Bedeutender Durchbruch bei der Laser-Lift-Off-Technologie für 12-Zoll-Siliziumkarbidwafer

Inhaltsverzeichnis

1. Bedeutender Durchbruch in der Laser-Lift-Off-Technologie für 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer

2. Die vielfältigen Bedeutungen des technologischen Durchbruchs für die Entwicklung der SiC-Industrie

3. Zukunftsperspektiven: Umfassende Entwicklung und Branchenkooperation von XKH

Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., ein führender chinesischer Hersteller von Halbleiteranlagen, hat kürzlich einen bedeutenden Durchbruch in der Siliziumkarbid-Wafer-Bearbeitungstechnologie erzielt. Dem Unternehmen gelang das erfolgreiche Ablösen von 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern mithilfe einer eigens entwickelten Laser-Lift-off-Anlage. Dieser Durchbruch markiert einen wichtigen Meilenstein für China im Bereich der Halbleiter-Fertigungsanlagen der dritten Generation und bietet eine neue Lösung zur Kostensenkung und Effizienzsteigerung in der globalen Siliziumkarbidindustrie. Die Technologie wurde zuvor bereits von mehreren Kunden im Bereich der 6/8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer validiert, wobei die Anlagenleistung international führendes Niveau erreichte.

 

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Dieser technologische Durchbruch ist in mehrfacher Hinsicht bedeutsam für die Entwicklung der Siliziumkarbidindustrie, unter anderem:

 

1. Deutliche Reduzierung der Produktionskosten:Im Vergleich zu den gängigen 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern vergrößern die 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer die verfügbare Fläche um etwa das Vierfache, wodurch die Kosten pro Chip um 30 bis 40 % gesenkt werden.

2. Erhöhte Produktionskapazität der Industrie:Es befasst sich mit den technischen Engpässen bei der Verarbeitung großformatiger Siliziumkarbid-Wafer und bietet Ausrüstungsunterstützung für den globalen Ausbau der Siliziumkarbid-Produktionskapazität.

3. Beschleunigter Lokalisierungssubstitutionsprozess:Es durchbricht das technologische Monopol ausländischer Unternehmen im Bereich großformatiger Siliziumkarbid-Verarbeitungsanlagen und leistet damit einen wichtigen Beitrag zur autonomen und kontrollierbaren Entwicklung der chinesischen Halbleiteranlagenindustrie.

4. Förderung der Popularisierung nachgelagerter Anwendungen:Die Kostensenkung wird den Einsatz von Siliziumkarbidbauelementen in Schlüsselbereichen wie Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien beschleunigen.

 

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Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. ist ein Unternehmen des Instituts für Halbleiter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften und konzentriert sich auf die Forschung und Entwicklung, die Produktion und den Vertrieb von spezialisierten Halbleiteranlagen. Mit Lasertechnologie als Kernkompetenz hat das Unternehmen eine Reihe von Halbleiterbearbeitungsanlagen mit eigenen Schutzrechten entwickelt und beliefert damit führende inländische Halbleiterhersteller.

 

Der CEO von Jingfei Semiconductor erklärte: „Wir setzen stets auf technologische Innovation, um den industriellen Fortschritt voranzutreiben. Die erfolgreiche Entwicklung der 12-Zoll-Siliziumkarbid-Laser-Lift-off-Technologie spiegelt nicht nur die technischen Kompetenzen des Unternehmens wider, sondern profitiert auch von der starken Unterstützung der Wissenschafts- und Technologiekommission der Stadt Peking, des Instituts für Halbleiter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften sowie des Schlüsselprojekts ‚Disruptive technologische Innovation‘, das vom Nationalen Technologieinnovationszentrum Peking-Tianjin-Hebei organisiert und durchgeführt wird. Auch in Zukunft werden wir unsere Investitionen in Forschung und Entwicklung weiter erhöhen, um unseren Kunden noch hochwertigere Halbleiteranlagenlösungen anbieten zu können.“

 

Abschluss

Mit Blick auf die Zukunft wird XKH sein umfassendes Produktportfolio an Siliziumkarbid-Substraten (von 2 bis 12 Zoll mit Bonding- und kundenspezifischen Bearbeitungsmöglichkeiten) sowie seine Multimaterialtechnologie (u. a. 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N) nutzen, um aktiv auf die technologische Entwicklung und die Marktveränderungen in der SiC-Industrie zu reagieren. Durch die kontinuierliche Verbesserung der Waferausbeute, die Senkung der Produktionskosten und die Vertiefung der Zusammenarbeit mit Halbleiteranlagenherstellern und Endkunden engagiert sich XKH für die Bereitstellung leistungsstarker und zuverlässiger Substratlösungen für globale Anwendungen in den Bereichen neue Energien, Hochspannungselektronik und Hochtemperaturindustrie. Wir wollen unsere Kunden dabei unterstützen, technische Hürden zu überwinden und eine skalierbare Implementierung zu erreichen, und uns als vertrauenswürdiger Partner für Kernmaterialien in der SiC-Wertschöpfungskette positionieren.

 

https://www.xkh-semitech.com/4h-sic-epitaxial-wafers-for-ultra-high-voltage-mosfets-100-500-%ce%bcm-6-inch-product/

 


Veröffentlichungsdatum: 09.09.2025