Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer (100 mm, 150 mm) – Verschiedene SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) – Abbildung

Kurzbeschreibung:

Unsere kundenspezifischen GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer bieten überragende Leistung für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen, indem sie die außergewöhnlichen Eigenschaften von Galliumnitrid (GaN) mit der robusten Wärmeleitfähigkeit und mechanischen Festigkeit von SiC kombinieren.Siliciumcarbid (SiC)Diese Wafer sind in den Größen 100 mm und 150 mm erhältlich und basieren auf verschiedenen SiC-Substraten, darunter 4H-N, HPSI und 4H/6H-P. Sie sind speziell auf die Anforderungen von Leistungselektronik, HF-Verstärkern und anderen fortschrittlichen Halbleiterbauelementen zugeschnitten. Dank anpassbarer Epitaxieschichten und einzigartiger SiC-Substrate gewährleisten unsere Wafer hohe Effizienz, optimales Wärmemanagement und hohe Zuverlässigkeit für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.

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Merkmale

●EpitaxieschichtdickeAnpassbar ab1,0 µmZu3,5 µm, optimiert für hohe Leistungs- und Frequenzperformance.

●SiC-SubstratoptionenErhältlich mit verschiedenen SiC-Substraten, darunter:

4H-NHochwertiges stickstoffdotiertes 4H-SiC für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.
HPSIHochreines, halbisolierendes SiC für Anwendungen, die eine elektrische Isolation erfordern.
4H/6H-P: Mischung aus 4H- und 6H-SiC für ein ausgewogenes Verhältnis von hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

●WaffelgrößenVerfügbar in100 mmUnd150 mmDurchmesser für vielseitige Skalierung und Integration der Geräte.

●Hohe DurchschlagsspannungDie GaN-auf-SiC-Technologie bietet eine hohe Durchbruchspannung und ermöglicht so eine robuste Leistungsfähigkeit in Hochleistungsanwendungen.

●Hohe WärmeleitfähigkeitDie inhärente Wärmeleitfähigkeit von SiC (ungefähr 490 W/m·K) gewährleistet eine hervorragende Wärmeableitung für energieintensive Anwendungen.

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Waferdurchmesser	100 mm, 150 mm
Dicke der Epitaxialschicht	1,0 µm – 3,5 µm (anpassbar)
SiC-Substrattypen	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Wärmeleitfähigkeit von SiC	490 W/m·K
SiC-Widerstand	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSIHalbisolierend4H/6H-P: Gemischte 4H/6H
GaN-Schichtdicke	1,0 µm – 2,0 µm
GaN-Trägerkonzentration	10^18 cm^-3 bis 10^19 cm^-3 (anpassbar)
Wafer-Oberflächenqualität	RMS-Rauheit: < 1 nm
Versetzungsdichte	< 1 x 10^6 cm^-2
Wafer Bow	< 50 µm
Planheit der Waffel	< 5 µm
Maximale Betriebstemperatur	400°C (typisch für GaN-auf-SiC-Bauelemente)

Anwendungen

●Leistungselektronik:GaN-auf-SiC-Wafer bieten hohe Effizienz und Wärmeableitung und eignen sich daher ideal für Leistungsverstärker, Leistungswandler und Wechselrichterschaltungen, die in Elektrofahrzeugen, Systemen für erneuerbare Energien und Industriemaschinen eingesetzt werden.
●HF-Leistungsverstärker:Die Kombination von GaN und SiC eignet sich perfekt für Hochfrequenz-Hochleistungsanwendungen wie Telekommunikation, Satellitenkommunikation und Radarsysteme.
●Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung:Diese Wafer eignen sich für Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungstechnologien, die Hochleistungselektronik und Kommunikationssysteme erfordern, die unter rauen Bedingungen funktionieren können.
●Automobilanwendungen:Ideal für Hochleistungs-Energiesysteme in Elektrofahrzeugen (EVs), Hybridfahrzeugen (HEVs) und Ladestationen, ermöglicht effiziente Energieumwandlung und -steuerung.
●Militär- und Radarsysteme:GaN-auf-SiC-Wafer werden in Radarsystemen aufgrund ihrer hohen Effizienz, ihrer Belastbarkeit und ihrer thermischen Leistungsfähigkeit in anspruchsvollen Umgebungen eingesetzt.
●Anwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich:Für Kommunikationssysteme der nächsten Generation, einschließlich 5G, bietet GaN-auf-SiC optimale Leistung im Hochleistungs-Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich.

Fragen und Antworten

Frage 1: Welche Vorteile bietet die Verwendung von SiC als Substrat für GaN?

A1:Siliziumkarbid (SiC) bietet im Vergleich zu herkömmlichen Substraten wie Silizium eine überlegene Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und mechanische Festigkeit. Dadurch eignen sich GaN-auf-SiC-Wafer ideal für Anwendungen mit hoher Leistung, hohen Frequenzen und hohen Temperaturen. Das SiC-Substrat trägt zur Wärmeableitung der GaN-Bauelemente bei und verbessert so deren Zuverlässigkeit und Leistung.

Frage 2: Lässt sich die Dicke der Epitaxieschicht für spezifische Anwendungen anpassen?

A2:Ja, die Dicke der Epitaxieschicht kann innerhalb eines bestimmten Bereichs angepasst werden.1,0 µm bis 3,5 µmAbhängig von den Leistungs- und Frequenzanforderungen Ihrer Anwendung können wir die Dicke der GaN-Schicht anpassen, um die Leistung für spezifische Bauelemente wie Leistungsverstärker, HF-Systeme oder Hochfrequenzschaltungen zu optimieren.

Frage 3: Worin besteht der Unterschied zwischen 4H-N-, HPSI- und 4H/6H-P-SiC-Substraten?

A3:

4H-NStickstoffdotiertes 4H-SiC wird häufig für Hochfrequenzanwendungen eingesetzt, die eine hohe elektronische Leistungsfähigkeit erfordern.
HPSIHochreines, halbisolierendes SiC bietet elektrische Isolation und ist ideal für Anwendungen, die eine minimale elektrische Leitfähigkeit erfordern.
4H/6H-PEine Mischung aus 4H- und 6H-SiC, die ein ausgewogenes Verhältnis von Leistung und Robustheit bietet und sich für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik eignet.

Frage 4: Sind diese GaN-auf-SiC-Wafer für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien geeignet?

A4:Ja, GaN-auf-SiC-Wafer eignen sich hervorragend für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und industrielle Systeme. Die hohe Durchbruchspannung, die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hohe Belastbarkeit von GaN-auf-SiC-Bauelementen ermöglichen ihren effektiven Einsatz in anspruchsvollen Leistungswandlungs- und Steuerschaltungen.

Frage 5: Wie hoch ist die typische Versetzungsdichte dieser Wafer?

A5:Die Versetzungsdichte dieser GaN-auf-SiC-Wafer beträgt typischerweise< 1 x 10^6 cm^-2, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum gewährleistet, Defekte minimiert und die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des Bauelements verbessert werden.

F6: Kann ich eine bestimmte Wafergröße oder einen bestimmten SiC-Substrattyp anfordern?

A6:Ja, wir bieten kundenspezifische Wafergrößen (100 mm und 150 mm) und SiC-Substrattypen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) an, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung gerecht zu werden. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zu Anpassungsmöglichkeiten und um Ihre Anforderungen zu besprechen.

Frage 7: Wie verhalten sich GaN-auf-SiC-Wafer in extremen Umgebungen?

A7:GaN-auf-SiC-Wafer eignen sich aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität, hohen Belastbarkeit und exzellenten Wärmeableitung ideal für extreme Umgebungen. Diese Wafer bewähren sich unter den in der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigungsindustrie und in industriellen Anwendungen üblichen Bedingungen mit hohen Temperaturen, hohen Leistungen und hohen Frequenzen.

Abschluss

Unsere kundenspezifischen GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer vereinen die fortschrittlichen Eigenschaften von GaN und SiC und bieten so überragende Leistung in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Dank verschiedener SiC-Substratoptionen und individuell anpassbarer Epitaxieschichten eignen sich diese Wafer ideal für Branchen, die hohe Effizienz, Wärmemanagement und Zuverlässigkeit erfordern. Ob Leistungselektronik, HF-Systeme oder Verteidigungsanwendungen – unsere GaN-auf-SiC-Wafer bieten Ihnen die benötigte Leistung und Flexibilität.