150 mm 6 Zoll 0,7 mm 0,5 mm Saphir-Wafer-Substrat-Träger C-Ebene SSP/DSP

Kurzbeschreibung:

Alle oben genannten Beschreibungen von Saphirkristallen sind korrekt. Aufgrund seiner hervorragenden Eigenschaften findet Saphirkristall breite Anwendung in anspruchsvollen technischen Bereichen. Mit der rasanten Entwicklung der LED-Industrie steigt auch die Nachfrage nach Saphirkristallmaterialien.


Merkmale

Anwendungen

Anwendungsgebiete für 6-Zoll-Saphirwafer sind unter anderem:

1. LED-Herstellung: Saphirwafer können als Substrat für LED-Chips verwendet werden, und seine Härte und Wärmeleitfähigkeit können die Stabilität und Lebensdauer der LED-Chips verbessern.

2. Laserfertigung: Saphirwafer können auch als Substrat für Laser verwendet werden, um die Leistung des Lasers zu verbessern und die Lebensdauer zu verlängern.

3. Halbleiterfertigung: Saphirwafer werden in großem Umfang bei der Herstellung elektronischer und optoelektronischer Bauelemente eingesetzt, darunter optische Synthese, Solarzellen, Hochfrequenz-Elektronikbauelemente usw.

4. Weitere Anwendungen: Saphirwafer können auch zur Herstellung von Touchscreens, optischen Geräten, Dünnschichtsolarzellen und anderen Hightech-Produkten verwendet werden.

Spezifikation

Material Hochreines einkristallines Al2O3, Saphirwafer.
Dimension 150 mm +/- 0,05 mm, 6 Zoll
Dicke 1300 +/- 25 µm
Orientierung C-Ebene (0001) außerhalb der M-Ebene (1-100) 0,2 +/- 0,05 Grad
Primäre flache Ausrichtung Eine Ebene +/- 1 Grad
Primäre flache Länge 47,5 mm +/- 1 mm
Gesamtdickenvariation (TTV) <20 µm
Bogen <25 µm
Kette <25 µm
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,66 x 10⁻⁶ / °C parallel zur C-Achse, 5 x 10⁻⁶ / °C senkrecht zur C-Achse
Durchschlagsfestigkeit 4,8 x 10⁵ V/cm
Dielektrizitätskonstante 11,5 (1 MHz) entlang der C-Achse, 9,3 (1 MHz) senkrecht zur C-Achse
Dielektrischer Verlustfaktor (auch Dissipationsfaktor genannt) weniger als 1 x 10-4
Wärmeleitfähigkeit 40 W/(mK) bei 20℃
Polieren Einseitig polierte (SSP) oder beidseitig polierte (DSP) Wafer mit einer Oberflächenrauheit (Ra) < 0,5 nm (bestimmt mittels AFM). Die Rückseite der SSP-Wafer wurde feingeschliffen auf Ra = 0,8–1,2 µm.
Übertragung 88 % ± 1 % bei 460 nm

Detailliertes Diagramm

6-Zoll-Saphir-Wafer4
6-Zoll-Saphirwafer5

  • Vorherige:
  • Nächste:

  • Schreiben Sie hier Ihre Nachricht und senden Sie sie uns.