Derzeit kann unser Unternehmen weiterhin kleine Chargen von 8-Zoll-SiC-Wafern vom Typ N liefern. Wenn Sie Muster benötigen, kontaktieren Sie mich bitte. Wir haben einige Musterwafer versandbereit.
Auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien ist dem Unternehmen ein bedeutender Durchbruch in der Forschung und Entwicklung von großen SiC-Kristallen gelungen. Durch die Verwendung eigener Impfkristalle und die mehrmalige Vergrößerung des Durchmessers gelang es dem Unternehmen, 8 Zoll große N-Typ-SiC-Kristalle zu züchten. Dadurch wurden schwierige Probleme wie ungleichmäßiges Temperaturfeld, Kristallrisse und die Verteilung der Rohstoffe in der Gasphase beim Wachstumsprozess von 8-Zoll-SiC-Kristallen gelöst. Das Wachstum großer SiC-Kristalle und die autonome und steuerbare Verarbeitungstechnologie wurden beschleunigt. Die Kernwettbewerbsfähigkeit des Unternehmens in der SiC-Einkristallsubstratindustrie wurde deutlich gestärkt. Gleichzeitig fördert das Unternehmen aktiv die Entwicklung von Technologien und Prozessen für die experimentelle Herstellung von großen Siliziumkarbidsubstraten, stärkt den technischen Austausch und die industrielle Zusammenarbeit in vor- und nachgelagerten Bereichen und arbeitet mit Kunden zusammen, um die Produktleistung kontinuierlich zu verbessern und gemeinsam die industrielle Anwendung von Siliziumkarbidmaterialien voranzutreiben.
| 8-Zoll-N-Typ-SiC-DSP-Spezifikationen | |||||
| Nummer | Artikel | Einheit | Produktion | Forschung | Dummy |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | Polytypie | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Oberflächenorientierung | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrische Parameter | |||||
| 2.1 | Dotierstoff | -- | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff | n-Typ Stickstoff |
| 2.2 | Widerstand | Ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01 bis 0,03 | NA |
| 3. Mechanische Parameter | |||||
| 3.1 | Durchmesser | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | Dicke | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Kerbenausrichtung | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kerbtiefe | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤10 (10 mm x 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bogen | μm | -25 ~ 25 | -45~45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Kette | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Mikrorohrdichte | Stück/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atome/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | Stück/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Borderline-Persönlichkeitsstörung | Stück/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | Stück/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positive Qualität | |||||
| 5.1 | Front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Oberflächenbeschaffenheit | -- | Si-Fläche CMP | Si-Fläche CMP | Si-Fläche CMP |
| 5.3 | Teilchen | Stück/Wafer | ≤100 (Größe ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | kratzen | Stück/Wafer | ≤5, Gesamtlänge ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Absplitterungen/Einkerbungen/Risse/Flecken/Verunreinigungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 5.6 | Polytypbereiche | -- | Keiner | Fläche ≤10 % | Fläche ≤30% |
| 5.7 | Frontmarkierung | -- | Keiner | Keiner | Keiner |
| 6. Rückenqualität | |||||
| 6.1 | Rückseite | -- | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP |
| 6.2 | kratzen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Rückseitenfehlerkante Absplitterungen/Einkerbungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 6.4 | Rauheit auf der Rückseite | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Rückseitenmarkierung | -- | Kerbe | Kerbe | Kerbe |
| 7. Kante | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Mehrwafer Kassettenverpackung | Mehrwafer Kassettenverpackung | Mehrwafer Kassettenverpackung |
Veröffentlichungszeit: 18. April 2023