Wie können wir eine Scheibe auf „ultradünn“ ausdünnen?

Wie können wir eine Scheibe auf „ultradünn“ ausdünnen?
Was genau ist ein ultradünner Wafer?

Typische Dickenbereiche (beispielsweise 8″/12″-Wafer)

• Standardwafer:600–775 μm

• Dünne Scheibe:150–200 μm

• Ultradünne Wafer:unter 100 μm

• Extrem dünne Scheibe:50 μm, 30 μm oder sogar 10–20 μm

Warum werden Waffeln immer dünner?

• Die Gesamtdicke des Gehäuses verringern, die TSV-Länge verkürzen und die RC-Verzögerung senken.

• Reduzierung des Einschaltwiderstands und Verbesserung der Wärmeableitung

• Die Anforderungen an ultradünne Bauformen für Endprodukte erfüllen

Wichtigste Risiken ultradünner Wafer

1. Die mechanische Festigkeit nimmt rapide ab

2. Starke Verformung

3. Schwierige Handhabung und Transport

4. Die Vorderseitenstrukturen sind sehr anfällig; Wafer neigen zu Rissen/Brüchen.

Wie können wir Wafer auf ultradünne Schichten ausdünnen?

1. DBG (Würfeln vor dem Mahlen)
   Der Wafer wird teilweise vereinzelt (ohne ihn vollständig durchzuschneiden), sodass die einzelnen Chips vordefiniert sind, während der Wafer von der Rückseite her mechanisch verbunden bleibt. Anschließend wird der Wafer von der Rückseite her geschliffen, um die Dicke zu reduzieren und das verbleibende ungeschnittene Silizium schrittweise abzutragen. Schließlich wird die letzte dünne Siliziumschicht abgeschliffen, wodurch die Vereinzelung abgeschlossen wird.

2. Taiko-Prozess
   Dünnen Sie nur den mittleren Bereich des Wafers aus, während der Randbereich dick bleibt. Der dickere Rand bietet mechanische Stabilität und trägt dazu bei, Verformungen und das Risiko bei der Handhabung zu verringern.

3. Temporäres Waferbonden
   Durch temporäres Bonden wird der Wafer auf einemvorübergehender TrägerDadurch wird ein extrem empfindlicher, filmartiger Wafer in eine robuste, verarbeitbare Einheit verwandelt. Der Träger stützt den Wafer, schützt Strukturen auf der Vorderseite und mindert thermische Spannungen – wodurch eine Reduzierung der Dicke auf bis zu ermöglicht wird.einige zehn Mikrometerund ermöglicht gleichzeitig aggressive Prozesse wie TSV-Bildung, Galvanisierung und Bonden. Es ist eine der wichtigsten Basistechnologien für modernes 3D-Packaging.