3-Zoll-SiC-Substrat, Produktionsdurchmesser 76,2 mm, 4H-N

Die wichtigsten Merkmale von 3-Zoll-Siliziumkarbid-MOSFET-Wafern sind folgende:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenbeweglichkeit und hohe Durchbruchfeldstärke auszeichnet. Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer hervorragend geeignet für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Insbesondere die Kristallstruktur des 4H-SiC-Polytyps bietet exzellente elektronische Eigenschaften und macht ihn zum bevorzugten Material für Leistungselektronikbauelemente.

Der 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafer ist ein stickstoffdotierter Wafer mit N-Leitfähigkeit. Durch diese Dotierungsmethode erhält der Wafer eine höhere Elektronenkonzentration, wodurch die Leitfähigkeit des Bauelements verbessert wird. Mit einem Durchmesser von 76,2 mm (3 Zoll) ist der Wafer ein gängiges Format in der Halbleiterindustrie und eignet sich für verschiedene Fertigungsprozesse.

Der 3-Zoll-Siliciumcarbid-4H-N-Wafer wird mittels physikalischer Dampftransportabscheidung (PVT) hergestellt. Dabei wird SiC-Pulver bei hohen Temperaturen in Einkristalle umgewandelt, wodurch die Kristallqualität und die Homogenität des Wafers gewährleistet werden. Die Dicke des Wafers beträgt typischerweise etwa 0,35 mm, und seine Oberfläche wird beidseitig poliert, um eine extrem hohe Ebenheit und Glätte zu erzielen, die für nachfolgende Halbleiterfertigungsprozesse entscheidend ist.

Das Anwendungsgebiet des 3-Zoll-Siliziumkarbid-4H-N-Wafers ist breit gefächert und umfasst Hochleistungselektronik, Hochtemperatursensoren, HF-Bauelemente und optoelektronische Bauelemente. Seine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit ermöglichen einen stabilen Betrieb dieser Bauelemente auch unter extremen Bedingungen und erfüllen somit die Anforderungen der modernen Elektronikindustrie an Hochleistungshalbleitermaterialien.

Wir bieten 4H-N 3-Zoll-SiC-Substrate sowie Substratwafer verschiedener Qualitäten an. Kundenspezifische Anfertigungen sind ebenfalls möglich. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage!