GaN auf Glas 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und normalem Quarz
Merkmale
●Große Bandbreite:GaN besitzt eine Bandlücke von 3,4 eV, was im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium eine höhere Effizienz und größere Beständigkeit unter Hochspannungs- und Hochtemperaturbedingungen ermöglicht.
●Anpassbare Glassubstrate:Erhältlich mit JGS1-, JGS2-, BF33- und normalem Quarzglas, um unterschiedlichen thermischen, mechanischen und optischen Leistungsanforderungen gerecht zu werden.
●Hohe Wärmeleitfähigkeit:Die hohe Wärmeleitfähigkeit von GaN gewährleistet eine effektive Wärmeableitung, wodurch sich diese Wafer ideal für Leistungsanwendungen und Geräte eignen, die viel Wärme erzeugen.
●Hohe Durchbruchspannung:Die Fähigkeit von GaN, hohen Spannungen standzuhalten, macht diese Wafer geeignet für Leistungstransistoren und Hochfrequenzanwendungen.
●Hervorragende mechanische Festigkeit:Die Glassubstrate sorgen in Kombination mit den Eigenschaften von GaN für eine hohe mechanische Festigkeit und verbessern so die Haltbarkeit des Wafers in anspruchsvollen Umgebungen.
●Reduzierte Herstellungskosten:Im Vergleich zu herkömmlichen GaN-auf-Silizium- oder GaN-auf-Saphir-Wafern ist GaN-auf-Glas eine kostengünstigere Lösung für die Massenproduktion von Hochleistungsbauelementen.
●Maßgeschneiderte optische Eigenschaften:Verschiedene Glasoptionen ermöglichen die Anpassung der optischen Eigenschaften des Wafers und machen ihn somit für Anwendungen in der Optoelektronik und Photonik geeignet.
Technische Spezifikationen
| Parameter | Wert |
| Wafergröße | 4 Zoll |
| Optionen für Glassubstrate | JGS1, JGS2, BF33, Gewöhnlicher Quarz |
| GaN-Schichtdicke | 100 nm – 5000 nm (anpassbar) |
| GaN-Bandlücke | 3,4 eV (große Bandlücke) |
| Durchschlagspannung | Bis zu 1200 V |
| Wärmeleitfähigkeit | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Elektronenbeweglichkeit | 2000 cm²/V·s |
| Oberflächenrauheit der Wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN-Flächenwiderstand | 437,9 Ω·cm² |
| Widerstand | Halbisolierend, N-Typ, P-Typ (anpassbar) |
| Optische Übertragung | >80 % für sichtbares und UV-Licht |
| Wafer Warp | < 25 µm (maximal) |
| Oberflächenbeschaffenheit | SSP (einseitig poliert) |
Anwendungen
Optoelektronik:
GaN-auf-Glas-Wafer werden in großem Umfang verwendet inLEDsUndLaserdiodenaufgrund der hohen Effizienz und optischen Leistung von GaN. Die Möglichkeit, Glassubstrate wie z. B. auszuwählenJGS1UndJGS2ermöglicht die Anpassung der optischen Transparenz und ist daher ideal für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Helligkeit.blau/grüne LEDsUndUV-Laser.
Photonik:
GaN-auf-Glas-Wafer sind ideal fürFotodetektoren, photonische integrierte Schaltungen (PICs), Undoptische SensorenIhre hervorragenden Lichtdurchlässigkeitseigenschaften und ihre hohe Stabilität in Hochfrequenzanwendungen machen sie geeignet fürKommunikationUndSensortechnologien.
Leistungselektronik:
Aufgrund ihrer großen Bandlücke und hohen Durchbruchspannung werden GaN-auf-Glas-Wafer verwendet inHochleistungstransistorenUndHochfrequenz-LeistungsumwandlungDie Fähigkeit von GaN, hohe Spannungen zu bewältigen und Wärme abzuleiten, macht es perfekt fürLeistungsverstärker, HF-Leistungstransistoren, UndLeistungselektronikin industriellen und Verbraucheranwendungen.
Hochfrequenzanwendungen:
GaN-auf-Glas-Wafer weisen hervorragende Eigenschaften aufElektronenbeweglichkeitund können mit hohen Schaltgeschwindigkeiten betrieben werden, wodurch sie sich ideal eignen fürHochfrequenz-Leistungsbauelemente, Mikrowellengeräte, UndHF-VerstärkerDies sind entscheidende Komponenten in5G-Kommunikationssysteme, Radarsysteme, UndSatellitenkommunikation.
Automobilanwendungen:
GaN-auf-Glas-Wafer werden auch in automobilen Stromversorgungssystemen eingesetzt, insbesondere inBordladegeräte (OBCs)UndDC-DC-Wandlerfür Elektrofahrzeuge (EVs). Die Fähigkeit der Wafer, hohen Temperaturen und Spannungen standzuhalten, ermöglicht ihren Einsatz in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen und bietet so eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.
Medizinprodukte:
Aufgrund seiner Eigenschaften ist GaN auch ein attraktives Material für den Einsatz inmedizinische BildgebungUndbiomedizinische SensorenSeine Fähigkeit, bei hohen Spannungen zu arbeiten, und seine Strahlungsbeständigkeit machen es ideal für Anwendungen inDiagnosegeräteUndmedizinische Laser.
Fragen und Antworten
Frage 1: Warum ist GaN auf Glas eine gute Option im Vergleich zu GaN auf Silizium oder GaN auf Saphir?
A1:GaN auf Glas bietet mehrere Vorteile, darunterKosteneffizienzUndbesseres WärmemanagementWährend GaN-auf-Silizium und GaN-auf-Saphir eine hervorragende Leistung bieten, sind Glassubstrate kostengünstiger, leichter verfügbar und hinsichtlich ihrer optischen und mechanischen Eigenschaften anpassbar. Darüber hinaus bieten GaN-auf-Glas-Wafer in beiden Bereichen eine ausgezeichnete Leistung.optischUndHochleistungselektronikanwendungen.
Frage 2: Worin besteht der Unterschied zwischen den Glasoptionen JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarzglas?
A2:
- JGS1UndJGS2sind hochwertige optische Glassubstrate, die bekannt sind für ihrehohe optische TransparenzUndgeringe WärmeausdehnungDadurch eignen sie sich ideal für photonische und optoelektronische Bauelemente.
- BF33Glasangebotehöherer Brechungsindexund eignet sich ideal für Anwendungen, die eine erhöhte optische Leistung erfordern, wie zum BeispielLaserdioden.
- Gewöhnlicher Quarzbietet hohethermische StabilitätUndBeständigkeit gegenüber StrahlungDadurch eignet es sich für Anwendungen bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen.
Frage 3: Kann ich den spezifischen Widerstand und die Dotierungsart für GaN-auf-Glas-Wafer anpassen?
A3:Ja, wir bieten ananpassbarer WiderstandUndDopingarten(N- oder P-Typ) für GaN-auf-Glas-Wafer. Diese Flexibilität ermöglicht die Anpassung der Wafer an spezifische Anwendungen, darunter Leistungshalbleiter, LEDs und photonische Systeme.
Frage 4: Was sind die typischen Anwendungen von GaN auf Glas in der Optoelektronik?
A4:In der Optoelektronik werden GaN-auf-Glas-Wafer häufig verwendet fürblaue und grüne LEDs, UV-Laser, UndFotodetektorenDie anpassbaren optischen Eigenschaften des Glases ermöglichen Geräte mit hoherLichtdurchlässigkeitwodurch sie sich ideal für Anwendungen inDisplaytechnologien, Beleuchtung, Undoptische Kommunikationssysteme.
Frage 5: Wie verhält sich GaN auf Glas bei Hochfrequenzanwendungen?
A5:GaN-auf-Glas-Wafer bietenausgezeichnete Elektronenmobilität, wodurch sie gute Leistungen erbringen könnenHochfrequenzanwendungenwie zum BeispielHF-Verstärker, Mikrowellengeräte, Und5G-KommunikationssystemeIhre hohe Durchbruchspannung und geringen Schaltverluste machen sie geeignet fürHochleistungs-HF-Geräte.
Frage 6: Was ist die typische Durchbruchspannung von GaN-auf-Glas-Wafern?
A6:GaN-auf-Glas-Wafer unterstützen typischerweise Durchbruchspannungen bis zu1200 Vwodurch sie geeignet sind fürhohe LeistungUndHochspannungAnwendungen. Ihre große Bandlücke ermöglicht es ihnen, höhere Spannungen zu verarbeiten als herkömmliche Halbleitermaterialien wie Silizium.
Frage 7: Können GaN-auf-Glas-Wafer in Automobilanwendungen eingesetzt werden?
A7:Ja, GaN-auf-Glas-Wafer werden verwendet inAutomobil-Leistungselektronik, einschließlichDC-DC-WandlerUndBordladegeräte(OBCs) für Elektrofahrzeuge. Ihre Fähigkeit, bei hohen Temperaturen zu arbeiten und hohe Spannungen zu verarbeiten, macht sie ideal für diese anspruchsvollen Anwendungen.
Abschluss
Unsere 4-Zoll-GaN-auf-Glas-Wafer bieten eine einzigartige und individuell anpassbare Lösung für vielfältige Anwendungen in der Optoelektronik, Leistungselektronik und Photonik. Dank verschiedener Glassubstrate wie JGS1, JGS2, BF33 und Quarzglas bieten diese Wafer vielseitige mechanische und optische Eigenschaften und ermöglichen so maßgeschneiderte Lösungen für Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelemente. Ob für LEDs, Laserdioden oder HF-Anwendungen – GaN-auf-Glas-Wafer sind die ideale Wahl.
Detailliertes Diagramm
