Substrat
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Siliziumkarbid-Ingot (SiC), 6 Zoll, Typ N, Dummy-/Primärqualität, Dicke anpassbar
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6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Ingot, Dummy-Qualität
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SiC-Ingot Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll – 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
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6-Zoll-Saphir-Boule-Saphir-Rohling, Einkristall, Al2O3 99,999 %
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Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N mit hoher Härte, Korrosionsbeständigkeit und erstklassiger Politur
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, Typ 6H-N, Premiumqualität, Forschungsqualität, Dummyqualität, 330 μm, 430 μm Dicke
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2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat, 6H-N, beidseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
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p-Typ 4H/6H-P 3C-N Typ SiC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5°Null MPD
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SiC-Substrat, P-Typ 4H/6H-P 3C-N, 4 Zoll, Dicke 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, MPD-Null-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Orientierung
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TVG-Prozess auf Quarz-Saphir-BF33-Wafer, Glaswafer-Stanzen