AlN auf FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN-Vorlage für Halbleiterbereich

Kurzbeschreibung:

Die AlN-Wafer auf FSS (Flexible Substrate) bieten eine einzigartige Kombination aus der außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, mechanischen Festigkeit und elektrischen Isolationseigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) und der Flexibilität eines Hochleistungssubstrats. Diese 2-Zoll- und 4-Zoll-Wafer sind speziell für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen konzipiert, insbesondere dort, wo Wärmemanagement und Geräteflexibilität entscheidend sind. Mit der Option auf NPSS (Non-Polished Substrate) oder FSS (Flexible Substrate) als Basis eignen sich diese AlN-Strukturen ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, HF-Bauelementen und flexiblen Elektroniksystemen, wo hohe Wärmeleitfähigkeit und flexible Integration die Grundlage für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit der Bauelemente bilden.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

Eigenschaften

Materialzusammensetzung:
Aluminiumnitrid (AlN) – Weiße, leistungsstarke Keramikschicht, die eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (typischerweise 200-300 W/m·K), eine gute elektrische Isolation und eine hohe mechanische Festigkeit bietet.
Flexibles Substrat (FSS) – Flexible Polymerfolien (wie Polyimid, PET usw.), die Haltbarkeit und Biegsamkeit bieten, ohne die Funktionalität der AlN-Schicht zu beeinträchtigen.

Verfügbare Wafergrößen:
2 Zoll (50,8 mm)
4 Zoll (100 mm)

Dicke:
AlN-Schicht: 100–2000 nm
FSS-Substratdicke: 50µm-500µm (anpassbar je nach Anforderungen)

Oberflächenveredelungsoptionen:
NPSS (Nicht poliertes Substrat) – Unpolierte Substratoberfläche, geeignet für bestimmte Anwendungen, die rauere Oberflächenprofile für eine bessere Haftung oder Integration erfordern.
FSS (Flexible Substrate) – Polierte oder unpolierte flexible Folie, wahlweise mit glatter oder strukturierter Oberfläche, je nach den spezifischen Anwendungsanforderungen.

Elektrische Eigenschaften:
Isolierend – Aufgrund seiner elektrischen Isoliereigenschaften eignet sich AlN ideal für Hochspannungs- und Leistungshalbleiteranwendungen.
Dielektrizitätskonstante: ~9,5
Wärmeleitfähigkeit: 200-300 W/m·K (abhängig von der jeweiligen AlN-Sorte und -Dicke)

Mechanische Eigenschaften:
Flexibilität: AlN wird auf einem flexiblen Substrat (FSS) abgeschieden, was Biegsamkeit und Flexibilität ermöglicht.
Oberflächenhärte: AlN ist äußerst widerstandsfähig und widersteht physikalischen Beschädigungen unter normalen Betriebsbedingungen.

Anwendungen

HochleistungsgeräteIdeal für Leistungselektronik, die eine hohe Wärmeableitung erfordert, wie z. B. Leistungswandler, HF-Verstärker und Hochleistungs-LED-Module.

HF- und MikrowellenkomponentenGeeignet für Bauteile wie Antennen, Filter und Resonatoren, bei denen sowohl Wärmeleitfähigkeit als auch mechanische Flexibilität erforderlich sind.

Flexible Elektronik: Ideal für Anwendungen, bei denen sich die Geräte an nicht-ebene Oberflächen anpassen müssen oder ein leichtes, flexibles Design erfordern (z. B. Wearables, flexible Sensoren).

HalbleitergehäuseWird als Substrat in der Halbleitergehäusefertigung eingesetzt und bietet Wärmeableitung in Anwendungen, die hohe Wärme erzeugen.

LEDs und OptoelektronikFür Geräte, die einen Betrieb bei hohen Temperaturen mit robuster Wärmeableitung erfordern.

Parametertabelle

Eigentum	Wert oder Bereich
Wafergröße	2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm)
AlN-Schichtdicke	100 nm – 2000 nm
FSS-Substratdicke	50 µm – 500 µm (anpassbar)
Wärmeleitfähigkeit	200 – 300 W/m·K
Elektrische Eigenschaften	Isolierend (Dielektrizitätskonstante: ~9,5)
Oberflächenbeschaffenheit	Poliert oder unpoliert
Substrattyp	NPSS (Nicht poliertes Substrat), FSS (Flexibles Substrat)
Mechanische Flexibilität	Hohe Flexibilität, ideal für flexible Elektronik
Farbe	Weiß bis cremeweiß (je nach Untergrund)

Anwendungen

●Leistungselektronik:Die Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit und Flexibilität macht diese Wafer perfekt für Leistungselektronik wie Stromrichter, Transistoren und Spannungsregler, die eine effiziente Wärmeableitung erfordern.
●RF-/Mikrowellengeräte:Aufgrund der überlegenen thermischen Eigenschaften und der geringen elektrischen Leitfähigkeit von AlN werden diese Wafer in HF-Komponenten wie Verstärkern, Oszillatoren und Antennen eingesetzt.
●Flexible Elektronik:Die Flexibilität der FSS-Schicht in Kombination mit dem hervorragenden Wärmemanagement von AlN macht sie zur idealen Wahl für tragbare Elektronik und Sensoren.
●Halbleitergehäuse:Wird für Hochleistungs-Halbleitergehäuse verwendet, bei denen effektive Wärmeableitung und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.
●LED- und optoelektronische Anwendungen:Aluminiumnitrid ist ein hervorragendes Material für LED-Gehäuse und andere optoelektronische Bauelemente, die eine hohe Hitzebeständigkeit erfordern.

Fragen und Antworten (Häufig gestellte Fragen)

Frage 1: Welche Vorteile bietet die Verwendung von AlN auf FSS-Wafern?

A1AlN auf FSS-Wafern vereint die hohe Wärmeleitfähigkeit und die elektrischen Isolationseigenschaften von AlN mit der mechanischen Flexibilität eines Polymersubstrats. Dies ermöglicht eine verbesserte Wärmeableitung in flexiblen Elektroniksystemen bei gleichzeitiger Wahrung der Bauteilintegrität unter Biege- und Dehnungsbedingungen.

Frage 2: Welche Größen sind für AlN auf FSS-Wafern erhältlich?

A2Wir bieten an2 ZollUnd4 ZollWafergrößen. Kundenspezifische Größen können auf Anfrage besprochen werden, um Ihren spezifischen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.

Frage 3: Kann ich die Dicke der AlN-Schicht anpassen?

A3Ja, dieAlN-Schichtdickekann individuell angepasst werden, typische Bereiche sind von100 nm bis 2000 nmabhängig von Ihren Anwendungsanforderungen.