Produktneuheiten
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Waferreinigungstechnologie in der Halbleiterfertigung
Waferreinigungstechnologie in der Halbleiterfertigung Die Waferreinigung ist ein entscheidender Schritt im gesamten Halbleiterfertigungsprozess und einer der Schlüsselfaktoren, die die Bauteilleistung und die Produktionsausbeute direkt beeinflussen. Während der Chipherstellung kann selbst die geringste Verunreinigung …Mehr lesen -
Waferreinigungstechnologien und technische Dokumentation
Inhaltsverzeichnis 1. Kernziele und Bedeutung der Waferreinigung 2. Kontaminationsbewertung und fortgeschrittene Analyseverfahren 3. Fortgeschrittene Reinigungsmethoden und technische Grundlagen 4. Technische Umsetzung und Grundlagen der Prozesssteuerung 5. Zukünftige Trends und innovative Richtungen 6. X...Mehr lesen -
Frisch gezüchtete Einzelkristalle
Einkristalle sind in der Natur selten, und selbst wenn sie vorkommen, sind sie meist sehr klein – typischerweise im Millimeterbereich – und schwer zu gewinnen. Gemeldete Diamanten, Smaragde, Achate usw. gelangen in der Regel nicht in den Handel, geschweige denn in industrielle Anwendungen; die meisten werden ausgestellt ...Mehr lesen -
Der größte Abnehmer von hochreinem Aluminiumoxid: Wie viel wissen Sie über Saphir?
Saphirkristalle werden aus hochreinem Aluminiumoxidpulver mit einem Reinheitsgrad von >99,995 % gezüchtet und stellen damit den größten Bedarf an hochreinem Aluminiumoxid dar. Sie zeichnen sich durch hohe Festigkeit, hohe Härte und stabile chemische Eigenschaften aus, wodurch sie auch unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen eingesetzt werden können.Mehr lesen -
Was bedeuten TTV, BOW, WARP und TIR bei Wafern?
Bei der Untersuchung von Siliziumwafern oder Substraten aus anderen Materialien stoßen wir häufig auf technische Indikatoren wie TTV, BOW, WARP und gegebenenfalls TIR, STIR, LTV und weitere. Welche Parameter beschreiben diese? TTV – Gesamtdickenvariation, BOW – Wölbung, WARP – Verformung, TIR – …Mehr lesen -
Hochpräzise Laserschneidanlagen für 8-Zoll-SiC-Wafer: Die Kerntechnologie für die zukünftige SiC-Waferbearbeitung
Siliziumkarbid (SiC) ist nicht nur eine Schlüsseltechnologie für die nationale Verteidigung, sondern auch ein zentraler Werkstoff für die globale Automobil- und Energieindustrie. Als erster entscheidender Schritt in der SiC-Einkristallverarbeitung bestimmt das Wafer-Slicing direkt die Qualität des nachfolgenden Dünnens und Polierens.Mehr lesen -
Optische Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Gläser: Herstellung hochreiner, halbisolierender Substrate
Vor dem Hintergrund der KI-Revolution rücken AR-Brillen zunehmend in den Fokus der Öffentlichkeit. Als Paradigma, das virtuelle und reale Welten nahtlos miteinander verbindet, unterscheiden sich AR-Brillen von VR-Geräten dadurch, dass sie es Nutzern ermöglichen, sowohl digital projizierte Bilder als auch das Umgebungslicht gleichzeitig wahrzunehmen.Mehr lesen -
Heteroepitaktisches Wachstum von 3C-SiC auf Siliziumsubstraten mit unterschiedlichen Orientierungen
1. Einleitung Trotz jahrzehntelanger Forschung hat heteroepitaktisches 3C-SiC auf Siliziumsubstraten noch nicht die für industrielle Elektronikanwendungen erforderliche Kristallqualität erreicht. Das Wachstum erfolgt typischerweise auf Si(100)- oder Si(111)-Substraten, die jeweils spezifische Herausforderungen mit sich bringen: Antiphase ...Mehr lesen -
Siliziumkarbid-Keramik vs. Halbleiter-Siliziumkarbid: Das gleiche Material mit zwei unterschiedlichen Schicksalen
Siliciumcarbid (SiC) ist eine bemerkenswerte Verbindung, die sowohl in der Halbleiterindustrie als auch in Hochleistungskeramikprodukten Verwendung findet. Dies führt häufig zu Verwechslungen bei Laien, die die beiden Produkte fälschlicherweise für ein und dasselbe halten. Tatsächlich weisen SiC-Produkte trotz identischer chemischer Zusammensetzung jedoch unterschiedliche Eigenschaften auf.Mehr lesen -
Fortschritte bei den Herstellungstechnologien für hochreine Siliciumcarbidkeramik
Hochreine Siliciumcarbid-Keramiken (SiC) haben sich aufgrund ihrer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, chemischen Stabilität und mechanischen Festigkeit als ideale Werkstoffe für kritische Komponenten in der Halbleiter-, Luft- und Raumfahrt- sowie Chemieindustrie etabliert. Mit steigenden Anforderungen an leistungsstarke, umweltfreundliche Werkstoffe…Mehr lesen -
Technische Grundlagen und Prozesse von LED-Epitaxiewafern
Aus dem Funktionsprinzip von LEDs geht hervor, dass das Epitaxie-Wafermaterial die Kernkomponente einer LED darstellt. Tatsächlich werden wichtige optoelektronische Parameter wie Wellenlänge, Helligkeit und Durchlassspannung maßgeblich vom Epitaxie-Material bestimmt. Epitaxie-Wafer-Technologie und -Ausrüstung...Mehr lesen -
Wichtige Überlegungen zur Herstellung hochwertiger Siliciumcarbid-Einkristalle
Zu den wichtigsten Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristallen zählen die physikalische Dampftransportmethode (PVT), das Top-Seeded Solution Growth (TSSG) und die Hochtemperatur-CVD (HT-CVD). Die PVT-Methode ist aufgrund ihrer einfachen Ausrüstung und der leichten Handhabung in der industriellen Produktion weit verbreitet.Mehr lesen