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Hochpräzise Laser-Schneideanlage für 8-Zoll-SiC-Wafer: Die Kerntechnologie für die zukünftige SiC-Wafer-Verarbeitung
Siliziumkarbid (SiC) ist nicht nur eine wichtige Technologie für die Landesverteidigung, sondern auch ein zentraler Werkstoff für die globale Automobil- und Energieindustrie. Als erster kritischer Schritt bei der SiC-Einkristallverarbeitung bestimmt das Waferschneiden direkt die Qualität des nachfolgenden Dünn- und Poliervorgangs. Tr...Mehr lesen -
Optische Wellenleiter-AR-Gläser aus Siliziumkarbid: Herstellung hochreiner halbisolierender Substrate
Vor dem Hintergrund der KI-Revolution rücken AR-Brillen zunehmend ins öffentliche Bewusstsein. Als Paradigma, das virtuelle und reale Welten nahtlos miteinander verbindet, unterscheiden sich AR-Brillen von VR-Geräten dadurch, dass sie es dem Benutzer ermöglichen, sowohl digital projizierte Bilder als auch das Umgebungslicht wahrzunehmen ...Mehr lesen -
Heteroepitaktisches Wachstum von 3C-SiC auf Siliziumsubstraten mit unterschiedlichen Orientierungen
1. Einleitung Trotz jahrzehntelanger Forschung hat heteroepitaktisches 3C-SiC auf Siliziumsubstraten bisher keine ausreichende Kristallqualität für industrielle Elektronikanwendungen erreicht. Das Wachstum erfolgt typischerweise auf Si(100)- oder Si(111)-Substraten, die jeweils unterschiedliche Herausforderungen mit sich bringen: Antiphasen-D...Mehr lesen -
Siliziumkarbidkeramik vs. Halbleiter-Siliziumkarbid: Dasselbe Material mit zwei unterschiedlichen Schicksalen
Siliziumkarbid (SiC) ist eine bemerkenswerte Verbindung, die sowohl in der Halbleiterindustrie als auch in modernen Keramikprodukten verwendet wird. Dies führt bei Laien oft zu Verwirrung, da sie die beiden Materialien für ein und dasselbe Produkt halten. Tatsächlich weist SiC trotz identischer chemischer Zusammensetzung jedoch...Mehr lesen -
Fortschritte bei der Herstellungstechnologie für hochreine Siliziumkarbidkeramik
Hochreine Siliziumkarbidkeramiken (SiC) haben sich aufgrund ihrer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, chemischen Stabilität und mechanischen Festigkeit als ideale Materialien für kritische Komponenten in der Halbleiter-, Luft- und Raumfahrt- sowie Chemieindustrie erwiesen. Mit der steigenden Nachfrage nach leistungsstarken, niederpolaren ...Mehr lesen -
Technische Prinzipien und Prozesse von LED-Epitaxie-Wafern
Aus dem Funktionsprinzip von LEDs geht hervor, dass das Epitaxie-Wafermaterial die Kernkomponente einer LED ist. Tatsächlich werden wichtige optoelektronische Parameter wie Wellenlänge, Helligkeit und Durchlassspannung maßgeblich vom Epitaxie-Material bestimmt. Epitaxie-Wafer-Technologie und -Ausrüstung...Mehr lesen -
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Einkristalle
Zu den wichtigsten Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristallen zählen: Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) und Hochtemperatur-Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Das PVT-Verfahren ist aufgrund seiner einfachen Ausrüstung und der einfachen Handhabung in der industriellen Produktion weit verbreitet.Mehr lesen -
Lithiumniobat auf Isolator (LNOI): Förderung der Weiterentwicklung photonischer integrierter Schaltkreise
Einleitung: Inspiriert durch den Erfolg elektronischer integrierter Schaltkreise (EICs) hat sich das Feld der photonischen integrierten Schaltkreise (PICs) seit seiner Einführung im Jahr 1969 weiterentwickelt. Im Gegensatz zu EICs ist die Entwicklung einer universellen Plattform, die verschiedene photonische Anwendungen unterstützen kann, jedoch noch immer ein schwieriges Unterfangen ...Mehr lesen -
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Einkristalle (SiC)
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Einkristalle (SiC) Zu den wichtigsten Methoden zum Züchten von Siliziumkarbid-Einkristallen gehören Physical Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) und Hochtemperatur-Chemikalien...Mehr lesen -
LED-Epitaxial-Wafer-Technologie der nächsten Generation: Antrieb für die Zukunft der Beleuchtung
LEDs erhellen unsere Welt. Das Herzstück jeder Hochleistungs-LED ist der Epitaxie-Wafer – eine entscheidende Komponente, die Helligkeit, Farbe und Effizienz bestimmt. Durch die Beherrschung der Wissenschaft des Epitaxiewachstums ...Mehr lesen -
Das Ende einer Ära? Wolfspeed-Pleite verändert die SiC-Landschaft
Wolfspeed-Insolvenz markiert wichtigen Wendepunkt für die SiC-Halbleiterindustrie Wolfspeed, ein langjähriger Marktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC), hat diese Woche Insolvenz angemeldet. Dies markiert einen bedeutenden Wandel in der globalen SiC-Halbleiterlandschaft. Das Unternehmen...Mehr lesen -
Umfassende Analyse der Spannungsbildung in Quarzglas: Ursachen, Mechanismen und Auswirkungen
1. Thermische Spannungen beim Abkühlen (Hauptursache) Quarzglas erzeugt Spannungen bei ungleichmäßigen Temperaturbedingungen. Bei jeder gegebenen Temperatur erreicht die atomare Struktur von Quarzglas eine relativ „optimale“ räumliche Konfiguration. Bei Temperaturänderungen verändert sich die atomare Struktur...Mehr lesen