Substrat
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LNOI-Wafer (Lithiumniobat auf Isolator) Telekommunikation Sensorik Hochelektrooptik
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3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (hochrein, undotiert) auf halbisolierenden SiC-Substraten (HPSl)
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4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke
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Saphir-Einkristall, hohe Härte (Morhs 9), kratzfest, individuell anpassbar
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Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden.
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2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll strukturierte Saphirsubstrate (PSS), auf denen GaN-Material aufgebracht wird, können für LED-Beleuchtung verwendet werden.
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4H-N/6H-N SiC-Wafer-Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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Goldbeschichteter Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtungsdicke 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Goldbeschichtete Siliziumwafer (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Hervorragende Leitfähigkeit für LEDs
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Goldbeschichtete Siliziumwafer 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldschichtdicke: 50 nm (± 5 nm) oder kundenspezifisch, Beschichtungsfilm: Au, 99,999 % Reinheit
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AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungsfähige Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen
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AlN auf FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN-Vorlage für Halbleiterbereich