Epi-Schicht
-
200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Layer-Wafersubstrat
-
GaN auf Glas, 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen, einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarz
-
AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungs-Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen
-
Galliumnitrid auf Silizium-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Maßgeschneiderte Si-Substratausrichtung, Widerstand und N-Typ/P-Typ-Optionen
-
Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-auf-Diamant-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Gesamtepi-Dicke (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder kundenspezifisch für Hochfrequenzanwendungen
-
GaAs-Hochleistungs-Epitaxie-Wafersubstrat, Galliumarsenid-Wafer, Leistungslaserwellenlänge 905 nm für die medizinische Laserbehandlung
-
InGaAs-Epitaxie-Wafersubstrat PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP-Epitaxial-Wafersubstrat APD-Lichtdetektor für Glasfaserkommunikation oder LiDAR
-
Silicon-On-Insulator-Substrat (SOI) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
-
SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
-
6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer vom Typ N/P akzeptieren kundenspezifische