Substrat
-
Silizium-Einkristallwafer, Si-Substrat Typ N/P, optionaler Siliziumkarbidwafer
-
N-Typ SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertige monokristalline und minderwertige Substrate
-
Halbisolierende SiC-auf-Si-Verbundsubstrate
-
Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, HPSI
-
Synthetischer Saphir-Rohling, monokristalliner Saphir-Rohling. Durchmesser und Dicke können individuell angepasst werden.
-
N-Typ SiC auf Si-Verbundsubstraten, Durchmesser 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid
-
3-Zoll-SiC-Substrat, Produktionsdurchmesser 76,2 mm, 4H-N
-
SiC-Substrat, P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N, 2 Zoll
-
TGV-Glassubstrate 12-Zoll-Wafer Glasstanzen
-
SiC-Ingot 4H-N Typ, Dummy-Qualität, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke: >10 mm
-
SOI-Waferisolator auf Silizium 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)