Unser Unternehmen kann derzeit weiterhin kleine Chargen von 8-Zoll-SiC-Wafern vom Typ N liefern. Bei Bedarf an Mustern kontaktieren Sie mich bitte. Wir haben einige Musterwafer versandbereit.
Im Bereich der Halbleitermaterialien erzielte das Unternehmen einen bedeutenden Durchbruch in der Forschung und Entwicklung großer SiC-Kristalle. Durch die Verwendung eigener Impfkristalle und die mehrfache Vergrößerung des Durchmessers gelang es dem Unternehmen, 8-Zoll-N-Typ-SiC-Kristalle zu züchten. Dadurch wurden schwierige Probleme wie ungleichmäßiges Temperaturfeld, Kristallrisse und die Verteilung der Rohstoffe in der Gasphase im Wachstumsprozess von 8-Zoll-SiC-Kristallen gelöst. Das Wachstum großer SiC-Kristalle und die autonome und steuerbare Verarbeitungstechnologie wurden beschleunigt. Die Kernkompetenz des Unternehmens in der SiC-Einkristallsubstratindustrie wurde deutlich gestärkt. Gleichzeitig fördert das Unternehmen aktiv die Entwicklung von Technologien und Prozessen für die experimentelle Herstellung großer Siliziumkarbid-Substrate, stärkt den technischen Austausch und die industrielle Zusammenarbeit in vor- und nachgelagerten Bereichen und arbeitet mit Kunden zusammen, um die Produktleistung kontinuierlich zu verbessern und gemeinsam die industrielle Anwendung von Siliziumkarbidmaterialien voranzutreiben.
| 8-Zoll-N-Typ-SiC-DSP-Spezifikationen | |||||
| Nummer | Artikel | Einheit | Produktion | Forschung | Dummy |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | Polytypie | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Oberflächenorientierung | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrische Parameter | |||||
| 2.1 | Dotierstoff | -- | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff |
| 2.2 | spezifischer Widerstand | Ohm · cm | 0,015 bis 0,025 | 0,01 bis 0,03 | NA |
| 3. Mechanische Parameter | |||||
| 3.1 | Durchmesser | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | Dicke | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Kerbenausrichtung | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kerbtiefe | mm | 1 bis 1,5 | 1 bis 1,5 | 1 bis 1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤10 (10 mm x 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bogen | μm | -25 bis 25 | -45 bis 45 | -65 bis 65 |
| 3.8 | Kette | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Mikrorohrdichte | Stück/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atome/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | Stück/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Borderline-Persönlichkeitsstörung | Stück/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | Stück/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positive Qualität | |||||
| 5.1 | Front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Oberflächenbeschaffenheit | -- | Si-Fläche CMP | Si-Fläche CMP | Si-Fläche CMP |
| 5.3 | Teilchen | Stück/Wafer | ≤100 (Größe ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | kratzen | Stück/Wafer | ≤5, Gesamtlänge ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Absplitterungen/Einkerbungen/Risse/Flecken/Verunreinigungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 5.6 | Polytypbereiche | -- | Keiner | Fläche ≤10% | Fläche ≤30% |
| 5.7 | Frontmarkierung | -- | Keiner | Keiner | Keiner |
| 6. Rückenqualität | |||||
| 6.1 | Rückseite | -- | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP |
| 6.2 | kratzen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Rückseite Defekte Kante Absplitterungen/Einkerbungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 6.4 | Rauheit auf der Rückseite | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Rückseitenmarkierung | -- | Kerbe | Kerbe | Kerbe |
| 7. Kante | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Mehrwafer Kassettenverpackung | Mehrwafer Kassettenverpackung | Mehrwafer Kassettenverpackung |
Veröffentlichungszeit: 18. April 2023