Epi-Schicht
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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Silizium-auf-Isolator-Substrat-SOI-Wafer mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) aus Silizium
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6 Zoll GaN-auf-Saphir
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50,8 mm 2 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Schicht-Wafer
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100 mm 4 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Schicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer
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150 mm 200 mm 6 Zoll 8 Zoll GaN auf Silizium-Epi-Schicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer
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200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Schicht-Wafer-Substrat
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4-Zoll-6-Zoll-Lithiumniobat-Einkristallfilm-LNOI-Wafer
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50,8 mm/100 mm AlN-Schablone auf NPSS/FSS AlN-Schablone auf Saphir