Goldbeschichteter Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtungsdicke 10 nm, 50 nm, 100 nm

Kurzbeschreibung:

Unsere goldbeschichteten Wafer sind auf einer Vielzahl von Substraten erhältlich, darunter Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃) und Siliziumkarbid (SiC). Die Wafer sind in den Größen 2 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll verfügbar und mit einer dünnen, hochreinen Goldschicht (Au) beschichtet. Die Goldbeschichtung ist in Dicken von 10 nm bis 500 nm erhältlich, wobei kundenspezifische Dicken auf Anfrage gefertigt werden. Die Goldschicht wird durch einen Haftfilm aus Chrom (Cr) ergänzt, der eine starke Verbindung zwischen Substrat und Goldschicht gewährleistet.
Diese goldbeschichteten Wafer eignen sich ideal für diverse Anwendungen in der Halbleiter- und Optoelektronik und bieten hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung, Korrosionsbeständigkeit und mechanische Belastbarkeit. Sie werden häufig in Hochleistungsgeräten eingesetzt, bei denen Stabilität, Zuverlässigkeit und Langzeitleistung entscheidend sind.


Merkmale

Hauptmerkmale

Besonderheit

Beschreibung

Substratmaterialien Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC)
Dicke der Goldbeschichtung 10 nm, 50 nm, 100 nm, 500 nm
Goldreinheit 99,999 %Reinheit für optimale Leistung
Klebefolie Chrom (Cr), 99,98 % Reinheitwodurch eine starke Haftung gewährleistet wird
Oberflächenrauheit Einige Nanometer (glatte Oberflächenqualität für Präzisionsanwendungen)
Widerstand (Si-Wafer) 1-30 Ohm/cm(je nach Typ)
Wafergrößen 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zollund Sondergrößen
Dicke (Si-Wafer) 275µm, 381µm, 525µm
TTV (Gesamtdickenvariation) 20µm
Primärer Flachwafer (Si-Wafer) 15,9 ± 1,65 mmZu32,5 ± 2,5 mm

Warum Goldbeschichtungen in der Halbleiterindustrie unerlässlich sind

Elektrische Leitfähigkeit
Gold ist eines der besten Materialien fürelektrische LeitfähigkeitGoldbeschichtete Wafer bieten niederohmige Leiterbahnen, die für Halbleiterbauelemente, die schnelle und stabile elektrische Verbindungen erfordern, unerlässlich sind.hohe ReinheitDie Verwendung von Gold gewährleistet eine optimale Leitfähigkeit und minimiert so den Signalverlust.

Korrosionsbeständigkeit
Gold istnicht korrosivund ist äußerst oxidationsbeständig. Dadurch eignet es sich ideal für Halbleiteranwendungen, die in rauen Umgebungen oder unter hohen Temperaturen, Feuchtigkeit oder anderen korrosiven Bedingungen eingesetzt werden. Ein goldbeschichteter Wafer behält seine elektrischen Eigenschaften und seine Zuverlässigkeit über lange Zeit bei und bietet somit einelange Lebensdauerfür die Geräte, in denen es verwendet wird.

Wärmemanagement
Gold'sausgezeichnete Wärmeleitfähigkeitgewährleistet, dass die beim Betrieb von Halbleiterbauelementen entstehende Wärme effizient abgeführt wird. Dies ist besonders wichtig für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf wieLEDs, Leistungselektronik, Undoptoelektronische Bauelemente, wobei übermäßige Hitze, wenn sie nicht ordnungsgemäß abgeführt wird, zum Ausfall des Geräts führen kann.

Mechanische Haltbarkeit
Goldbeschichtungen bietenmechanischer Schutzauf dem Wafer, um Oberflächenbeschädigungen während der Handhabung und Verarbeitung zu verhindern. Diese zusätzliche Schutzschicht gewährleistet, dass die Wafer ihre strukturelle Integrität und Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen beibehalten.

Eigenschaften nach der Beschichtung

Verbesserte Oberflächenqualität
Die Goldbeschichtung verbessert dieOberflächenglättedes Wafers, was entscheidend ist fürhochpräziseAnwendungen. DieOberflächenrauheitwird auf wenige Nanometer minimiert, wodurch eine makellose Oberfläche gewährleistet wird, die ideal für Prozesse wie beispielsweiseDrahtbonden, Löten, UndFotolithographie.

Verbesserte Verbindungs- und Löt-Eigenschaften
Die Goldschicht verstärkt dieBindungseigenschaftender Waffel, wodurch sie ideal ist fürDrahtbondenUndFlip-Chip-BondingDies führt zu sicheren und langlebigen elektrischen Verbindungen inIC-GehäuseUndHalbleiterbaugruppen.

Korrosionsfrei und langlebig
Die Goldbeschichtung gewährleistet, dass der Wafer auch nach längerer Einwirkung rauer Umgebungsbedingungen frei von Oxidation und Zersetzung bleibt. Dies trägt dazu bei, dasslangfristige Stabilitätdes endgültigen Halbleiterbauelements.

Thermische und elektrische Stabilität
Goldbeschichtete Wafer gewährleisten eine gleichbleibendeWärmeableitungUndelektrische Leitfähigkeit, was zu einer besseren Leistung führt undZuverlässigkeitder Geräte über die Zeit, auch bei extremen Temperaturen.

Parameter

Eigentum

Wert

Substratmaterialien Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃), Siliziumkarbid (SiC)
Goldschichtdicke 10 nm, 50 nm, 100 nm, 500 nm
Goldreinheit 99,999 %(Hohe Reinheit für optimale Leistung)
Klebefolie Chrom (Cr),99,98 %Reinheit
Oberflächenrauheit Mehrere Nanometer
Widerstand (Si-Wafer) 1-30 Ohm/cm
Wafergrößen 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, individuelle Größen
Si-Waferdicke 275µm, 381µm, 525µm
TTV 20µm
Primärer Flachwafer (Si-Wafer) 15,9 ± 1,65 mmZu32,5 ± 2,5 mm

Anwendungen von goldbeschichteten Wafern

Halbleitergehäuse
Goldbeschichtete Wafer werden in großem Umfang verwendet inIC-Gehäuse, wo ihreelektrische Leitfähigkeit, mechanische Haltbarkeit, UndWärmeableitungEigenschaften gewährleisten zuverlässigeVerbindungenUndBindungin Halbleiterbauelementen.

LED-Fertigung
Goldbeschichtete Wafer spielen eine entscheidende Rolle beiLED-Fertigung, wo sie verbessernWärmemanagementUndelektrische LeistungDie Goldschicht sorgt für eine effiziente Wärmeableitung der Hochleistungs-LEDs und trägt so zu einer längeren Lebensdauer und einem besseren Wirkungsgrad bei.

Optoelektronische Bauelemente
In OptoelektronikGoldbeschichtete Wafer werden in Geräten wie diesen verwendet.Fotodetektoren, Laserdioden, UndLichtsensorenDie Goldbeschichtung bietet hervorragendeWärmeleitfähigkeitUndelektrische Stabilität, um eine gleichbleibende Leistung in Geräten zu gewährleisten, die eine präzise Steuerung von Licht- und elektrischen Signalen erfordern.

Leistungselektronik
Goldbeschichtete Wafer sind unerlässlich fürLeistungselektronische Bauelemente, wo hohe Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Diese Wafer gewährleisten Stabilität.LeistungsumwandlungUndWärmeableitungin Geräten wieLeistungstransistorenUndSpannungsregler.

Mikroelektronik und MEMS
In MikroelektronikUndMEMS (Mikroelektromechanische Systeme)Zur Herstellung werden goldbeschichtete Wafer verwendet.mikroelektromechanische Komponentendie hohe Präzision und Langlebigkeit erfordern. Die Goldschicht sorgt für eine stabile elektrische Leistung undmechanischer Schutzin empfindlichen mikroelektronischen Bauelementen.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Frage 1: Warum wird Gold zur Beschichtung von Wafern verwendet?

A1:Gold wird für seineüberlegene elektrische Leitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit, UndWärmemanagementEigenschaften. Es gewährleistetzuverlässige Verbindungen, längere Gerätelebensdauer, Undkonstante Leistungin Halbleiteranwendungen.

Frage 2: Welche Vorteile bietet die Verwendung goldbeschichteter Wafer in Halbleiteranwendungen?

A2:Goldbeschichtete Wafer bietenhohe Zuverlässigkeit, langfristige Stabilität, Undbessere elektrische und thermische LeistungSie verbessern auchBindungseigenschaftenund schützen vorOxidationUndKorrosion.

Frage 3: Welche Dicke der Goldbeschichtung sollte ich für meine Anwendung wählen?

A3:Die ideale Dicke hängt von Ihrer spezifischen Anwendung ab.10 nmeignet sich für präzise, ​​heikle Anwendungen,50 nmZu100 nmBeschichtungen werden für Geräte mit höherer Leistung verwendet.500 nmkann für anspruchsvolle Anwendungen verwendet werden, die dickere Schichten erfordern.HaltbarkeitUndWärmeableitung.

Frage 4: Können die Wafergrößen individuell angepasst werden?

A4:Ja, Wafer sind erhältlich in2 Zoll, 4 Zoll, Und6 ZollWir bieten Standardgrößen an und können Ihnen auch Sondergrößen nach Ihren individuellen Anforderungen liefern.

Frage 5: Wie verbessert die Goldbeschichtung die Leistung des Geräts?

A5:Gold steigtWärmeableitung, elektrische Leitfähigkeit, UndKorrosionsbeständigkeit, die alle zu einer effizienteren undzuverlässige Halbleiterbauelementemit längerer Betriebsdauer.

Frage 6: Wie verbessert der Haftfilm die Goldbeschichtung?

A6:DerChrom (Cr)Die Haftfolie gewährleistet eine starke Verbindung zwischen denGoldschichtund dieSubstrat, wodurch Delaminationen verhindert und die Integrität des Wafers während der Verarbeitung und Verwendung sichergestellt wird.

Abschluss

Unsere goldbeschichteten Silizium-, Saphir- und SiC-Wafer bieten fortschrittliche Lösungen für Halbleiteranwendungen und zeichnen sich durch hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und Korrosionsbeständigkeit aus. Diese Wafer eignen sich ideal für die Halbleiterverpackung, die LED-Herstellung, die Optoelektronik und vieles mehr. Dank hochreinem Gold, anpassbarer Beschichtungsdicke und exzellenter mechanischer Belastbarkeit gewährleisten sie langfristige Zuverlässigkeit und konstante Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Detailliertes Diagramm

goldbeschichteter Siliziumwafer, goldplattierter Siliziumwafer01
goldbeschichteter Siliziumwafer, goldplattierter Siliziumwafer05
goldbeschichteter Siliziumwafer, vergoldeter Siliziumwafer 07
goldbeschichteter Siliziumwafer, goldplattierter Siliziumwafer09

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