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LiTaO3-Wafer-PIC – verlustarmer Lithium-Tantalat-auf-Isolator-Wellenleiter für nichtlineare On-Chip-Photonik
Zusammenfassung: Wir haben einen 1550-nm-Lithiumtantalat-Wellenleiter auf Isolatorbasis mit einem Verlust von 0,28 dB/cm und einem Ringresonator-Qualitätsfaktor von 1,1 Millionen entwickelt. Die Anwendung der χ(3)-Nichtlinearität in der nichtlinearen Photonik wurde untersucht. Die Vorteile von Lithiumniobat...Mehr lesen -
XKH-Wissensaustausch – Was ist Wafer-Dicing-Technologie?
Die Wafer-Dicing-Technologie ist als entscheidender Schritt im Halbleiterherstellungsprozess direkt mit der Chipleistung, der Ausbeute und den Produktionskosten verknüpft. #01 Hintergrund und Bedeutung des Wafer-Dicing 1.1 Definition des Wafer-Dicing Wafer-Dicing (auch bekannt als Scri...Mehr lesen -
Dünnschicht-Lithiumtantalat (LTOI): Das nächste Star-Material für Hochgeschwindigkeitsmodulatoren?
Das Dünnschicht-Lithiumtantalat-Material (LTOI) entwickelt sich zu einer bedeutenden neuen Kraft im Bereich der integrierten Optik. In diesem Jahr wurden mehrere hochkarätige Arbeiten zu LTOI-Modulatoren veröffentlicht, wobei hochwertige LTOI-Wafer von Professor Xin Ou vom Shanghai Ins...Mehr lesen -
Tiefes Verständnis des SPC-Systems in der Wafer-Herstellung
SPC (Statistical Process Control) ist ein entscheidendes Werkzeug im Wafer-Herstellungsprozess und wird zur Überwachung, Steuerung und Verbesserung der Stabilität verschiedener Phasen der Herstellung eingesetzt. 1. Überblick über das SPC-System SPC ist eine Methode, die Sta... verwendet.Mehr lesen -
Warum wird Epitaxie auf einem Wafersubstrat durchgeführt?
Das Aufwachsen einer zusätzlichen Schicht aus Siliziumatomen auf einem Siliziumwafersubstrat hat mehrere Vorteile: Bei CMOS-Siliziumprozessen ist das epitaktische Wachstum (EPI) auf dem Wafersubstrat ein kritischer Prozessschritt. 1、Verbesserung der Kristallqualität...Mehr lesen -
Prinzipien, Prozesse, Methoden und Ausrüstung für die Waferreinigung
Die Nassreinigung (Wet Clean) ist einer der entscheidenden Schritte in Halbleiterfertigungsprozessen und zielt darauf ab, verschiedene Verunreinigungen von der Oberfläche des Wafers zu entfernen, um sicherzustellen, dass nachfolgende Prozessschritte auf einer sauberen Oberfläche durchgeführt werden können. ...Mehr lesen -
Die Beziehung zwischen Kristallebenen und Kristallorientierung.
Kristallebenen und Kristallorientierung sind zwei Kernkonzepte der Kristallographie, die eng mit der Kristallstruktur in der siliziumbasierten integrierten Schaltkreistechnologie verknüpft sind. 1.Definition und Eigenschaften der Kristallorientierung Die Kristallorientierung stellt eine bestimmte Richtung dar...Mehr lesen -
Welche Vorteile haben die Prozesse Through Glass Via (TGV) und Through Silicon Via, TSV (TSV) gegenüber TGV?
Die Vorteile der Verfahren „Through Glass Via“ (TGV) und „Through Silicon Via“ (TSV) gegenüber TGV sind hauptsächlich: (1) ausgezeichnete elektrische Hochfrequenzeigenschaften. Glasmaterial ist ein Isolatormaterial, die Dielektrizitätskonstante beträgt nur etwa 1/3 der von Siliziummaterial und der Verlustfaktor beträgt 2-...Mehr lesen -
Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen
Das Siliziumkarbid-Substrat ist in einen halbisolierenden Typ und einen leitfähigen Typ unterteilt. Derzeit beträgt die gängige Spezifikation für halbisolierte Siliziumkarbid-Substratprodukte 4 Zoll. Im leitfähigen Siliziumkarbid-Ma...Mehr lesen -
Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphirwafern mit unterschiedlichen Kristallorientierungen?
Saphir ist ein Einkristall aus Aluminiumoxid, gehört zum dreiteiligen Kristallsystem mit hexagonaler Struktur. Seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen in kovalenter Bindungsart, die sehr eng angeordnet sind, mit starker Bindungskette und Gitterenergie Kristallinter...Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen leitfähigem SiC-Substrat und halbisoliertem Substrat?
SiC-Siliziumkarbid-Gerät bezieht sich auf das Gerät, das aus Siliziumkarbid als Rohmaterial besteht. Entsprechend den unterschiedlichen Widerstandseigenschaften wird es in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsgeräte und halbisolierte Siliziumkarbid-HF-Geräte unterteilt. Hauptgeräteformen und...Mehr lesen -
Ein Artikel führt Sie zum Meister des TGV
Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via), eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern auf einem Glassubstrat. Vereinfacht ausgedrückt ist TGV ein Hochhaus, das das Glas stanzt, füllt und nach oben und unten verbindet, um integrierte Schaltkreise auf dem Glas aufzubauen fl...Mehr lesen