Substrat
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SiO2-Dünnschicht-Thermooxid-Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll
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Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Wafer) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenztechnik
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SOI-Waferisolator auf Silizium 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer, Typ N/P, kundenspezifische Anpassung möglich
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Aluminiumoxid-Keramikscheibe, 4 Zoll, Reinheit 99 %, polykristallin, verschleißfest, 1 mm Dicke
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Siliziumdioxid-Wafer (SiO2), dick, poliert, Prime- und Testqualität
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200-mm-SiC-Substrat, Dummy-Qualität 4H-N, 8-Zoll-SiC-Wafer
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4-Zoll-SiC-Wafer, 6H-halbisolierende SiC-Substrate, Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-Halbisolierende SiC-Wafer
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime-Produktionsqualität
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3 Zoll (76,2 mm) 4H-Semi-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Halbisolierende SiC-Wafer
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3-Zoll-SiC-Substrate mit 76,2 mm Durchmesser, HPSI Prime Research- und Dummy-Qualität