Branchennachrichten
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Die Geheimnisse zur Suche eines zuverlässigen Siliziumwafer-Lieferanten entschlüsseln
Vom Smartphone in der Hosentasche bis zu den Sensoren autonomer Fahrzeuge – Siliziumwafer bilden das Rückgrat moderner Technologie. Trotz ihrer Allgegenwärtigkeit kann die Suche nach einem vertrauenswürdigen Lieferanten dieser kritischen Komponenten überraschend komplex sein. Dieser Artikel bietet eine neue Perspektive auf die wichtigsten Aspekte…Mehr lesen -
Glas wird zur neuen Verpackungsplattform
Glas entwickelt sich rasant zu einem Basismaterial für Endgerätemärkte, angeführt von Rechenzentren und Telekommunikation. In Rechenzentren bildet es die Grundlage für zwei wichtige Gehäusetechnologien: Chiparchitekturen und optische Ein-/Ausgabe (I/O). Sein niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und seine Beständigkeit gegenüber tiefem ultraviolettem Licht (DUV)...Mehr lesen -
Chiplet hat die Chips revolutioniert
1965 formulierte Intel-Mitbegründer Gordon Moore das, was später als „Mooresches Gesetz“ bekannt wurde. Über ein halbes Jahrhundert lang bildete es die Grundlage für stetige Leistungssteigerungen bei integrierten Schaltkreisen (ICs) und sinkende Kosten – das Fundament der modernen Digitaltechnik. Kurz gesagt: Die Anzahl der Transistoren auf einem Chip verdoppelt sich annähernd mit der Anzahl der Transistoren auf einem Chip.Mehr lesen -
Wichtige Rohstoffe für die Halbleiterproduktion: Arten von Wafersubstraten
Wafersubstrate als Schlüsselmaterialien in Halbleiterbauelementen: Wafersubstrate sind die physikalischen Träger von Halbleiterbauelementen, und ihre Materialeigenschaften bestimmen direkt deren Leistung, Kosten und Anwendungsbereiche. Im Folgenden werden die wichtigsten Arten von Wafersubstraten sowie ihre Vorteile beschrieben…Mehr lesen -
Das Ende einer Ära? Die Insolvenz von Wolfspeed verändert die SiC-Landschaft
Wolfspeed-Insolvenz markiert Wendepunkt für die SiC-Halbleiterindustrie. Wolfspeed, ein langjähriger Marktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC), hat diese Woche Insolvenz angemeldet. Dies bedeutet eine bedeutende Veränderung in der globalen SiC-Halbleiterlandschaft. Das Unternehmen…Mehr lesen -
Ein umfassender Überblick über Dünnschichtabscheidungstechniken: MOCVD, Magnetron-Sputtern und PECVD
In der Halbleiterfertigung werden zwar Fotolithografie und Ätzen am häufigsten als Prozesse genannt, doch sind epitaktische Abscheidungstechniken bzw. Dünnschichtabscheidungsverfahren ebenso wichtig. Dieser Artikel stellt einige gängige Dünnschichtabscheidungsverfahren vor, die in der Chipherstellung eingesetzt werden, darunter MOCVD, Magnetresonanztomografie usw.Mehr lesen -
Saphir-Thermoelement-Schutzrohre: Fortschritte bei der präzisen Temperaturmessung in rauen Industrieumgebungen
1. Temperaturmessung – Das Rückgrat der industriellen Steuerung: In modernen Industrien, die unter zunehmend komplexen und extremen Bedingungen arbeiten, ist eine genaue und zuverlässige Temperaturüberwachung unerlässlich geworden. Unter den verschiedenen Sensortechnologien sind Thermoelemente aufgrund ihrer Eigenschaften weit verbreitet…Mehr lesen -
Siliziumkarbid bringt AR-Brillen zum Leuchten und eröffnet grenzenlose neue visuelle Erlebnisse.
Die Geschichte der menschlichen Technologie lässt sich oft als unermüdliches Streben nach „Verbesserungen“ betrachten – nach externen Hilfsmitteln, die natürliche Fähigkeiten verstärken. Feuer beispielsweise diente als zusätzliches Verdauungssystem und setzte so mehr Energie für die Gehirnentwicklung frei. Das Radio, das im späten 19. Jahrhundert entstand, …Mehr lesen -
Laserschneiden wird zukünftig die Standardtechnologie zum Schneiden von 8-Zoll-Siliziumkarbidplatten sein. Fragen und Antworten
F: Welche Technologien werden hauptsächlich beim Schneiden und Bearbeiten von SiC-Wafern eingesetzt? A: Siliziumkarbid (SiC) ist nach Diamant das zweithärteste Material und gilt als extrem hart und spröde. Der Schneidprozess, bei dem die gezüchteten Kristalle in dünne Wafer geschnitten werden, ist…Mehr lesen -
Aktueller Stand und Trends der SiC-Wafer-Verarbeitungstechnologie
Als Halbleitersubstratmaterial der dritten Generation bietet Siliziumkarbid (SiC)-Einkristall breite Anwendungsmöglichkeiten in der Herstellung von Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikbauteilen. Die Verarbeitungstechnologie von SiC spielt eine entscheidende Rolle bei der Produktion hochwertiger Substrate.Mehr lesen -
Der aufstrebende Stern der Halbleiter der dritten Generation: Galliumnitrid – mehrere neue Wachstumschancen in der Zukunft
Im Vergleich zu Siliziumkarbid-Bauelementen bieten Galliumnitrid-Leistungsbauelemente Vorteile in Anwendungsfällen, in denen Effizienz, Frequenz, Volumen und andere umfassende Aspekte gleichzeitig wichtig sind. So wurden beispielsweise Galliumnitrid-basierte Bauelemente bereits erfolgreich eingesetzt...Mehr lesen -
Die Entwicklung der heimischen GaN-Industrie wurde beschleunigt.
Die Verwendung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern nimmt rasant zu, angeführt von chinesischen Herstellern von Unterhaltungselektronik. Der Markt für GaN-Leistungshalbleiter soll bis 2027 ein Volumen von 2 Milliarden US-Dollar erreichen, gegenüber 126 Millionen US-Dollar im Jahr 2021. Derzeit ist der Unterhaltungselektroniksektor der Haupttreiber für Galliumnitrid.Mehr lesen