GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL-Laser mit vertikaler Oberflächenemission (VCSEL), Wellenlänge 940 nm, Einzelübergang
Zu den Hauptmerkmalen von GaAs-Laser-Epitaxieschichten gehören:
1. Einzelübergangsstruktur: Dieser Laser besteht üblicherweise aus einem einzigen Quantentopf, der eine effiziente Lichtemission ermöglicht.
2. Wellenlänge: Die Wellenlänge von 940 nm liegt im Infrarotbereich und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen.
3. Hohe Effizienz: Im Vergleich zu anderen Lasertypen weist der VCSEL eine hohe elektrooptische Umwandlungseffizienz auf.
4. Kompaktheit: Das VCSEL-Gehäuse ist relativ klein und einfach zu integrieren.
5. Niedriger Schwellenstrom und hohe Effizienz: Vergrabene Heterostrukturlaser weisen eine extrem niedrige Schwellenstromdichte (z. B. 4 mA/cm²) und eine hohe externe differentielle Quanteneffizienz (z. B. 36 %) auf, mit einer linearen Ausgangsleistung von über 15 mW.
6. Wellenleitermodusstabilität: Der Laser mit eingebetteter Heterostruktur bietet den Vorteil der Wellenleitermodusstabilität aufgrund seines brechungsindexgeführten Wellenleitermechanismus und der geringen Breite des aktiven Streifens (ca. 2 μm).
7. Ausgezeichnete photoelektrische Umwandlungseffizienz: Durch Optimierung des Epitaxieprozesses können eine hohe interne Quanteneffizienz und eine hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz erzielt werden, um interne Verluste zu reduzieren.
8. Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Hochwertige Epitaxie-Wachstumstechnologien ermöglichen die Herstellung von Epitaxieschichten mit guter Oberflächenbeschaffenheit und geringer Defektdichte, wodurch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Produkts verbessert werden.
9. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen: Epitaxieschichten auf GAAS-Basis für Laserdioden finden breite Anwendung in der optischen Faserkommunikation, in industriellen Anwendungen, bei Infrarot- und Fotodetektoren sowie in anderen Bereichen.
Zu den wichtigsten Anwendungsgebieten von GaAs-Laser-Epitaxieschichten gehören:
1. Optische Kommunikation und Datenkommunikation: GaAs-Epitaxie-Wafer werden im Bereich der optischen Kommunikation, insbesondere in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente wie Laser und Detektoren weit verbreitet eingesetzt.
2. Industrielle Anwendungen: GaAs-Laserepitaxieschichten finden auch in industriellen Anwendungen wichtige Verwendung, beispielsweise in der Laserbearbeitung, Messtechnik und Sensorik.
3. Unterhaltungselektronik: In der Unterhaltungselektronik werden GaAs-Epitaxie-Wafer zur Herstellung von VCsels (Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers) verwendet, die in Smartphones und anderen Unterhaltungselektronikgeräten weit verbreitet sind.
4. HF-Anwendungen: GaAs-Materialien bieten erhebliche Vorteile im HF-Bereich und werden zur Herstellung von Hochleistungs-HF-Bauelementen verwendet.
5. Quantenpunktlaser: Auf GAAS basierende Quantenpunktlaser werden in großem Umfang in den Bereichen Kommunikation, Medizin und Militär eingesetzt, insbesondere im optischen Kommunikationsband von 1,31µm.
6. Passiver Q-Schalter: Der GaAs-Absorber wird für diodengepumpte Festkörperlaser mit passivem Q-Schalter verwendet und eignet sich für die Mikrobearbeitung, Entfernungsmessung und Mikrochirurgie.
Diese Anwendungen demonstrieren das Potenzial von GaAs-Laser-Epitaxie-Wafern in einem breiten Spektrum von Hightech-Anwendungen.
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