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  • Wechseln Sie die Materialien zur Wärmeableitung! Die Nachfrage nach Siliziumkarbidsubstraten wird explodieren!

    Wechseln Sie die Materialien zur Wärmeableitung! Die Nachfrage nach Siliziumkarbidsubstraten wird explodieren!

    Inhaltsverzeichnis 1. Wärmeableitungsengpass in KI-Chips und der Durchbruch von Siliziumkarbidmaterialien 2. Eigenschaften und technische Vorteile von Siliziumkarbidsubstraten 3. Strategische Pläne und gemeinsame Entwicklung von NVIDIA und TSMC 4. Implementierungspfad und wichtige technische Aspekte...
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  • Bedeutender Durchbruch bei der Laser-Lift-Off-Technologie für 12-Zoll-Siliziumkarbidwafer

    Bedeutender Durchbruch bei der Laser-Lift-Off-Technologie für 12-Zoll-Siliziumkarbidwafer

    Inhaltsverzeichnis 1. Bedeutender Durchbruch in der Laser-Lift-Off-Technologie für 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 2. Vielfältige Bedeutung des technologischen Durchbruchs für die Entwicklung der SiC-Industrie 3. Zukunftsperspektiven: Umfassende Entwicklung und Industriekooperation von XKH Kürzlich...
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  • Titel: Was ist FOUP in der Chipherstellung?

    Titel: Was ist FOUP in der Chipherstellung?

    Inhaltsverzeichnis 1. Überblick und Kernfunktionen von FOUP 2. Struktur und Designmerkmale von FOUP 3. Klassifizierung und Anwendungsrichtlinien von FOUP 4. Funktionsweise und Bedeutung von FOUP in der Halbleiterfertigung 5. Technische Herausforderungen und zukünftige Entwicklungstrends 6. XKH-Kunden...
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  • Waferreinigungstechnologie in der Halbleiterfertigung

    Waferreinigungstechnologie in der Halbleiterfertigung

    Waferreinigungstechnologie in der Halbleiterfertigung Die Waferreinigung ist ein entscheidender Schritt im gesamten Halbleiterfertigungsprozess und einer der Schlüsselfaktoren, die die Bauteilleistung und die Produktionsausbeute direkt beeinflussen. Während der Chipherstellung kann selbst die geringste Verunreinigung …
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  • Waferreinigungstechnologien und technische Dokumentation

    Waferreinigungstechnologien und technische Dokumentation

    Inhaltsverzeichnis 1. Kernziele und Bedeutung der Waferreinigung 2. Kontaminationsbewertung und fortgeschrittene Analyseverfahren 3. Fortgeschrittene Reinigungsmethoden und technische Grundlagen 4. Technische Umsetzung und Grundlagen der Prozesssteuerung 5. Zukünftige Trends und innovative Richtungen 6. X...
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  • Frisch gezüchtete Einzelkristalle

    Frisch gezüchtete Einzelkristalle

    Einkristalle sind in der Natur selten, und selbst wenn sie vorkommen, sind sie meist sehr klein – typischerweise im Millimeterbereich – und schwer zu gewinnen. Gemeldete Diamanten, Smaragde, Achate usw. gelangen in der Regel nicht in den Handel, geschweige denn in industrielle Anwendungen; die meisten werden ausgestellt ...
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  • Der größte Abnehmer von hochreinem Aluminiumoxid: Wie viel wissen Sie über Saphir?

    Der größte Abnehmer von hochreinem Aluminiumoxid: Wie viel wissen Sie über Saphir?

    Saphirkristalle werden aus hochreinem Aluminiumoxidpulver mit einem Reinheitsgrad von >99,995 % gezüchtet und stellen damit den größten Bedarf an hochreinem Aluminiumoxid dar. Sie zeichnen sich durch hohe Festigkeit, hohe Härte und stabile chemische Eigenschaften aus, wodurch sie auch unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen eingesetzt werden können.
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  • Was bedeuten TTV, BOW, WARP und TIR bei Wafern?

    Was bedeuten TTV, BOW, WARP und TIR bei Wafern?

    Bei der Untersuchung von Siliziumwafern oder Substraten aus anderen Materialien stoßen wir häufig auf technische Indikatoren wie TTV, BOW, WARP und gegebenenfalls TIR, STIR, LTV und weitere. Welche Parameter beschreiben diese? TTV – Gesamtdickenvariation, BOW – Wölbung, WARP – Verformung, TIR – …
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  • Wichtige Rohstoffe für die Halbleiterproduktion: Arten von Wafersubstraten

    Wichtige Rohstoffe für die Halbleiterproduktion: Arten von Wafersubstraten

    Wafersubstrate als Schlüsselmaterialien in Halbleiterbauelementen: Wafersubstrate sind die physikalischen Träger von Halbleiterbauelementen, und ihre Materialeigenschaften bestimmen direkt deren Leistung, Kosten und Anwendungsbereiche. Im Folgenden werden die wichtigsten Arten von Wafersubstraten sowie ihre Vorteile beschrieben…
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  • Hochpräzise Laserschneidanlagen für 8-Zoll-SiC-Wafer: Die Kerntechnologie für die zukünftige SiC-Wafer-Bearbeitung

    Hochpräzise Laserschneidanlagen für 8-Zoll-SiC-Wafer: Die Kerntechnologie für die zukünftige SiC-Wafer-Bearbeitung

    Siliziumkarbid (SiC) ist nicht nur eine Schlüsseltechnologie für die nationale Verteidigung, sondern auch ein zentraler Werkstoff für die globale Automobil- und Energieindustrie. Als erster entscheidender Schritt in der SiC-Einkristallverarbeitung bestimmt das Wafer-Slicing direkt die Qualität des nachfolgenden Dünnens und Polierens.
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  • Optische Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Gläser: Herstellung hochreiner, halbisolierender Substrate

    Optische Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Gläser: Herstellung hochreiner, halbisolierender Substrate

    Vor dem Hintergrund der KI-Revolution rücken AR-Brillen zunehmend in den Fokus der Öffentlichkeit. Als Paradigma, das virtuelle und reale Welten nahtlos miteinander verbindet, unterscheiden sich AR-Brillen von VR-Geräten dadurch, dass sie es Nutzern ermöglichen, sowohl digital projizierte Bilder als auch das Umgebungslicht gleichzeitig wahrzunehmen.
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  • Heteroepitaktisches Wachstum von 3C-SiC auf Siliziumsubstraten mit unterschiedlichen Orientierungen

    Heteroepitaktisches Wachstum von 3C-SiC auf Siliziumsubstraten mit unterschiedlichen Orientierungen

    1. Einleitung Trotz jahrzehntelanger Forschung hat heteroepitaktisches 3C-SiC auf Siliziumsubstraten noch nicht die für industrielle Elektronikanwendungen erforderliche Kristallqualität erreicht. Das Wachstum erfolgt typischerweise auf Si(100)- oder Si(111)-Substraten, die jeweils spezifische Herausforderungen mit sich bringen: Antiphase ...
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