4H-SiC-Epitaxie-Wafer für Ultrahochspannungs-MOSFETs (100–500 μm, 6 Zoll)

Kurzbeschreibung:

Das rasante Wachstum von Elektrofahrzeugen, intelligenten Stromnetzen, Systemen für erneuerbare Energien und Hochleistungsanlagen hat einen dringenden Bedarf an Halbleiterbauelementen geschaffen, die höhere Spannungen, höhere Leistungsdichten und einen höheren Wirkungsgrad ermöglichen. Zu den Halbleitern mit großem Bandabstand gehören…Siliciumcarbid (SiC)zeichnet sich durch seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und überlegene kritische elektrische Feldstärke aus.

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Merkmale

Detailliertes Diagramm

Produktübersicht

Unser4H-SiC-Epitaxie-Wafersind speziell entwickelt fürUltrahochspannungs-MOSFET-AnwendungenMit epitaxialen Schichten im Bereich von100 μm bis 500 μm on 6-Zoll (150 mm) SubstrateDiese Wafer bieten die für kV-Bauelemente erforderlichen erweiterten Driftzonen bei gleichzeitig herausragender Kristallqualität und Skalierbarkeit. Standarddicken sind 100 μm, 200 μm und 300 μm; kundenspezifische Anpassungen sind möglich.

Dicke der Epitaxialschicht

Die Epitaxieschicht spielt eine entscheidende Rolle für die MOSFET-Leistung, insbesondere für das Gleichgewicht zwischenDurchschlagspannungUndEinschaltwiderstand.

100–200 μm: Optimiert für MOSFETs mit mittleren bis hohen Spannungen, bietet es ein hervorragendes Gleichgewicht zwischen Leitfähigkeit und Sperrwirkungsgrad.
200–500 μmGeeignet für Hochspannungsgeräte (10 kV+), ermöglicht lange Driftbereiche für robuste Durchbruchcharakteristika.

Über die gesamte Produktpalette hinwegDie Gleichmäßigkeit der Schichtdicke wird innerhalb von ±2 % kontrolliert.Dies gewährleistet Konsistenz von Wafer zu Wafer und von Charge zu Charge. Diese Flexibilität ermöglicht es Entwicklern, die Leistung der Bauelemente für ihre Zielspannungsklassen präzise abzustimmen und gleichzeitig die Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion aufrechtzuerhalten.

Herstellungsprozess

Unsere Wafer werden hergestellt mithochmoderne CVD-Epitaxie (chemische Gasphasenabscheidung), was eine präzise Kontrolle der Dicke, der Dotierung und der Kristallqualität ermöglicht, selbst bei sehr dicken Schichten.

CVD-Epitaxie– Hochreine Gase und optimierte Bedingungen gewährleisten glatte Oberflächen und geringe Defektdichten.
Dickes Schichtwachstum– Proprietäre Prozessrezepte ermöglichen epitaktische Schichtdicken bis zu500 μmmit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit.
Dopingkontrolle– Einstellbare Konzentration zwischen1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³mit einer Gleichmäßigkeit von besser als ±5%.
Oberflächenvorbereitung– Wafer durchlaufenCMP-Polierenund strenge Prüfungen, um die Kompatibilität mit fortschrittlichen Prozessen wie Gate-Oxidation, Fotolithografie und Metallisierung sicherzustellen.

Wichtigste Vorteile

Ultrahochspannungsfähigkeit– Dicke Epitaxieschichten (100–500 μm) unterstützen kV-Klasse-MOSFET-Designs.
Außergewöhnliche Kristallqualität– Niedrige Versetzungs- und Basalebenendefektdichten gewährleisten Zuverlässigkeit und minimieren Leckagen.
6-Zoll große Substrate– Unterstützung für die Serienfertigung, reduzierte Kosten pro Gerät und Fabrikkompatibilität.
Überlegene thermische Eigenschaften– Hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke ermöglichen einen effizienten Betrieb bei hoher Leistung und Temperatur.
Anpassbare Parameter– Dicke, Dotierung, Ausrichtung und Oberflächenbeschaffenheit können an spezifische Anforderungen angepasst werden.

Typische Spezifikationen

Parameter	Spezifikation
Leitfähigkeitstyp	N-Typ (Stickstoffdotiert)
Widerstand	Beliebig
Off-Axis-Winkel	4° ± 0,5° (Richtung [11-20])
Kristallorientierung	(0001) Si-Fläche
Dicke	200–300 μm (anpassbar 100–500 μm)
Oberflächenbeschaffenheit	Vorderseite: CMP-poliert (epi-fertig) Rückseite: geläppt oder poliert
TTV	≤ 10 μm
Bogen/Warp	≤ 20 μm

Anwendungsgebiete

4H-SiC-Epitaxie-Wafer eignen sich ideal fürMOSFETs in Ultrahochspannungssystemen, einschließlich:

Traktionswechselrichter und Hochspannungslademodule für Elektrofahrzeuge
Ausrüstung für die Übertragung und Verteilung intelligenter Stromnetze
Wechselrichter für erneuerbare Energien (Solar, Wind, Speicher)
Hochleistungs-Industrienetzteile und Schaltsysteme

Häufig gestellte Fragen

Frage 1: Um welchen Leitfähigkeitstyp handelt es sich?
A1: N-Typ, mit Stickstoff dotiert – der Industriestandard für MOSFETs und andere Leistungshalbleiter.

Frage 2: Welche Epitaxiedicken sind verfügbar?
A2: 100–500 μm, mit Standardoptionen bei 100 μm, 200 μm und 300 μm. Kundenspezifische Dicken sind auf Anfrage erhältlich.

Frage 3: Wie ist die Waferausrichtung und der Off-Axis-Winkel?
A3: (0001) Si-Fläche, mit 4° ± 0,5° Abweichung von der Achse in Richtung [11-20] .

Über uns

XKH ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien. Unsere Produkte finden Anwendung in der Optoelektronik, der Unterhaltungselektronik und im Militärbereich. Wir bieten optische Saphirkomponenten, Objektivabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid (SiC), Quarz und Halbleiterkristallwafer an. Dank unserer Expertise und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Fertigung von Sonderanfertigungen aus und streben die Position eines führenden Hightech-Unternehmens für optoelektronische Materialien an.