Derzeit kann unser Unternehmen weiterhin kleine Chargen von SiC-Wafern vom Typ 8 Zoll N liefern. Wenn Sie Muster benötigen, können Sie sich gerne an mich wenden. Wir haben einige Musterwafer zum Versand bereit.
Auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien hat das Unternehmen einen großen Durchbruch bei der Forschung und Entwicklung großformatiger SiC-Kristalle erzielt. Durch die Verwendung eigener Impfkristalle nach mehreren Runden der Durchmesservergrößerung ist es dem Unternehmen gelungen, 8-Zoll-N-Typ-SiC-Kristalle erfolgreich zu züchten, wodurch schwierige Probleme wie ungleichmäßiges Temperaturfeld, Kristallrisse und Gasphasen-Rohstoffverteilung im Wachstumsprozess gelöst werden 8-Zoll-SIC-Kristalle und beschleunigt das Wachstum großer SIC-Kristalle sowie die autonome und kontrollierbare Verarbeitungstechnologie. Die Kernwettbewerbsfähigkeit des Unternehmens in der SiC-Einkristallsubstratindustrie erheblich verbessern. Gleichzeitig fördert das Unternehmen aktiv die Anhäufung von Technologie und Prozessen für großformatige Versuchslinien zur Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten, stärkt den technischen Austausch und die industrielle Zusammenarbeit in vor- und nachgelagerten Bereichen und arbeitet mit Kunden zusammen, um die Produktleistung kontinuierlich und gemeinsam zu verbessern fördert das Tempo der industriellen Anwendung von Siliziumkarbid-Materialien.
| 8-Zoll-N-Typ-SiC-DSP-Spezifikationen | |||||
| Nummer | Artikel | Einheit | Produktion | Forschung | Dummy |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | Polytyp | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Oberflächenorientierung | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrischer Parameter | |||||
| 2.1 | Dotierstoff | -- | Stickstoff vom n-Typ | Stickstoff vom n-Typ | Stickstoff vom n-Typ |
| 2.2 | Widerstand | Ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mechanischer Parameter | |||||
| 3.1 | Durchmesser | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | Dicke | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Kerbenausrichtung | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kerbtiefe | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bogen | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Kette | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Mikrorohrdichte | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atome/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positive Qualität | |||||
| 5.1 | Front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Oberflächenbeschaffenheit | -- | Si-Face-CMP | Si-Face-CMP | Si-Face-CMP |
| 5.3 | Teilchen | Stück/Wafer | ≤100 (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | kratzen | Stück/Wafer | ≤5, Gesamtlänge≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Absplitterungen/Beulen/Risse/Flecken/Verunreinigung | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 5.6 | Polytypiebereiche | -- | Keiner | Fläche ≤10 % | Fläche ≤30 % |
| 5.7 | vordere Markierung | -- | Keiner | Keiner | Keiner |
| 6. Rückenqualität | |||||
| 6.1 | hinterer Abschluss | -- | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP | C-Gesicht MP |
| 6.2 | kratzen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Rückenfehler am Rand Chips/Einkerbungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 6.4 | Rückenrauheit | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Rückenmarkierung | -- | Kerbe | Kerbe | Kerbe |
| 7. Kante | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung | Epi-ready mit Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung |
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 18. April 2023