SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid

4H-N und HPSI sind Polytypen von Siliciumcarbid (SiC) mit einer Kristallgitterstruktur aus hexagonalen Einheiten, die jeweils aus vier Kohlenstoff- und vier Siliciumatomen bestehen. Diese Struktur verleiht dem Material eine ausgezeichnete Elektronenbeweglichkeit und hohe Durchbruchspannung. Unter allen SiC-Polytypen findet 4H-N und HPSI aufgrund seiner ausgewogenen Elektronen- und Lochbeweglichkeit sowie seiner hohen Wärmeleitfähigkeit breite Anwendung in der Leistungselektronik.

Die Entwicklung von 8-Zoll-SiC-Substraten stellt einen bedeutenden Fortschritt für die Leistungshalbleiterindustrie dar. Traditionelle Silizium-basierte Halbleitermaterialien weisen unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und Spannungen einen deutlichen Leistungsabfall auf, während SiC-Substrate ihre hervorragende Leistung beibehalten. Im Vergleich zu kleineren Substraten bieten 8-Zoll-SiC-Substrate eine größere Bearbeitungsfläche, was zu einer höheren Produktionseffizienz und geringeren Kosten führt – ein entscheidender Faktor für die Kommerzialisierung der SiC-Technologie.

Die Wachstumstechnologie für 8-Zoll-Siliziumkarbid-Substrate (SiC) erfordert höchste Präzision und Reinheit. Die Substratqualität beeinflusst direkt die Leistung nachfolgender Bauelemente. Daher müssen Hersteller fortschrittliche Technologien einsetzen, um die Kristallperfektion und geringe Defektdichte der Substrate zu gewährleisten. Dies umfasst typischerweise komplexe chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD) sowie präzise Kristallwachstums- und Schneidetechniken. 4H-N- und HPSI-SiC-Substrate finden insbesondere im Bereich der Leistungselektronik breite Anwendung, beispielsweise in hocheffizienten Stromrichtern, Traktionswechselrichtern für Elektrofahrzeuge und Systemen für erneuerbare Energien.

Wir bieten 4H-N 8-Zoll-SiC-Substrate sowie Substratwafer verschiedener Qualitäten an. Kundenspezifische Anfertigungen sind ebenfalls möglich. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage!