Kundenspezifisches SiC-Keimsubstrat vom Typ N, Durchmesser 153/155 mm, für Leistungselektronik

Siliziumkarbid (SiC)-Keimsubstrate dienen als Basismaterial für Halbleiter der dritten Generation und zeichnen sich durch ihre außergewöhnlich hohe Wärmeleitfähigkeit, überlegene Durchbruchfeldstärke und hohe Elektronenbeweglichkeit aus. Diese Eigenschaften machen sie unverzichtbar für Leistungselektronik, Hochfrequenzbauelemente, Elektrofahrzeuge und Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien. XKH ist spezialisiert auf die Forschung und Entwicklung sowie die Produktion hochwertiger SiC-Keimsubstrate und setzt dabei fortschrittliche Kristallzüchtungstechniken wie die physikalische Dampftransportabscheidung (PVT) und die Hochtemperatur-CVD (HTCVD) ein, um eine branchenführende Kristallqualität zu gewährleisten.

XKH bietet 4-, 6- und 8-Zoll-SiC-Keimsubstrate mit anpassbarer N-/P-Dotierung an. Diese erreichen spezifische Widerstände von 0,01–0,1 Ω·cm und Versetzungsdichten unter 500 cm⁻² und eignen sich daher ideal für die Herstellung von MOSFETs, Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) und IGBTs. Unser vertikal integrierter Produktionsprozess umfasst Kristallzüchtung, Wafer-Slicing, Polieren und Inspektion. Mit einer monatlichen Produktionskapazität von über 5.000 Wafern decken wir die vielfältigen Anforderungen von Forschungseinrichtungen, Halbleiterherstellern und Unternehmen im Bereich erneuerbarer Energien ab.

Darüber hinaus bieten wir kundenspezifische Lösungen an, darunter:

Anpassung der Kristallorientierung (4H-SiC, 6H-SiC)

Spezielle Dotierung (Aluminium, Stickstoff, Bor usw.)

Hochglänzende Politur (Ra < 0,5 nm)

XKH unterstützt die Verarbeitung anhand von Proben, technische Beratungen und die Prototypenfertigung in Kleinserien, um optimierte SiC-Substratlösungen zu liefern.