Epitaktisch gewachsenes Galliumnitrid (GaN) auf Saphirwafern (4 Zoll, 6 Zoll) für MEMS

Kurzbeschreibung:

Galliumnitrid (GaN) auf Saphirwafern bietet eine unübertroffene Leistung für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen und ist damit das ideale Material für HF-Frontend-Module (Radiofrequenz) der nächsten Generation, LED-Leuchten und andere Halbleiterbauelemente.GaNDie überlegenen elektrischen Eigenschaften von Galliumnitrid (GaN), darunter eine hohe Bandlücke, ermöglichen den Betrieb bei höheren Durchbruchspannungen und Temperaturen als herkömmliche Silizium-basierte Bauelemente. Da GaN zunehmend anstelle von Silizium eingesetzt wird, treibt es Fortschritte in der Elektronik voran, die leichte, leistungsstarke und effiziente Materialien erfordert.

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Merkmale

Eigenschaften von GaN auf Saphirwafern

●Hohe Effizienz:GaN-basierte Bauelemente liefern fünfmal mehr Leistung als siliziumbasierte Bauelemente und verbessern so die Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen, darunter HF-Verstärkung und Optoelektronik.
●Große Bandbreite:Die große Bandlücke von GaN ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad bei erhöhten Temperaturen und macht es damit ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.
●Haltbarkeit:Die Fähigkeit von GaN, extremen Bedingungen (hohen Temperaturen und Strahlung) standzuhalten, gewährleistet eine dauerhafte Leistungsfähigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
●Kleine Größe:GaN ermöglicht die Herstellung kompakterer und leichterer Bauelemente im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien und ermöglicht so kleinere und leistungsfähigere Elektronik.

Abstrakt

Galliumnitrid (GaN) etabliert sich als bevorzugtes Halbleitermaterial für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Leistungs- und Effizienzanforderungen, wie beispielsweise HF-Frontend-Module, Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssysteme und LED-Beleuchtung. Epitaxie-Wafer aus GaN, die auf Saphirsubstraten gewachsen werden, bieten eine Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung und breitem Frequenzgang – Schlüsseleigenschaften für optimale Leistung in drahtlosen Kommunikationsgeräten, Radargeräten und Störsendern. Diese Wafer sind in Durchmessern von 4 Zoll und 6 Zoll sowie mit unterschiedlichen GaN-Schichtdicken erhältlich, um verschiedenen technischen Anforderungen gerecht zu werden. Die einzigartigen Eigenschaften von GaN machen es zu einem vielversprechenden Kandidaten für die Zukunft der Leistungselektronik.

Produktparameter

Produktmerkmale	Spezifikation
Waferdurchmesser	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Substrat	Saphir
GaN-Schichtdicke	0,5 μm - 10 μm
GaN-Typ/Dotierung	Typ N (Typ P auf Anfrage erhältlich)
GaN-Kristallorientierung	<0001>
Polierart	Einseitig poliert (SSP), beidseitig poliert (DSP)
Al2O3 Dicke	430 μm - 650 μm
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 10 μm
Bogen	≤ 10 μm
Kette	≤ 10 μm
Oberfläche	Nutzbare Oberfläche > 90 %

Fragen und Antworten

Frage 1: Was sind die wichtigsten Vorteile von GaN gegenüber herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis?

A1Galliumnitrid (GaN) bietet gegenüber Silizium mehrere entscheidende Vorteile, darunter eine größere Bandlücke. Dadurch kann es höhere Durchbruchspannungen bewältigen und bei höheren Temperaturen effizient arbeiten. Dies macht GaN ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen wie HF-Module, Leistungsverstärker und LEDs. Die Fähigkeit von GaN, höhere Leistungsdichten zu verarbeiten, ermöglicht zudem kleinere und effizientere Bauelemente im Vergleich zu Silizium-basierten Alternativen.

Frage 2: Kann GaN auf Saphirwafern in MEMS-Anwendungen (Mikroelektromechanische Systeme) eingesetzt werden?

A2Ja, GaN auf Saphirwafern eignet sich für MEMS-Anwendungen, insbesondere dort, wo hohe Leistung, Temperaturstabilität und geringes Rauschen erforderlich sind. Die Beständigkeit und Effizienz des Materials in Hochfrequenzumgebungen machen es ideal für MEMS-Bauelemente in drahtlosen Kommunikations-, Sensor- und Radarsystemen.

Frage 3: Welche potenziellen Anwendungen gibt es für GaN in der drahtlosen Kommunikation?

A3Galliumnitrid (GaN) findet breite Anwendung in HF-Frontend-Modulen für die drahtlose Kommunikation, darunter 5G-Infrastruktur, Radarsysteme und Störsender. Seine hohe Leistungsdichte und Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte und ermöglichen im Vergleich zu siliziumbasierten Lösungen eine bessere Performance und kleinere Bauformen.

Frage 4: Wie lange sind die Lieferzeiten und wie hoch sind die Mindestbestellmengen für GaN auf Saphirwafern?

A4Lieferzeiten und Mindestbestellmengen variieren je nach Wafergröße, GaN-Schichtdicke und spezifischen Kundenanforderungen. Bitte kontaktieren Sie uns direkt, um detaillierte Preisinformationen und Verfügbarkeitsangaben basierend auf Ihren Spezifikationen zu erhalten.

F5: Kann ich die Dicke oder die Dotierung der GaN-Schicht individuell anpassen?

A5Ja, wir bieten die Möglichkeit, die GaN-Schichtdicke und den Dotierungsgrad individuell an Ihre spezifischen Anwendungsanforderungen anzupassen. Teilen Sie uns bitte Ihre gewünschten Spezifikationen mit, und wir erstellen Ihnen eine maßgeschneiderte Lösung.