte auf einer sauberen Oberfläche durchgeführt werden können. ...Mehr lesen -
Die Beziehung zwischen Kristallebenen und Kristallorientierung.
Kristallebenen und Kristallorientierung sind zwei Kernkonzepte der Kristallographie, die eng mit der Kristallstruktur in der Silizium-basierten integrierten Schaltkreistechnologie verbunden sind. 1. Definition und Eigenschaften der Kristallorientierung Die Kristallorientierung stellt eine bestimmte Richtung dar...Mehr lesen -
Welche Vorteile bieten Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV?
Die Vorteile von Through Glass Via (TGV)- und Through Silicon Via (TSV)-Verfahren gegenüber TGV liegen hauptsächlich in: (1) hervorragenden elektrischen Hochfrequenzeigenschaften. Glas ist ein Isolatormaterial, dessen Dielektrizitätskonstante nur etwa ein Drittel der von Silizium beträgt und dessen Verlustfaktor 2-...Mehr lesen -
Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen
Siliziumkarbidsubstrate werden in halbisolierende und leitfähige Substrate unterteilt. Die gängige Spezifikation für halbisolierte Siliziumkarbidsubstrate beträgt derzeit 4 Zoll. Im leitfähigen Siliziumkarbid-Substrat ...Mehr lesen -
Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphir-Wafern mit unterschiedlicher Kristallorientierung?
Saphir ist ein Einkristall aus Aluminiumoxid, gehört zum dreigliedrigen Kristallsystem, hat eine hexagonale Struktur, seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen in kovalenter Bindungsart, sehr eng angeordnet, mit starker Bindungskette und Gitterenergie, während seine Kristallstruktur...Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen einem leitfähigen SiC-Substrat und einem halbisolierten Substrat?
SiC-Siliziumkarbid-Bauelemente bestehen aus Siliziumkarbid als Rohmaterial. Je nach Widerstandseigenschaften werden sie in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente und halbisolierte Siliziumkarbid-HF-Bauelemente unterteilt. Die wichtigsten Bauelemente sind:Mehr lesen -
Ein Artikel führt Sie zum Meister des TGV
Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via) ist eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern in einem Glassubstrat. Vereinfacht ausgedrückt ist TGV ein Hochhaus, bei dem das Glas gestanzt, gefüllt und von oben nach unten verbunden wird, um integrierte Schaltkreise auf der Glasplatte zu bauen.Mehr lesen -
Welche Indikatoren gibt es zur Bewertung der Qualität einer Waferoberfläche?
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie werden in der Halbleiterindustrie und sogar in der Photovoltaikindustrie auch die Anforderungen an die Oberflächenqualität des Wafersubstrats oder der Epitaxiefolie sehr streng. Welche Qualitätsanforderungen gelten also für...Mehr lesen -
Wie gut wissen Sie über den Wachstumsprozess von SiC-Einkristallen?
Siliziumkarbid (SiC) spielt als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eine immer wichtigere Rolle in der modernen Wissenschaft und Technologie. Siliziumkarbid verfügt über eine ausgezeichnete thermische Stabilität, eine hohe elektrische Feldtoleranz, eine gezielte Leitfähigkeit und...Mehr lesen